导读:本文包含了锂铌比论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:钪钌铁铌酸锂,晶体生长,缺陷结构,全息存储
锂铌比论文文献综述
王路平[1]（2019）在《钪含量和锂铌比对钪钌铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响》一文中研究指出本文中采用提拉法生长了同成分的不同Sc掺杂浓度(0,1,2,3 mol%)和不同[Li]/[Nb]比(0.94,1.05,1.20,1.38)的Sc:Ru:Fe:LiNbO_3晶体。确定了最佳的生长条件,解决了晶体生长过程中易出现裂纹等问题。后续通过极化,切割,研磨,抛光等工艺加工出测试的样品。通过X射线衍射和红外光谱测试晶体的缺陷结构和离子占位。通过X射线衍射发现改变Sc掺杂浓度和[Li]/[Nb]比在晶体中都没有产生新相,说明晶体结构没有改变,表明掺杂离子是以取代Nb位或Li位进入晶格。但由于掺杂离子的半径和极化能力等不同所以晶格常数发生了改变。红外吸收峰在变量改变较小的情况下在一定范围微小移动,但Sc掺杂浓度到3mol%,[Li]/[Nb]增加1.38时吸收峰发生明显向短波方向的移动。通过传统的双波耦合实验测试了一系列Sc:Ru:Fe:LiNbO_3晶体光折变性能。结果发现,随着Sc掺杂浓度的提高和[Li]/[Nb]比的提高,晶体的响应时间缩短,动态范围增大,光折变灵敏度增加,光折变性能提高。掺杂离子Sc与[Li]/[Nb]比都不会直接参与光激发载流子的运输过程而是通过影响离子的占位和缺陷浓度来对光折变性能产生影响。最后通过光致散射曝光阈值法测试了Sc:Ru:Fe:LiNbO_3晶体抗光损伤能力,发现随着Sc掺杂浓度的提高和[Li]/[Nb]的增加抗光散射能力增强,Sc掺杂超过阈值浓度后有显着的增强,样品ScRuFe-3曝光能量为280.77 J/cm~2相比较掺杂浓度为0的样品ScRuFe-0曝光能量为280.77 J/cm~2提升了两个数量级。[Li]/[Nb]比同样也能增加晶体的抗光损伤能力。同时Sc与[Li]/[Nb]比还有一定的协同作用,ScRuFe_(1.38)曝光能量为760.50 J/cm~2比样品ScRuFe-3还要高2.7倍。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
张欣[2]（2015）在《锂铌比变化锆铜铁叁掺铌酸锂晶体生长及全息存储性能》一文中研究指出近年来,信息技术的迅猛发展以及大数据时代的来临,对于数据存储容量与传输速度提出了更高的要求。体全息存储技术正是具有了这两种明显的优势,一直是国内外研究机构以及企业研究的热点。掺杂铌酸锂晶体作为一种潜在的体全息存储材料得到了广泛的研究。本论文以一系列锂铌比变化的锆铜铁叁掺铌酸锂晶体作为研究对象,系统地介绍了其生长、加工过程,阐明了掺杂离子在晶体中的占位情况,测试并分析了掺杂离子对其全息存储性能的影响,为研制性能优良的体全息存储材料提供了实验依据及理论指导。首先,通过提拉法生长了锂铌比变化的锆铜铁叁掺铌酸锂晶体,其[Li]/[Nb]分别为0.946、1.05、1.2以及1.38;利用内圆切割机和抛光机对晶体进行了切割以及研磨抛光加工。其次,利用X-射线粉末衍射、红外透射以及紫外吸收光谱对晶体缺陷进行了测试。分析了晶胞参数发生改变的原因、红外光谱吸收峰以及紫外光谱吸收边移动的机理,发现锆、铜、铁叁种掺杂元素的引入并未破坏晶体的基本结构;随着晶体中[Li]/[Nb]的增大,晶体OH-吸收峰逐渐发生紫移且在[Li]/[Nb]=1.05处出现3468 cm-1这一接近化学计量比的峰值;晶体的紫外吸收边则随着[Li]/[Nb]增大先发生紫移然后红移。再次,通过二波耦合光路实验测试了Zr:Cu:Fe:Li Nb O3晶体的衍射效率、写入及擦除时间,并计算得到了晶体的光折变灵敏度以及动态范围。随着[Li]/[Nb]的增加,衍射效率先增大后减小,灵敏度先减小后增大,而动态范围逐渐增大。同时,利用双光子存储测试了非挥发存储性能。最后,利用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光致散射能力。随着[Li]/[Nb]的增大,其抗光致散射能力先增大后减小。(本文来源于《燕山大学》期刊2015-05-01）
