导读:本文包含了金属绝缘体转变论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:绝缘体,金属,二氧化,各向异性,磁体,原位,氧化物。
金属绝缘体转变论文文献综述
宋创业,Iftikhar,Ahmed,Malik,李梦蕾,张庆华,王立辰[1]（2019）在《可控氧化方法制备的锰氧化物中隐藏的金属-绝缘体转变研究（英文）》一文中研究指出氧在调节复杂氧化物中的相结构和功能方面扮演着重要的角色,比如高温超导体、庞磁电阻、催化等,人们急需在这些功能氧化物中实现有效且可控的氧含量调控.在此工作中我们通过改变气体氛围温度来精确的调控氧化活性,从而实现一种新的化学辅助的高质量外延薄膜的制备方法.以钙钛矿锰氧化物La_(0.5)Sr_(0.5)MnO_3(LSMO)为例,通过调控薄膜样品中氧的化学计量比,我们首次发现了该体系中隐藏的由相竞争产生的金属-绝缘体转变.氧组分引起的Mn离子间的交换相互作用以及载流子浓度的变化可能是此相转变产生的原因,这与第一性原理计算十分符合.不同于传统的阳离子掺杂,有效的阴离子(O~(2-), S~(2-)等)调节提供了一种新的实现复杂氧化物外延薄膜中调控相结构和功能的技术手段.(本文来源于《Science China Materials》期刊2019年04期）
薛晓晚,杨影影,秦圆,吴爱民,王旭东[2]（2019）在《第一性原理计算绝缘体-金属转变临界掺杂浓度:Co重掺杂Si体系》一文中研究指出基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能级,杂质能级的位置和宽度随着Co浓度的增加呈线性变化.当Co掺杂浓度较高时杂质形成能逐渐稳定,且杂质能级穿过费米能级使体系表现出金属性.综合杂质形成能的变化趋势,以及杂质能级极小值与费米能级间的距离条件,可预测出发生绝缘体-金属转变的Co掺杂浓度为2.601Wingdings 2MC@10~(20) cm~(-3),与实验结果相一致.上述两条依据应用于S重掺杂Si体系和Se重掺杂Si体系同样成立.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2019年02期）
王泽霖,张振华,赵喆,邵瑞文,隋曼龄[3]（2018）在《电触发二氧化钒纳米线发生金属-绝缘体转变的机理》一文中研究指出二氧化钒(VO_2)是一种强关联相变材料,在341 K下发生金属-绝缘体转变.尽管对于VO_2相变的物理机理进行了大量研究,但科学家仍未形成统一认识.与热致VO_2相变相比,电触发VO_2相变应用前景更为广阔,但其机理也更为复杂.本文利用原位通电杆和超快相机技术,在透射电镜下原位观察了单晶VO_2纳米线通电时的相转变过程,记录了相变过程中对应的电压-电流值,并在毫秒尺度下捕捉到了VO_2的过渡相态.发现VO_2电致相变并非由焦耳热引起,推断其机理是载流子注入.同时观察到电子结构相变和晶体结构相变存在解耦现象,进一步支持了上述推断.将VO_2纳米线两端施加非接触式电场,观察到VO_2纳米线在电场中的极化偏移,而未观察到相变发生,该现象同样支持相变的载流子注入机理.研究表明VO_2的金属-绝缘体转变遵循电子-电子关联机理,即根据电子关联的Mott转变进行.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期）
