导读:本文包含了临界面内场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:布洛赫,内场,临界,哑铃,温度,论文,软畴段。
临界面内场论文文献综述
顾建军,李春光,孙会元[1]（2007）在《软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系》一文中研究指出研究了软畴段的分界面内场与叁类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。(本文来源于《承德石油高等专科学校学报》期刊2007年04期）
顾建军,杨素娟,封顺珍,孙会元[2]（2006）在《硬磁泡临界面内场的重新测定》一文中研究指出实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年06期）
刘素平,徐建萍,聂向富[3]（2004）在《温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响》一文中研究指出实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年01期）
徐建萍,刘素平,聂向富[4]（2004）在《温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响》一文中研究指出实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年01期）
临界面内场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
临界面内场论文参考文献
[1].顾建军,李春光,孙会元.软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系[J].承德石油高等专科学校学报.2007
[2].顾建军,杨素娟,封顺珍,孙会元.硬磁泡临界面内场的重新测定[J].河北师范大学学报.2006
[3].刘素平,徐建萍,聂向富.温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响[J].河北师范大学学报.2004
[4].徐建萍,刘素平,聂向富.温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响[J].河北师范大学学报.2004
论文知识图
