导读:本文包含了晶体场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体,模型,点电荷,离子,角动量,吸收光谱,各向异性。
晶体场论文文献综述
刘煊赫,吴静[1]（2019）在《晶体场理论有效教学的探索与实践》一文中研究指出无机化学是化学专业大学生入学学习的第一门专业基础课,有效教学对学生适应大学课程学习起到重要的作用。晶体场理论是物质结构基础部分的教学重点和难点,为提高教学质量,我们在课堂开始引入具有视觉冲击力的宝石,通过层层提问方式引入课程,吸引学生注意力,并启发学生思考宝石颜色的原因,增强学生分析解决问题的能力。(本文来源于《广东化工》期刊2019年14期）
张楠[2]（2019）在《近红外长余辉材料CaGdAlO_4:Cr~(3+)的制备、光学特性及晶体场分析》一文中研究指出近红外长余辉材料发光波长处于生物组织透过窗口范围内(650-950 nm),在活体应用中具有生物组织吸收少、穿透深度大等优点,通过余辉成像,可以避免激发光对生物组织的荧光背景干扰,利于提高成像质量。本文采用燃烧法制备了不同Cr~(3+)离子掺杂浓度的钆铝酸钙(CaGdAlO_4:x%Cr~(3+))近红外长余辉发光材料,采用X射线衍射、扫描电子显微镜、激发和发射光谱等技术手段,研究了不同取代格位,不同的掺杂浓度,不同的热处理条件对材料光学特性的影响。研究结果表明:不同掺杂浓度的Cr~(3+)取代Gd~(3+)离子的CaGdAlO_4:x%Cr~(3+)(x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5)近红外长余辉发光材料。所有样品均为单一纯相的荧光粉。在610 nm波长光的激发下,在650 nm-850 nm的范围内具有较强的近红外宽带发射,并迭加若干窄带,最强发射峰位于744 nm。对近红外长余辉发光最优化浓度(CaGdAlO_4:1.5%Cr~(3+))分别进行真空、空气和氮气气氛下800 ~oC处理2 h。结果发现,经过氮气和空气气氛处理后样品的光致发光及长余辉发光变化较小,而在真空气氛下热处理后的CaGdAlO_4:1.5%Cr~(3+)荧光粉,在发光强度和近红外长余辉特性都有显着地增加,余辉时间超过300秒。不同掺杂浓度的Cr~(3+)离子取代Al~(3+)的CaGdAlO_4:x%Cr~(3+)(x=0.1,0.5,1.0,1.5,2.0)近红外长余辉发光材料。所有样品都为单一纯相。在592 nm的激发下,650-850 nm范围内出现了极大值位于744 nm的近红外宽带发射,并迭加有若干窄带近红外发射。近红外发光强度随着Cr~(3+)的掺杂浓度的增加呈先增加后下降的趋势,最佳掺杂浓度为1.0%。对上述优化浓度的样品经真空气氛800 ~oC热处理后,发现样品的平均晶粒尺寸由417 nm增大到843 nm,发光强度增强了2倍。实验发现,在CaGdAlO_4基质中,Cr~(3+)取代了处于弱晶体场环境的Al~(3+)格位。通过晶体场参数计算和光谱分析,指认了样品光致发光的起源。通过激发光谱数据的计算,发现晶体场强度Dq/B=1.54<2.3,理论计算表明Cr~(3+)离子处于较弱的晶体场格位环境,与实验研究结果相符合。发射光谱中670 nm宽带发射可归属为~4T_2→~4A_2的零声子线,744 nm和756 nm宽带发射对应于~4T_2→~4A_2的声子边带跃迁。热处理后的样品,余辉时间超过了300秒。尤其,与Cr~(3+)离子处于中等和强晶体场格位的情形相比(发光峰位于697 nm),处于弱晶体场环境的Cr~(3+)离子近红外发射峰的极大值移动到744nm,更接近于第一生物窗口的中央,这将更有利于生物医学成像的应用。(本文来源于《东北师范大学》期刊2019-05-01）