徐胜,朱自猛,顾艳妮,陈娟,张小立[4]（2018）在《Nb掺杂导致LaMnO_3绝缘体-金属转变的第一性原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,系统研究了Nb掺杂LaMn_(1-x)Nb_xO_3(x=0,0. 25,0. 5,0. 75)的结构和电磁性质.计算结果表明,所有的LaMn_(1-x)Nb_xO_3都稳定在正交结构. LaMn_(1-x)Nb_xO_3当x <0. 5时为A型反铁磁绝缘体,在x=0. 5和0. 75时为G型反铁磁金属.随着Nb掺杂量增加,当x=0. 5时掺杂电子占据导带的底部,系统产生绝缘体-金属转变.这意味着LaMn_(1-x)Nb_xO_3在电子器件上可能有重要的应用.另外,LaMn_(1-x)Nb_xO_3在x=0. 25和0. 75时出现了自旋玻璃行为.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2018年05期）
焦媛媛[5]（2018）在《高轨道过渡金属氧化物中金属—绝缘体转变的调控研究》一文中研究指出金属-绝缘体相变(MIT)是强关联电子物理中非常重要的宏观量子现象。以3d过渡金属氧化物为代表的强关联电子体系中,通过适当掺杂载流子或者施加化学或物理压力展宽能带,可以实现Mott绝缘体的金属化。在MIT转变区域,电子兼具局域和巡游特性,电荷、自旋、轨道和晶格等量子自由度存在强烈的耦合与竞争,且各种相互作用能量尺度接近,对外部激励的响应异常敏感,很容易调控各种相互作用能量之间的微妙平衡,实现不同量子态之间的转变,进而诱发诸如高温超导和庞磁电阻等奇特的物理现象。因此,MIT及其综合外场调控一直是强关联电子领域的重点研究内容。相对于3d过渡金属氧化物,4d和5d轨道电子更接近局域-巡游过渡区域,而且自旋-轨道耦合作用显着增强,几乎与在位库伦能U和能带宽度W的能量尺度相当,造成了许多新颖的电、磁学性质。因此,本论文针对多个具有金属-绝缘体转变的4d/5d过渡金属氧化物体系进行了系统的调控研究,试图揭示MIT相变机制以及相关现象的物理现象。取得的主要结果包括:1.针对烧绿石Cd_2Ru_2O_7在反铁磁有序温度以下出现的反常金属态,我们利用高压合成了Cd_2Ru_2O_7和系列Cd位掺杂的Cd_(2-x)A_x Ru_2O_7(A=Ca,Pb)多晶样品,并进行了详细的高压和物性研究。我们发现无论是对Cd_2Ru_2O_7施加~1 GPa的静水压还是用~10%的Ca~(2+)或者Pb~(2+)取代Cd~(2+),都会破坏Cd_2Ru_2O_7的反铁磁金属基态,取而代之的是反铁磁绝缘基态,这表明Cd_2Ru_2O_7的反铁磁金属基态是非常不稳定的。我们提出,Cd_2Ru_2O_7中的Ru~(5+)-4d~3电子态恰好处于巡游到局域电子过渡的区域,施加较小静水压可以增强Cd-O杂化,增加Ru-4d电子的局域性,而少量Ca~(2+)或Pb~(2+)掺杂造成的晶格无序也可以增强Ru-4d电子的局域性,这都使得Cd_2Ru_2O_7的金属态被抑制,转变为反铁磁绝缘态。2.具有烧绿石结构的Tl_2Ru_2O_7在120 K附近发生伴随结构相变的MIT,对其晶体结构的分析表明,其低温下可能形成准一维自旋为1的Haldane自旋链。我们利用高压合成了Tl_2Ru_2O_7多晶样品,并对其MIT进行了高压和化学掺杂的调控研究。我们发现,随着压力的增加,MIT温度首先向低温移动,然后在1GPa以上迅速向高温移动,同时电阻曲线上的MIT也变得不明显。这可能是由于压力会稳定Tl_2Ru_2O_7中的轨道序,增加准一维Haldane自旋链的自旋能隙,从而逐渐稳定绝缘基态。而在(Tl_(1-x)Bi_x)_2Ru_2O_7体系中,随着Bi~(3+)掺杂量的增加,MIT逐渐被抑制,稳定了金属基态。