高洁[3]（2015）在《锂铌比变化的铪铜铁铌酸锂晶体的生长与光折变性能研究》一文中研究指出存储市场的巨大需求及光学体全息存储所具备的优势,使得全息存储得到了极大的关注。铌酸锂(Li Nb O3)晶体与其他存储材料相比具有样品制备成本低廉、晶体生长工艺成熟、且易于生长出大尺寸的样品、具有最大光折变系数、常温常压下性能稳定等特点。但是直接将Li Nb O3晶体用作全息存储还存在着易致光散射、衍射效率低等问题,制约其商品进程。通过提高晶体中的锂离子含量或是掺入一些变价元素等方式可以有效提升晶体的性能。本论文选取铪(Hf)、铜(Cu)、铁(Fe)叁种金属元素作为掺杂元素,生长出四种锂铌比([Li]/[Nb])情况的铌酸锂晶体,研究其生长工艺、缺陷结构、全息存储性能。首先,选取高纯度原料,采用成熟的提拉法生长出光学均匀性好且无宏观缺陷的铪铜铁铌酸锂(Hf:Cu:Fe:Li Nb O3)晶体样品,其[Li]/[Nb]分别为0.946、1.05、1.20、1.38,并对晶体样品进行极化、切割、研磨抛光等一系列加工工艺,制作出使用于光学实验的样品。其次,以锂空位模型为基础,对制作的样品进行了红外光谱法、紫外-可见光吸收光谱以及X-射线衍射测试。研究发现,生长出的掺杂晶体仍为Li Nb O3晶体;红外吸收光谱的变化微小,得益于铪占锂位(Hf3+Li)与反位铌(Nb4+Li)相似的离子能力;紫外-可见光吸收谱的最终红移,是因[Li]/[Nb]到达1.38时,铪离子(Hf4+)达到阈值浓度,占据了正常锂位与铌位。最后,基于光折变效应方程,对制作的样品进行了二波耦合实验,得出四种样品的光折变性能参数;并对制作的样品进行抗光损伤的光学实验。实验结果表明样品的响应时间随[Li]/[Nb]增加而缩短;[Li]/[Nb]为1.05和1.38的晶体衍射效率相近且较大,但是后者的动态范围更大;而这两者的抗光损伤能力弱于比值为1.20的晶体样品。(本文来源于《燕山大学》期刊2015-05-01）
佟建强[4]（2015）在《锂铌比变化铪锰铁叁掺铌酸锂晶体生长及光折变性能研究》一文中研究指出光学体全息存储技术因具有存储密度高、存储容量大、存取速度快等优点备受瞩目,而体全息存储技术的实用化取决于存储材料的性能。Li Nb O3晶体作为一种潜在的体全息存储材料,响应速度慢、散射噪声强等缺陷限制了其进一步发展。研究发现,向晶体中掺入某些杂质离子或提高晶体中的锂铌比,可以有效地改善晶体的存储性能。因此,本文选择[Li]/[Nb]变化的Hf:Mn:Fe:Li Nb O3晶体作为研究对象,对其全息存储性能进行了系统的理论分析和实验研究。首先,采用提拉法生长了一系列熔体中[Li]/[Nb]为0.946、1.05、1.20和1.38的Hf:Mn:Fe:Li Nb O3晶体。生长出的晶体进行极化处理后,通过定向、切割、研磨、抛光等工艺加工成可用于体全息存储的晶体试样。其次,利用X-射线粉末衍射技术对晶体样品进行物相分析,测定晶体结构,结果表明:Hf:Mn:Fe:Li Nb O3晶体仍保持原有的晶体结构,但晶格常数略有变化;同时,为弄清掺杂离子在晶体中的占位情况,测试了晶体的红外透射光谱和紫外-可见吸收光谱。从测试结果可以看出:随着[Li]/[Nb]比的提高,晶体OH-吸收峰的位置没有发生明显改变,晶体基础吸收边则出现先紫移再红移现象。再次,搭建二波耦合实验光路,测试了晶体在532 nm波段下的光折变性能,包括衍射效率、写入时间和擦除时间,并计算了晶体的光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Hf:Mn:Fe:Li Nb O3晶体光折变性能良好,[Li]/[Nb]对晶体的各项性能参数具有很大的调节作用。最后,采用透射光斑畸变法研究了晶体在532 nm波段下的抗光致散射性能。研究表明:Hf:Mn:Fe:Li Nb O3晶体具有较强的抗光损伤阈值,通过提高[Li]/[Nb]可以有效地抑制晶体中的散射噪声。(本文来源于《燕山大学》期刊2015-05-01）
高丽玮,孟庆鑫,石宏新,孙秀冬[5]（2010）在《锂铌比对铪铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响》一文中研究指出以掺杂4mol%Hf4+的LiNbO3:Fe:Hf系列晶体([Li]/[Nb]比变化)为研究对象,研究了系列晶体的可见吸收光谱,在632.8nm的写入光下晶体的衍射效率、灵敏度和抗光散射能力在不同[Li]/[Nb]下的变化规律.研究发现Hf4+的浓度达到阈值浓度后,随着[Li]/[Nb]比的增大,晶体的可见吸收边会发生红移,而且晶格中[Fe2+]/[Fe3+]也会增加,这就导致随着[Li]/[Nb]比的增加,样品的衍射效率逐渐减小,写入时间缩短,灵敏度增大.同时,在晶体中,随着[Li]/[Nb]的增大,陷阱中心Fe2Li+数量增大会使得晶体抗光散射能力减弱.(本文来源于《光子学报》期刊2010年07期）