鲍洪亮,段佩权,张林娟,周靖,李炯[3]（2017）在《HERFD-XANES技术探测氧化钍6d轨道的晶体场效应》一文中研究指出氧化钍(ThO_2)是潜在的钍基核燃料。钍的5f和6d轨道能量接近容易发生杂化,且6d轨道低于5f轨道,使其6d轨道对配位环境更敏感。ThO_2具有萤石晶格结构,其Th~(4+)离子处于由8个O~(2-)离子构成的立方体中心,使得Th~(4+)的6d轨道受晶体场影响劈裂成c_g和t_((2g)两组。我们利用高能量分辨率荧光探测模式的X射线吸收近边结构(HERFD-XANES)谱技术,通过采集Th的L_(β5)荧光峰,获得了具有约2 cV能量分辨率的Th L_3边HERFD-XANES数据,从而观察到了ThO_2中Th 6d轨道的晶体场劈裂c_g和t_(2g)间隔约为3.5 cV。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第8册（锕系物理与化学分卷、同位素分卷、辐射研究与应用分卷、核技术工业应用分卷、核农学分卷、核医学分卷）》期刊2017-10-16）
程军[4]（2016）在《掺稀土无机体系晶体场和顺磁参量的第一性原理研究》一文中研究指出稀土离子丰富的电子能级和光学跃迁使稀土离子掺杂的发光材料在白光LED、激光、长余辉、闪烁体等领域有着极其广泛的应用。同时,稀土离子超精细能级之间的光学跃迁具有很长的相干时间和非均匀的线宽,这些性质使稀土离子掺杂的无机晶体在量子信息领域展现出巨大的应用前景。本论文基于第一性原理计算和晶体场参数化模型分析的结合,对稀土离子掺杂的无机体系的结构、光谱和顺磁等性质进行研究。本论文主要包括以下六章。在第一章中,我们简要介绍了稀土离子的光谱性质,稀土离子掺杂材料的一些具体应用领域,以及本论文的主要研究工作。在第二章中,首先介绍了稀土离子4fN组态和4fN-15d组态的晶体场参数化模型以及基于参数化模型拟合稀土离子实验能级的方法。然后简要介绍了第一性原理计算的理论基础,基于波函数的量子化学方法和基于电子密度的密度泛函理论。接着介绍了用于研究稀土离子掺杂的无机体系的从头算模型势镶嵌团簇方法。通过CASSCF/CASPT2/RASSI计算,得到体系的能级和波函数等信息；结合参数化的哈密顿量,可以求解出稀土离子的晶体场参数和能级g因子。最后,简要介绍了本论文所采用的计算程序或软件。在第叁章中,我们基于稀土离子4fN组态的晶体场参数化模型,对LiYF4中掺杂的稀土离子的实验能级数据进行了拟合,得到一系列稀土离子的能级参数。在稀土离子处于低对称性格位时,主要的能级参数仍然具有规律的变化趋势。其重要意义在于可利用该结果和基于第一性原理计算得到的Ce3+的晶体场参数推知其他稀土离子的晶体场参数。此外,我们还计算了稀土离子的能级g因子,并且和实验ESR结果进行了比较,用于检验所得到的参数的可靠性。结果表明,在能级拟合时如果把g因子纳入考虑,可以增加参数的准确性。在第四章中,我们结合第一性原理计算和晶体场参数化模型分析,对Ce3+掺杂的硅酸锶(Sr3Si05和Sr2Si04)的结构和光谱性质进行了研究。首先,我们通过基于超单胞模型的DFT总能计算,对Ce3+掺杂的硅酸锶晶体进行几何构型优化,研究Ce3+格位的局域结构和稳定性。然后根据优化的晶体结构,构造以Ce3+为中心的镶嵌团簇模型,进行CASSCF/CASPT2/RASSI计算,得到Ce3+的4f和5d能级以及波函数信息。将计算的4f→5d跃迁能量和实验光谱比较,获得了很好的一致性。根据计算的能级和波函数,构造有效哈密顿量,并结合Ce3+的4f和5d组态的参数化哈密顿量,求解出Ce3+的晶体场参数。最后基于参数化哈密顿量,计算了Ce3+最低的4f和5d能级的各向异性g张量及其主值,并且通过波函数的分析确定了g张量主值乘积的符号。