这应该归因于Bi~(3+)-6s孤对电子的引入,通过与Ru-4d轨道电子的杂化破坏了其轨道序并展宽了能带,从而逐渐抑制了Tl_2Ru_2O_7的MIT,并稳定了金属基态。3.对于具有反铁磁绝缘体基态的Y_2Ru_2O_7烧绿石,我们系统研究了Y~(3+)位掺杂Bi~(3+)和Pb~(2+)离子对基态的调控规律,发现两者都会逐渐抑制反铁磁绝缘基态,转变为顺磁金属。对于等价态的Bi~(3+)掺杂,Bi~(3+)-6s~2孤对电子的引入对于增加电子载流子浓度、展宽能带进而诱导金属化起到关键作用;而Pb~(2+)掺杂造成的空穴掺杂应该是造成金属化的主要驱动力。4.利用高温高压方法合成了两种具有金红石型结构的化合物Cr_2ReO_6和CrReO_4,并详细表征了其晶体结构、电输运、磁性和磁结构等性质。二者均是具有3d-5d阳离子有序排列的化合物,随着温度减低会出现二级反铁磁相变,通过粉末中子衍射确定了二者的磁结构。电输运测量表明二者均是半导体,并符合Mott的变程跳跃导电机制,并且电阻率导数在反铁磁转变温度附近出现了较小的反常,表明在这种3d-5d电子耦合材料体系中存在自旋与电荷自由度之间的耦合。5.CrSb_2是窄带半导体,我们利用高温高压合成了CrSb_2的高压相,并对其物理性质进行了详细的研究。我们发现CrSb_2高压相转变为金属,而且在降温时会出现两个连续的磁转变,首先在~160 K发生铁磁转变,然后在~86 K出现反铁磁转变。在常压下施加外磁场,会逐渐抑制低温的反铁磁转变,在3T以上获得铁磁金属基态。而施加高压时,反铁磁转变迅速往高温移动,铁磁转变往低温移动,二者相遇后系统基态转变为反铁磁金属,进一步增加压力会逐渐抑制反铁磁转变,在~9 GPa时被完全压制,实现反铁磁量子临界点。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2018-06-01）
王凯[6]（2018）在《电荷掺杂调控VO_2薄膜金属—绝缘体转变的同步辐射研究》一文中研究指出VO_2具有接近室温的金属-绝缘体相变(MIT)温度(68 ℃),相变过程伴随着电学、光学、磁学性质的突变,其中蕴含丰富的物理内涵,对该相变行为的调控和机理的研究是当前的热门领域,其中对Peierls结构相变和Mott电子相变这两种机理的争论尤为突出。研究表明两种相变机理相辅相成,但哪一种机理处于主导地位仍不清楚。本文的研究目的是选用N离子注入和表面电荷掺杂这两种实验方法,考察Mott电子相变机制在VO_2相变过程中的作用。利用同步辐射光电子能谱(SRPES),近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)谱和变温拉曼光谱等技术研究了 N离子注入和分子(MoO_3,F4TCNQ)吸附的表面电荷掺杂方法对VO_2/Al2O_3薄膜的MIT行为、界面间的电子输运的影响以及在此基础上对VO_2的相变机理进行了讨论。论文的主要内容及相关结果如下:(1)利用离子注入的方法研究了不同的N离子掺杂浓度对VO_2薄膜结构和相变的影响,通过实验得到VO1.9N0.1和VO1.87N0.13两个掺N样品,与原始无掺杂的VO_2样品比较,其相变温度降低约18 ℃。对不同掺入浓度的样品进行XPS和UPS的测量以及V-L,O-K,N-K边的吸收谱测量,得到掺杂的N替代了 O的位置与V成键,并且N的掺杂为典型的p型掺杂,随着样品的空穴浓度增加,VO_2晶格V-V键强度减弱,产生相变需要的能隙降低,从而导致相变温度降低。(2)利用在VO_2表面原位生长MoO_3的方式研究了表面电荷掺杂方法对VO_2相变温度的调控作用,结果发现在MoO_3和VO_2界面处电子由VO_2向MoO_3转移,对VO_2形成了空穴掺杂。