高丽玮[6]（2009）在《铪含量及锂铌比对Hf：Fe：LiNbO_3晶体缺陷结构和存储性能的影响》一文中研究指出光学相关识别的应用领域极为广泛,选择合适的存储材料是实现大容量体全息存储和准确识别的关键问题。Hf:Fe:LiNbO_3晶体在提高响应速度和抗光散射能力的同时仍具有较高的衍射效率和灵敏度,使该晶体更适用于全息图像存储及光学相关识别。通过对可见-紫外光谱及X-射线衍射谱的分析发现,Hf~(4+)离子的掺杂不会改变铌酸锂晶体的晶格结构,但会使得晶格常数有所变化;掺杂浓度的不同会引起晶体吸收边变化。在掺HfO_2量不变的Hf(4mol.%):Fe:LiNbO_3晶体中,随着[Li]/[Nb]比的增大晶格常数及晶胞体积先增大后减小,吸收边红移。在[Li]/[Nb]比不变的同成分Hf:Fe:LiNbO_3晶体中,随掺铪量的增大,晶格常数及晶胞体积均增大,吸收边先紫移后红移。利用二波耦合实验研究了Hf:Fe:LiNbO_3系列晶体的全息存储性能。实验发现:随掺Hf量的增加,衍射效率、光折变灵敏度、响应速度、擦除时间先减小后增大,随[Li]/[Nb]比增加样品的衍射效率先增加后减小,写入时间缩短,灵敏度增大。研究了实验条件对晶体全息存储性能的影响。衍射效率最大值随两光束夹角的增加先增大后减小;还原处理后的晶体写入时间减少了一个数量级。晶体材料的散射噪声限制了识别准确率的提高。文中分析了泵浦光对不同晶体材料产生的散射噪声,并用光斑畸变法测试了晶体的抗光散射能力。研究了不同泵浦光束类型对晶体材料散射噪声、光斑畸变量的影响,结果表明,高斯光是最适宜做全息记录的泵浦光。光强不仅影响晶体的全息存储性能,还影响识别参数的大小。选择合适的光强有利于优化识别结果。用光学全息匹配滤波器采用角度复用方式测试了能进行准确识别的最小角间隔,发现采用边缘提取图像和选择适当的角度间隔有助于提高识别准确率。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2009-06-01）
锂铌比论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,信息技术的迅猛发展以及大数据时代的来临,对于数据存储容量与传输速度提出了更高的要求。体全息存储技术正是具有了这两种明显的优势,一直是国内外研究机构以及企业研究的热点。掺杂铌酸锂晶体作为一种潜在的体全息存储材料得到了广泛的研究。本论文以一系列锂铌比变化的锆铜铁叁掺铌酸锂晶体作为研究对象,系统地介绍了其生长、加工过程,阐明了掺杂离子在晶体中的占位情况,测试并分析了掺杂离子对其全息存储性能的影响,为研制性能优良的体全息存储材料提供了实验依据及理论指导。首先,通过提拉法生长了锂铌比变化的锆铜铁叁掺铌酸锂晶体,其[Li]/[Nb]分别为0.946、1.05、1.2以及1.38;利用内圆切割机和抛光机对晶体进行了切割以及研磨抛光加工。其次,利用X-射线粉末衍射、红外透射以及紫外吸收光谱对晶体缺陷进行了测试。分析了晶胞参数发生改变的原因、红外光谱吸收峰以及紫外光谱吸收边移动的机理,发现锆、铜、铁叁种掺杂元素的引入并未破坏晶体的基本结构;随着晶体中[Li]/[Nb]的增大,晶体OH-吸收峰逐渐发生紫移且在[Li]/[Nb]=1.05处出现3468 cm-1这一接近化学计量比的峰值;晶体的紫外吸收边则随着[Li]/[Nb]增大先发生紫移然后红移。再次,通过二波耦合光路实验测试了Zr:Cu:Fe:Li Nb O3晶体的衍射效率、写入及擦除时间,并计算得到了晶体的光折变灵敏度以及动态范围。随着[Li]/[Nb]的增加,衍射效率先增大后减小,灵敏度先减小后增大,而动态范围逐渐增大。同时,利用双光子存储测试了非挥发存储性能。最后,利用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光致散射能力。随着[Li]/[Nb]的增大,其抗光致散射能力先增大后减小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锂铌比论文参考文献
[1].王路平.钪含量和锂铌比对钪钌铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响[D].哈尔滨理工大学.2019
[2].张欣.锂铌比变化锆铜铁叁掺铌酸锂晶体生长及全息存储性能[D].燕山大学.2015
[3].高洁.锂铌比变化的铪铜铁铌酸锂晶体的生长与光折变性能研究[D].燕山大学.2015
[4].佟建强.锂铌比变化铪锰铁叁掺铌酸锂晶体生长及光折变性能研究[D].燕山大学.2015
[5].高丽玮,孟庆鑫,石宏新,孙秀冬.锂铌比对铪铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响[J].光子学报.2010
[6].高丽玮.铪含量及锂铌比对Hf：Fe：LiNbO_3晶体缺陷结构和存储性能的影响[D].哈尔滨工业大学.2009