在第五章中,我们基于第一性原理计算和晶体场参数化模型分析的结合,研究了KMgF3晶体中五种Ce3+中心的格位占据、局域配位结构、4f和5d能级、晶体场参数和g因子,对Ce3+中心的电荷补偿机制给出了与实验光谱和ESR均一致的解释。首先,基于超单胞模型的DFT总能计算,对Ce3+掺杂的KMgF3晶体进行几何构型优化,并且分析了不同Ce3+格位的稳定性。其次,通过基于镶嵌团簇模型的CASSCF/CASPT2/RASSI计算,得到了五种Ce3+中心的4f和5d能级以及相应的波函数,进而求解出Ce3+的晶体场参数和能级g因子。根据计算的4f→5d跃迁能量对实验光谱进行了指认,获得了很好的一致性。最后,通过对实验数据和理论计算结果的综合分析,对KMgF3中的Ce3+中心进行了指认,并且将四种占据K+格位的Ce3+中心与ESR联系起来,尤其是将文献中被指认为占据Mg2+格位的Ce3+中心重新指认为占据K+格位。最后,我们对本论文的研究工作进行了总结,并对目前的研究方法和有待改进的地方进行了分析和讨论。本论文的研究工作表明,第一性原理计算和晶体场参数化模型分析的结合,是研究稀土离子掺杂的无机体系的结构、光谱和顺磁性质的有效方法。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2016-05-01）
潘泰松[5]（2016）在《二维层状晶体场效应器件电学性质的温度效应研究》一文中研究指出近年来,受制于传统硅材料的物理极限,硅基微电子器件要继续遵循摩尔定律进行发展面临着极大的困难。二维层状材料,包括石墨烯和金属硫属化合物,因其具有优异的电子迁移率、独特的光电性能、原子级厚度等特点,被视作可替代传统硅材料的下一代微电子器件材料。而对硅基微电子器件的研究表明,器件在工作中由于热量积累造成的器件温度升高会导致器件一系列的性能变化。硅基微电子器件中的热效应已经对器件进一步发展产生了限制。因而在目前二维层状材料还处于应用研究初期的阶段,及早地对利用二维层状材料所形成的微电子器件性能与器件温度变化的关系进行研究,无疑有助于未来这一类新兴电子器件的实际应用和推广。而在种类繁多的微电子器件中,场效应器件是一种基础性器件。因此,针对二维层状材料,选取场效应器件作为研究对象来对微电子器件的温度效应进行研究,是非常必要的。针对这一问题,本论文分别对两种典型的二维层状材料场效应器件,石墨烯场效应器件和金属硫属化合物SnS_(2-x)Se_x场效应器件的温度效应,有重点地展开了一些研究工作。通过对石墨烯场效应器件温度效应的研究,发现了石墨烯场效应器件在长时间工作时自发热引起的沟道电阻不稳定性,分析了这种不稳定性的成因。在成功实现了高导热AlN介电层薄膜制备的基础上,通过用其作为器件的介电层,有效的抑制了沟道中热量的积累,减弱了沟道电阻不稳定性。利用化学气相输运法合成了不同化学组分比的SnS_(2-x)Se_x层状晶体,对相应的场效应器件在不同温度下的转移特性和输出特性进行了系统的表征和分析。通过对输运特性的分析和相关理论计算,解释了S/Se比例对晶体在不同温度下输运特性和晶体激活能影响。在石墨烯场效应器件的温度效应问题上,首先对Si(001)上高导热AlN薄膜的射频反应溅射制备工艺进行了研究。通过对溅射功率的优化控制,观察到通过适当调高溅射功率,可以有利于高能Al-N键的形成,从而得到c轴择优取向的AlN薄膜。结合考虑氧杂质和晶界的散射模型及薄膜热导率测试数据,分析了反应溅射气氛中Ar/N2流量比对薄膜热导率的影响,得到了优化的反应溅射气氛。通过对不同衬底温度下生长的Al N薄膜热导率以及AlN与Si衬底界面微结构的表征,结合串联热阻模型和散射模型解释了衬底加热温度-界面微结构-热导率叁者之间的相互关系。通过提高衬底加热温度,抑制AlN/Si界面处非晶AlN层的形成,成功制备了热导率可达26.7 W/mK的高导热介电层薄膜。