对样品电性能、结构、相变温度等进行测试发现,VO_2相变温度有效降低约7℃,但结构没有明显改变。对比不同厚度的VO_2薄膜样品的相变温度发现,薄膜越薄,相变温度降低越明显。结果表明MoO_3的吸附对VO_2薄膜来说是一种有效的空穴掺杂方法,能够很好地排除结构效应而独立研究电荷效应在VO_2相变过程中的影响。(3)通过四氟四氰基对苯二醌二甲烷(F4TCNQ)分子吸附引起的表面电荷转移研究了VO_2薄膜的MIT行为中的空穴掺杂效应。结果表明,与原始VO_2薄膜相比,F4TCNQ覆盖的VO_2样品的临界温度降低约4℃。表征结果显示,由于有效的空穴掺杂,F4TCNQ覆盖的VO_2样品的电子结构发生了明显变化,掺杂空穴改变了 V 3d轨道占有率,并削弱了电子-电子相关性,降低了结晶稳定能,因此有利于触发MIT在更低的临界温度发生。(4)利用SRPES和NEXAFS原位研究了氧气氛退火和F4TCNQ分子表面吸附反应对VO_2表面氧缺陷的修复机制,结果表明通过两种方式均能够使得VO_2薄膜样品氩刻后产生的V3+失去电子而被氧化成V4+,因而可以有效消除表面氧缺陷及其电子掺杂效应。同时F4TCNQ分子吸附引起电子由衬底向分子层转移,界面形成带负电荷的分子离子物种。尽管F4TCNQ分子吸附的表面修复效果与氧气氛修复效果一样,但受电化学性质的制约,分子吸附修复氧缺陷较氧气氛退火更安全,不会引起表面过度氧化形成V_2O_5。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-04-30）
张振华[7]（2017）在《二氧化钒纳米线金属绝缘体转变及其调控原位透射电子显微学研究》一文中研究指出二氧化钒(VO_2)因其接近室温的金属-绝缘体转变而得到广泛的研究。转变前后,二氧化钒的电学、光学性质和体积会发生变化。本论文利用先进电子显微学研究手段,围绕二氧化钒的金属-绝缘体转变中的关键性难题,金属-绝缘体转变的转变的机理和相变行为的调控两方面,进行了深入地研究。制备合成了二氧化钒微/纳米线,探索了电触发二氧化钒发生金属-绝缘体转变的机理,揭示金属绝缘体转变过程中电子就结构转变先于原子结构转变的解耦行为,研究了应变工程如何改变二氧化钒的相变行为,锂化稳定了二氧化钒的亚稳相M_2相,开发了利用电子束调控二氧化钒金属-绝缘体转变的新颖方法,完成了“制备-研究”全过程的研究工作。主要的研究和成果如下:(1)运用物理气相输运法制备合成了二氧化钒微/纳米线,并在此基础上搭建起一系列适合不同尺度下(光镜、透射电镜)观察的原位加热、加电实验平台。(2)探索了二氧化钒金属-绝缘体在外场作用下转变的机理。发现当有电流通过纳米线时可以触发二氧化钒发生金属-绝缘体转变,在转变过程中观察到二氧化钒纳米线的电子结构转变先于相结构转变发生;当将纳米线置于电场当中而无电流通过时,纳米线在较高的电场强度(约10~7 V/m)下未发生相变,观察到纳米线在电场作用下发生了正负电荷中心的分离,据此推断,在电触发二氧化钒金属绝缘体相变的过程中,电流的焦耳热起了主要作用。(3)研究了应变工程如何改变二氧化钒的相变行为。通过弯曲纳米线,提供了沿纳米线轴向的拉应变和压应变,以此来改变纳米线发生金属-绝缘体转变的相变温度、相变发生时金属相与绝缘体的畴结构以及纳米线的电输运性能。(4)通过透射电镜下二氧化钒纳米线的原位锂化稳定了二氧化钒的M_2相,为稳定M_2相的新方法。锂离子进入二氧化钒晶格通道中引起的应变是锂化稳定M_2相的可能原因。(5)利用电子束实现了二氧化钒金属绝缘体相变的可控形核。高能电子与二氧化钒非弹性相互作用产生俄歇电子发射而在纳米尺度的局部区域引入氧空位,以此降低二氧化钒局部的相变温度,使作用区域的M相在低于68°C,甚至于室温即转变为R相,实现二氧化钒的可控形核。该方法为调控二氧化钒金属-绝缘体转变的新方法。(本文来源于《北京工业大学》期刊2017-06-01）
