一维Si/SiO2光子晶体在近红外波段滤波特性研究

论文摘要

设计了一种结构为（Si/SiO2）ND（Si/SiO2）N的一维光子晶体滤波器,利用传输矩阵法,理论模拟了其在近红外波段的滤波特性。通过比较两种不同缺陷层材料Si与SiO2发现:低折射率缺陷SiO2的结构透射峰的峰值更高;当缺陷的厚度增加时,透射峰的半高宽和峰值能够保持稳定。对于两种缺陷材料的结构,在缺陷厚度保持不变时,随着入射角的增加,TE模式下禁带短波长处的禁带边沿蓝移量大于长波处,禁带中透射峰的峰值降低且半高宽减小;TM模式下禁带长波长处的禁带边沿蓝移量大于短波处,半高宽增加,且入射角度从0°到60°变化时可有效增加透射峰高度。本研究分析缺陷层厚度和入射角度两种调谐方式对于近红外波段滤波性能的影响,为近红外波段光子晶体滤波器的应用提供了理论依据。

论文目录

• 1 光子晶体结构模型和数值计算方法
• 2 数值模拟结果与讨论
•   2.1 一维光子晶体的透射谱和反射谱
•   2.2 缺陷材料折射率对透射谱的影响
•   2.3 缺陷厚度对透射谱的影响
•   2.4 入射角度对透射谱的影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 有毅,赵晓丹,杨毅彪,张明达,白雅婷

关键词: 光子晶体滤波器,传输矩阵法,近红外波段,角度调谐

来源: 太原理工大学学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 物理学,化学

单位: 太原理工大学物理与光电工程学院,太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室

基金: 国家自然科学基金资助项目(61575138,11704275),山西省自然科学基金资助项目(201601D202013)

分类号: O734

DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2019.03.021

页码: 394-399

总页数: 6

文件大小: 1497K

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