在实现了高导热AlN介电层薄膜制备的基础上,对石墨烯场效应器件在80 K至300 K温度区间内存在大气环境杂质时的自发热效应表现进行了测试和分析。发现当石墨烯场效应器件在0.5 W功率下工作500 s过程中,器件的沟道电阻在器件处于p型导电态和n型导电态时会分别呈现工作时逐渐上升和下降的变化。通过对器件工作前后电中性点电压的测量以及输运机理的讨论,得出这一沟道电阻不稳定性的来源是石墨烯场效应器件由于自发热效应造成沟道中p型杂质解吸附,进而使石墨烯上载流子的浓度产生了变化。通过比较SiO2薄膜和AlN薄膜分别作为介电层的石墨烯场效应器件在80 K至300 K温度区间下不同的沟道电阻变化规律及两种薄膜的热物性,表明通过将介电层替换为高导热AlN介电薄膜可以有效地抑制沟道电阻在长时间工作时的不稳定变化。在对金属硫属化合物SnS_(2-x)Se_x场效应器件的研究中,利用化学气相输运法制备了不同Se含量的SnS_(2-x)Se_x层状晶体,并对相应的场效应器件在90 K至295 K温度区间下的转移特性和输出特性进行了表征。发现在90 K至295 K的整个温度区间,随着Se含量的升高,在x≥1.2时,器件在栅压为-50 V至50 V范围内基本无法实现“关断”。沟道中晶体与器件金属电极之间的接触类型也会随着Se含量的升高发生由近似欧姆接触向肖特基接触的转变。从能带结构变化的角度出发,对Se含量变化与器件在不同温度下性能变化的关系进行了解释,表明Se含量的增加实际上属于一种n型掺杂。基于所测得的器件沟道电阻与温度的关系,从实验和理论计算两方面分析了Se含量对晶体激活能大小的影响,表明利用类氢模型能够较为准确的描述Se含量变化对能带结构的影响。而这种能带结构的变化本质上是Se含量不同所造成的晶体介电常数改变主导的晶体激活能变化。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-04-20）
吴海娜,公卫江,易光宇,魏国柱[6]（2015）在《纵向横向晶体场中自旋为1的量子伊辛二聚化链的基态》一文中研究指出研究纵向横向晶体场中自旋为1的量子伊辛自旋二聚化链的基态,发现模型存在一种隐藏的守恒量.采用Jordan-Wigner变换可将其严格映射到自旋为1/2的横场伊辛模型,得到基态能谱的严格解析表达式,给出最小费米激发能隙、最小空穴激发能隙、横向磁矩、横向统计磁化率、最近邻纵向自旋关联函数及基态相图.结果表明:系统的基态强烈依赖于系统的参数,当晶体场二聚化强度变化时系统会呈现一系列量子相变现象.(本文来源于《计算物理》期刊2015年03期）
刘颖,台睿,刘跃[7]（2015）在《晶体场与磁学性质》一文中研究指出深入讨论了晶体场与材料磁学性质之间的关系并且给出了必要的数学推导。内容包括晶体场与轨道磁矩湮灭、磁各向异性的关系,以及通过波谱数据与磁学测量求晶体场参数。(本文来源于《化学教育》期刊2015年06期）
高进云,孙敦陆,罗建乔,李秀丽,刘文鹏[8]（2014）在《高浓度Er~(3+)掺杂Y_3Sc_2Ga_3O_(12)晶体的吸收光谱与晶体场模型研究》一文中研究指出采用提拉法生长出了高浓度掺铒(35 at%)钇钪镓石榴石(Er:YSGG)激光晶体.测试了该晶体在340—1700 nm波段内的吸收光谱,对其中Er3+的实验能级进行了分析指认.用Er:YSGG的102个实验Stark能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差(拟合精度)σ为10.34 cm-1.结果表明,参数化Stark能级的拟合结果与实验光谱符合得较好.将拟合得到的Er:YSGG实验结果与文献中已报道Er:YAG的自由离子参数和晶体场参数进行了比较.指出Er:YSGG具有较强的晶体场相互作用或许是其激光效率较高的主要原因之一.(本文来源于《物理学报》期刊2014年14期）