胡凯[8]（2017）在《VO_2外延薄膜各向异性金属—绝缘体转变的调控研究》一文中研究指出二氧化钒(VO2)因其接近于室温(约68℃)的金属绝缘体转变(MIT),且转变过程中光学和磁学性质的巨大变化而受到了广泛关注。VO2的MIT起源于晶格、轨道和电荷等自由度之间耦合和竞争,这使其成为凝聚态物理中最重要的研究方向之一。且其MIT行为容易受到温度、应变、光照、电场、磁场等外场调制,所以VO2在节能、电子和智能材料等领域具有广阔的应用前景。特别地,薄膜形态的VO2具有质量优异、稳定性高以及相变重复性好,且容易和微机械、微加工技术结合起来的优势。因而,薄膜形态的VO2为新型电、光子器件最佳的候选材料之一。但是,到目前为止,VO2的研究仍有很多未解决的问题。例如:高质量的VO2薄膜的制备、薄膜应变对于VO2MIT的调制作用及其机制、微纳尺度下VO2金属-绝缘体转变行为及其机理等。针对这些问题,本论文利用磁控溅射技术在二氧化钛(Ti02)衬底上制备了高质量的VO2外延薄膜,并研究了外延应变对MIT的调控过程。我们发现不同取向和厚度的VO2外延薄膜应变不同,使得MIT转变温度发生了不同程度的偏移;同时,金属相和绝缘相的共存和竞争导致MIT的转变温区变宽。另一方面,我们发现了 VO2外延薄膜MIT的各向异性行为,并探讨了这种现象的机理:结构畴的尺寸和取向决定了 MIT各向异性的大小。第一章首先回顾了 VO2的特性及其应用前景。VO2特性是:高量级、陡峭的电学性质和光学性质的热致改变。该特性使VO2在节能、智能材料比如智能窗户、红外探测器、激光防护眼镜等领域有着巨大的应用前景。其次,本文主要研究应变对于VO2薄膜的MIT的调制,所以我们介绍了相关的物理背景知识,方便于理解接下来的工作。最后介绍了本论文的研究内容和方法。第二章主要介绍VO2外延薄膜的制备工艺。钒氧化物的多样性使VO2外延薄膜制备条件十分苛刻。本章首先简单介绍VO2薄膜的一些常见制备方法及其优缺点。紧接着详细介绍了本论文使用的磁控溅射方法。高质量的VO2外延薄膜样品为后续实验奠定了重要基础。第叁章主要介绍了 VO2外延薄膜微结构和性能的表征技术。首先,本章详细介绍了 VO2外延薄膜的电学测试和晶体结构表征技术。另外,我们通过光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)技术分析了样品的成分信息。同时,利用同步辐射软X-ray吸收谱(soft X-ray absorption,XAS)技术探究了 VO2外延薄膜轨道变化;利用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)技术,表征了 VO2外延薄膜表面的形貌信息。第四章主要研究了 VO2外延薄膜金属-绝缘体转变的调控规律。首先,选择不同取向衬底生长VO2外延薄膜,发现不同取向的VO2外延薄膜金属-绝缘体转变行为极为不同(金属-绝缘体转变温度等);同时,发现(110)取向的VO2外延薄膜金属绝缘体转变比(001)和(011)取向的具有明显的面内各向异性。紧接着,我们选择各向异性最大的VO2/(110)-TiO2外延薄膜,考察厚度对VO2外延薄膜金属-绝缘体转变的影响,发现了金属-绝缘体转变行为发生了随着厚度变化的规律性的改变。微结构表征结果表明取向和厚度依赖的金属-绝缘体转变行为和VO2外延薄膜的畴结构和应变状态密切相关。