磁偏转电子束蒸发源的研发

磁偏转电子束蒸发源的研发

论文摘要

本文介绍了自主研发的磁偏转电子束蒸发源,主要构造有电子束发射及偏转组件、水冷组件和坩埚换位组件等,设备集成在6英寸的超高真空刀口法兰上,可安装3个坩埚。整体构造通过CST粒子仿真软件进行了优化设计。该蒸发源可发射电子,并通过对电子的加速、偏转和聚焦实现对固体源材料的轰击加热。电子束能量最高为40keV,可用于蒸发几乎所有的金属材料。测试结果显示,坩埚温度和电子束电流成正比例对应关系,蒸发速率稳定,各项性能指标达到设计要求。

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 马自达,陈欣,吴祖光,臧侃,郭方准

关键词: 薄膜,蒸发源,仿真,磁偏转,超高真空

来源: 科学技术创新 2019年08期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑

专业: 物理学

单位: 大连交通大学先进装备技术研究所

分类号: O441

页码: 129-130

总页数: 2

文件大小: 882K

下载量: 54

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