冯文林,刘青松,张伟杰,吕立康,崔跃[9]（2014）在《黄绿色荧光粉CaWO_4∶Pr~(3+)的发光性质与晶体场分析》一文中研究指出采用共沉淀法成功制备了新型黄绿色荧光粉Ca1-x WO4∶xPr3+(摩尔分数x=0.1%,0.3%,0.5%,0.7%)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱等测试手段进行了结构、形貌和光致发光研究。结果表明:黄绿色荧光粉CaWO4∶Pr3+具有四角白钨矿类结构,空间群为I41/a,其表面形貌较规则、粉粒大小为5~20μm。CaWO4∶Pr3+可被487nm蓝光有效激发,其发射光谱由一系列锐谱组成,分别位于530nm(3P1→3 H5)、547nm、555nm(3P0→3 H5)、602nm(1 D2→3 H4)、618nm、637nm(3P0→3 H6)和648nm(3P0→3F2)。当摩尔分数达到0.5%时样品光致发光最强。样品的色坐标为(x=0.39,y=0.55),表明所发光为黄绿光。为了更好的理解CaWO4∶Pr3+的荧光谱,建立了包括4f2电子组态的自由离子和晶体场相互作用的91×91阶能量哈密顿量矩阵,在理论上合理地解释了Pr3+离子在CaWO4晶体中四角(S4)Ca2+晶位的光谱数据,所得理论值与实验结果吻合较好。(本文来源于《光学学报》期刊2014年04期）
周玉兰[10]（2013）在《掺铒钒酸钇晶体的晶体场能级和等效g因子的分析》一文中研究指出钒酸钇（YVO4）是一种正单轴晶体，有着良好的光学性能、温度性能和机械性能，且是稀土金属发光材料的良好基质。稀土金属铒（Er）独特的光学性质，导致Er:YVO4晶体最近得到大量研究。研究清楚Er:YVO4晶体中Er3+能级的结构，对于理解该晶体的发光特性有着重要的意义。光致发光是荧光物质吸收外界激发光能量跃迁到高能态，再由高能态跃回基态而发出光的过程。光致发光可以从实验上探测Er:YVO4单晶中发光中心Er3+离子的能级结构，而晶体场点电荷模型可以从理论上计算Er3+离子的能级结构。本文从晶体场库伦势和微扰理论出发，逐步演绎了晶体场电荷模型的计算过程，然后再根据微扰理论和晶体场计算得到的能级本征态，给出了等效g因子的计算方法。文中以Er:YVO4单晶为例，计算了其晶体场能级和各能级对应的平行g因子g和垂直g因子g⊥。最后作者还设计了实验样品杆和实验光路图，并测量了不同脉冲强磁场下Er:YVO4晶体的光谱。通过数据处理，得到Er:YVO4晶体各谱线随磁场强度变化的关系，以此验证了理论计算结果的正确性。本文理论创新点有：（1）将C-G系数推广到多个角动量之间耦合的情形，同时利用升降算符运算推导了两个或以上角动量耦合的C-G系数的计算方法。（2）给出了势能算符Vqk推导对应的Steven等价角动量算符j qk的一般方法。（3）定义并证明了四条与等价角动量算符相关的结论。(本文来源于《华中科技大学》期刊2013-01-01）
晶体场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近红外长余辉材料发光波长处于生物组织透过窗口范围内(650-950 nm),在活体应用中具有生物组织吸收少、穿透深度大等优点,通过余辉成像,可以避免激发光对生物组织的荧光背景干扰,利于提高成像质量。本文采用燃烧法制备了不同Cr~(3+)离子掺杂浓度的钆铝酸钙(CaGdAlO_4:x%Cr~(3+))近红外长余辉发光材料,采用X射线衍射、扫描电子显微镜、激发和发射光谱等技术手段,研究了不同取代格位,不同的掺杂浓度,不同的热处理条件对材料光学特性的影响。研究结果表明:不同掺杂浓度的Cr~(3+)取代Gd~(3+)离子的CaGdAlO_4:x%Cr~(3+)(x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5)近红外长余辉发光材料。