随着取向的改变,VO2c轴张应变的增加导致MIT转变温度的升高,同时畴结构的尺寸的增大以及取向性导致金属-绝缘体转变的各向异性的增大;随着薄膜厚度增加,(110)取向的VO2c轴应变发生弛豫,金属-绝缘体转变温度降低;但是,金属-绝缘体转变的各向异性增大,这主要是由厚度依赖的畴尺寸和取向决定的。第五章总结本论文的主要研究内容,并指出其中的不足。另外,本章也对V02外延薄膜金属-绝缘体转变的调控研究提出展望。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-05-01）
边健,朱守金,陈仕云,丰远,马翠玲[9]（2017）在《烧绿石Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的金属-绝缘体转变与增强的反铁磁性研究（英文）》一文中研究指出通过晶体结构、电学和磁学测量,我们系统地研究了Fe掺杂的烧绿石Bi_(2-x)Fe_xIr_2o_7(x=0.1,0.2,0.3,0.4)样品.X射线衍射证实了高结晶的Bi_(2-x)Fe_xIr_2o_7保持立方结构.样品体系显示出金属-绝缘体转变:当x=0.1,转变温度为63.870K.随着Fe含量的增加,转变温度呈上升趋势.掺杂样品显示出增强的反铁磁性,并随着Fe掺杂增加,反铁磁性增强.当掺杂量增加到0.3时,样品发生类自旋玻璃态转变.(本文来源于《低温物理学报》期刊2017年02期）
金诚[10]（2016）在《硼离子掺杂对VO_2(M)相的金属—绝缘体转变的调控研究》一文中研究指出二氧化钒具有多形态结构,其中金红石型VO2的金属-绝缘转变温度为341K。当温度高于341 K时,VO2的结构由单斜VO2(M)相转变为四方VO2(R)相。随着温度高于转变温度,其电学性能从低温绝缘相转变为高温金属相,当温度降低时,VO2由高温金属相转变为低温绝缘相。由于相变过程有热滞发生,因此相变为一级相变。同时,相变前后VO2的反射率、电导率、光透过率、以及磁化率都会发生突然的变化。该材料的光转换特性可用于各种红外光转化开关、能量的转换与储存等设备当中。本论文以V205为原材料、硼酸为掺杂剂、草酸为还原剂,采用水热合成法,在温度为265℃,压强为5MPa下,通过调控水热时间制备出高质量的VO2(M),及掺杂的V02(M)系列纳米粉体材料。所有制备的纳米粉样品都对其进行结构表征和性能测量,并研究了VO2的相转变、电学及光学等特性。主要研究内容及成果如下：①第叁章主要研究VO2(A)纳米杆的相变、电学和光转变特性,VO2(A)相的结构和形貌分别通过x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)来表征。差示扫描量热(DSC)曲线显示,加热过程中VO2(A)相的相转变温度为167.8℃。使用四探针法测量VO2(A)相样品的电阻率,电阻滞后现象显示V02(A)的相变为一级相变。根据阿仑尼乌斯曲线计算出VO2(AL)和高温VO2(AH)的活化能分别为0.39eV和0.37eV。变温红外光谱显示VO2(A)相纳米杆在红外区域具有良好的光学转换特性。②第四章主要研究星状VO2(M)的制备与表征,以五氧化二钒为原料,草酸为还原剂,改变两者摩尔比、填充比、反应温度及反应时间,得到制备高质量VO2(M)相的最佳条件：五氧化二钒与草酸的摩尔比为1：1.8,反应温度为265℃,反应时间为48 h。由x射线衍射(XRD)图谱看出,五氧化二钒与草酸的摩尔比为1：1.8时,所制备出的纳米粉体为纯VO2(M)相。透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)显示制备出的VO2(M)相为星状纳米晶体,晶面间距为0.4 nm。