横向双锥快速生长35%DKDP晶体的研究

论文摘要

在ICF工程中Ⅱ类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为Ⅱ类三倍频晶体是很有必要的。采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照Ⅱ类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应（TSRS）,并与70%DKDP晶体进行对比。实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1. 8倍,而在881. 7 cm-1,35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
•   2.1 溶液配制
•   2.2 晶体生长
•   2.3 性能测试
• 3 结果与讨论
•   3.1 晶体氘化率的测定
•   3.2 DKDP晶体的损伤阈值
•   3.3 DKDP晶体横向受激拉曼散射效应
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 蔡序敏,祁英昆,赵元安,胡国行,李国辉,胡子钰,郑国宗

关键词: 晶体,损伤阈值,横向双锥生长,横向受激拉曼散射

来源: 人工晶体学报 2019年04期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院大学,中国科学院上海光学精密机械研究所,福州大学化学学院

分类号: O78

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.04.004

页码: 587-591+597

总页数: 6

文件大小: 297K

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