所有样品均为单一纯相的荧光粉。在610 nm波长光的激发下,在650 nm-850 nm的范围内具有较强的近红外宽带发射,并迭加若干窄带,最强发射峰位于744 nm。对近红外长余辉发光最优化浓度(CaGdAlO_4:1.5%Cr~(3+))分别进行真空、空气和氮气气氛下800 ~oC处理2 h。结果发现,经过氮气和空气气氛处理后样品的光致发光及长余辉发光变化较小,而在真空气氛下热处理后的CaGdAlO_4:1.5%Cr~(3+)荧光粉,在发光强度和近红外长余辉特性都有显着地增加,余辉时间超过300秒。不同掺杂浓度的Cr~(3+)离子取代Al~(3+)的CaGdAlO_4:x%Cr~(3+)(x=0.1,0.5,1.0,1.5,2.0)近红外长余辉发光材料。所有样品都为单一纯相。在592 nm的激发下,650-850 nm范围内出现了极大值位于744 nm的近红外宽带发射,并迭加有若干窄带近红外发射。近红外发光强度随着Cr~(3+)的掺杂浓度的增加呈先增加后下降的趋势,最佳掺杂浓度为1.0%。对上述优化浓度的样品经真空气氛800 ~oC热处理后,发现样品的平均晶粒尺寸由417 nm增大到843 nm,发光强度增强了2倍。实验发现,在CaGdAlO_4基质中,Cr~(3+)取代了处于弱晶体场环境的Al~(3+)格位。通过晶体场参数计算和光谱分析,指认了样品光致发光的起源。通过激发光谱数据的计算,发现晶体场强度Dq/B=1.54<2.3,理论计算表明Cr~(3+)离子处于较弱的晶体场格位环境,与实验研究结果相符合。发射光谱中670 nm宽带发射可归属为~4T_2→~4A_2的零声子线,744 nm和756 nm宽带发射对应于~4T_2→~4A_2的声子边带跃迁。热处理后的样品,余辉时间超过了300秒。尤其,与Cr~(3+)离子处于中等和强晶体场格位的情形相比(发光峰位于697 nm),处于弱晶体场环境的Cr~(3+)离子近红外发射峰的极大值移动到744nm,更接近于第一生物窗口的中央,这将更有利于生物医学成像的应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体场论文参考文献
[1].刘煊赫,吴静.晶体场理论有效教学的探索与实践[J].广东化工.2019
[2].张楠.近红外长余辉材料CaGdAlO_4:Cr~(3+)的制备、光学特性及晶体场分析[D].东北师范大学.2019
[3].鲍洪亮,段佩权,张林娟,周靖,李炯.HERFD-XANES技术探测氧化钍6d轨道的晶体场效应[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第8册（锕系物理与化学分卷、同位素分卷、辐射研究与应用分卷、核技术工业应用分卷、核农学分卷、核医学分卷）.2017
[4].程军.掺稀土无机体系晶体场和顺磁参量的第一性原理研究[D].中国科学技术大学.2016
[5].潘泰松.二维层状晶体场效应器件电学性质的温度效应研究[D].电子科技大学.2016
[6].吴海娜,公卫江,易光宇,魏国柱.纵向横向晶体场中自旋为1的量子伊辛二聚化链的基态[J].计算物理.2015
[7].刘颖,台睿,刘跃.晶体场与磁学性质[J].化学教育.2015
[8].高进云,孙敦陆,罗建乔,李秀丽,刘文鹏.高浓度Er~(3+)掺杂Y_3Sc_2Ga_3O_(12)晶体的吸收光谱与晶体场模型研究[J].物理学报.2014
[9].冯文林,刘青松,张伟杰,吕立康,崔跃.黄绿色荧光粉CaWO_4∶Pr~(3+)的发光性质与晶体场分析[J].光学学报.2014
[10].周玉兰.掺铒钒酸钇晶体的晶体场能级和等效g因子的分析[D].华中科技大学.2013
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