由差示扫描量热法(DSC)曲线可见星状VO2(M)相的在65.6℃处出现一个吸热峰,表示在65.6℃发生相转变。用四探针电阻法,测量了未掺杂的V02(M)相纳米材料的电阻,由变温电阻曲线看出未掺杂的VO2(M)相在67.2℃处发生明显的变化。③第五章主要研究硼掺杂对VO2(M)相的相转变温度的影响,由差示扫描量热法(DSC)测量结果可见,硼掺杂导致了的VO2(M)相的转变温度降低,掺杂量越大,转变温度降低的越多,对硼掺杂量为20%时,相转变温度降至53.9℃。红外吸收光谱(FT-IR)可见,在温度为55℃时,吸收谱在650-900 nm波段,有明显的吸收峰。由X射线光电子能谱(XPS)看出,VO2(M)晶格中的V原子被B原子所替代,在VO6八面体中,出现了部分的B-O-V键。硼掺杂量为5%、10%和20%的VO2(M)相样品,其电阻率分别在65.3℃、60.7℃及56.1℃处发生显着的变化。(本文来源于《安徽大学》期刊2016-05-01）
金属绝缘体转变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能级,杂质能级的位置和宽度随着Co浓度的增加呈线性变化.当Co掺杂浓度较高时杂质形成能逐渐稳定,且杂质能级穿过费米能级使体系表现出金属性.综合杂质形成能的变化趋势,以及杂质能级极小值与费米能级间的距离条件,可预测出发生绝缘体-金属转变的Co掺杂浓度为2.601Wingdings 2MC@10~(20) cm~(-3),与实验结果相一致.上述两条依据应用于S重掺杂Si体系和Se重掺杂Si体系同样成立.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属绝缘体转变论文参考文献
[1].宋创业,Iftikhar,Ahmed,Malik,李梦蕾,张庆华,王立辰.可控氧化方法制备的锰氧化物中隐藏的金属-绝缘体转变研究（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2019
[2].薛晓晚,杨影影,秦圆,吴爱民,王旭东.第一性原理计算绝缘体-金属转变临界掺杂浓度:Co重掺杂Si体系[J].原子与分子物理学报.2019
[3].王泽霖,张振华,赵喆,邵瑞文,隋曼龄.电触发二氧化钒纳米线发生金属-绝缘体转变的机理[J].物理学报.2018
[4].徐胜,朱自猛,顾艳妮,陈娟,张小立.Nb掺杂导致LaMnO_3绝缘体-金属转变的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报.2018
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[6].王凯.电荷掺杂调控VO_2薄膜金属—绝缘体转变的同步辐射研究[D].中国科学技术大学.2018
[7].张振华.二氧化钒纳米线金属绝缘体转变及其调控原位透射电子显微学研究[D].北京工业大学.2017
[8].胡凯.VO_2外延薄膜各向异性金属—绝缘体转变的调控研究[D].中国科学技术大学.2017
[9].边健,朱守金,陈仕云,丰远,马翠玲.烧绿石Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的金属-绝缘体转变与增强的反铁磁性研究（英文）[J].低温物理学报.2017
[10].金诚.硼离子掺杂对VO_2(M)相的金属—绝缘体转变的调控研究[D].安徽大学.2016
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