论文摘要
采用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究具有缺陷结构的锯齿型石墨烯纳米带电输运性质。系统地分析不同形状(菱形和正方形)以及不同边长的缺陷对其电输运性质影响,为石墨烯分子器件电输运特性的调控设计提供有效的理论支持。研究表明,缺陷对石墨烯纳米带的电输运性质能起到明显的调制作用。在低偏压下完美的石墨烯纳米带的电流高于具有缺陷结构的石墨烯纳米带,而在高偏压下具有缺陷结构的石墨烯纳米带的电流则高于完美的石墨烯纳米带。对于菱形缺陷,边长越大电流越大;对于正方形缺陷,边长越大电流越小。同时,四原子边缘菱形缺陷结构在偏压区间1.0～1.5 V内显示出了负微分电阻效应。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 马越,夏蔡娟
关键词: 石墨烯纳米带,缺陷结构,电子输运,非平衡格林函数
来源: 纺织高校基础科学学报 2019年01期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 无机化工,材料科学,无线电电子学
单位: 西安工程大学理学院
基金: 国家自然科学基金青年科学基金项目(11504283,21503153),陕西省自然科学基金(2014JM1025),陕西省科技之星计划(2016KJXX-45)
分类号: TN40;TQ127.11;TB383.1
DOI: 10.13338/j.issn.1006-8341.2019.01.014
页码: 77-81+94
总页数: 6
文件大小: 2747K
下载量: 148
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