导读:本文包含了光荧光谱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:荧光,量子,晶格,载流子,偏振光,衬底,多量。
光荧光谱论文文献综述
刘英斌,赵润,林琳,陈宏泰,杨红伟[1]（2008）在《室温光荧光谱分析中的几个典型问题》一文中研究指出根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了AlGaInP LED结构PL扫描图的强度分布。应用透明衬底发光模型,分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案。实验结果表明,这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线,能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系,对判断材料品质有较大帮助,具有一定的实用价值。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2008年06期）
刘文莉,李林,钟景昌,王晓华,刘国军[2]（2005）在《GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究》一文中研究指出分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。(本文来源于《光电子技术与信息》期刊2005年04期）
李光平,汝琼娜,李静,何秀坤,王寿寅[3]（2001）在《快速扫描光荧光谱表征GaAs的技术研究》一文中研究指出该文详细研究了快速扫描光荧光谱(PLMapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及Mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
缪中林,陆卫,陈平平,李志锋,刘平[4]（2001）在《GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究》一文中研究指出用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V,组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2001年01期）
黄晓东,黄德修,刘雪峰[5]（2001）在《光子吸收诱导无序技术的光荧光谱研究》一文中研究指出运用 1 0 6 4μm连续输出的Nd∶YAG激光器 ,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序 (PAID)技术的研究。通过光荧光谱 (PL)的测量 ,证明有量子阱混合现象产生。衬底预加热和聚焦激光束结果表明 ,PAID中辐照时间与衬底温度、辐照的平均功率密度密切相关。聚焦激光照射后的荧光双峰表明PAID有一定的定域处理能力。(本文来源于《中国激光》期刊2001年01期）
丁国庆[6]（1998）在《张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究》一文中研究指出给出了具有二叁个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。(本文来源于《半导体技术》期刊1998年04期）
丁国庆[7]（1997）在《InP系列多薄层材料本征辐射复合光荧光谱研究》一文中研究指出报告了ＩｎＰ系列异质结构材料几种典型的本征辐射复合付立叶变换光荧光谱。观察到压应变量子阱结构材料１０Ｋ下光荧光峰所对应的能隙却比室温（２９５Ｋ）下的能隙小的事实，指出了带间辐射复合光荧光峰双峰结构是室温下轻掺杂体材料光荧光谱的本征特征，分析和讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质材料光荧光谱正常和异常温度特性。光荧光谱对确定多元化合物能带结构、组分、界面质量是一种有力的手段(本文来源于《半导体技术》期刊1997年03期）
牛智川,黎健[8]（1996）在《MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究》一文中研究指出采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高Ⅴ／Ⅲ束流比可以抑制Ｓｉ的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于１０１２ｃｍ－３，７７Ｋ下迁移率大于１．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ的高纯、高迁移率ＧａＡｓ材料。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1996年02期）
王德煌[9]（1993）在《不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和光荧光谱》一文中研究指出实验测量MOVPE生长不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和激光光荧光谱。结果表明注入载流子引起带隙和光荧光谱峰值明显减小。它们与注入载流子浓度均呈非线性变化关系。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊1993年05期）
汤寅生,江德生,庄蔚华,K,Ploog[10]（1991）在《GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱》一文中研究指出异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。(本文来源于《发光学报》期刊1991年04期）
光荧光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光荧光谱论文参考文献
[1].刘英斌,赵润,林琳,陈宏泰,杨红伟.室温光荧光谱分析中的几个典型问题[J].微纳电子技术.2008
[2].刘文莉,李林,钟景昌,王晓华,刘国军.GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究[J].光电子技术与信息.2005
[3].李光平,汝琼娜,李静,何秀坤,王寿寅.快速扫描光荧光谱表征GaAs的技术研究[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001
[4].缪中林,陆卫,陈平平,李志锋,刘平.GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究[J].红外与毫米波学报.2001
[5].黄晓东,黄德修,刘雪峰.光子吸收诱导无序技术的光荧光谱研究[J].中国激光.2001
[6].丁国庆.张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究[J].半导体技术.1998
[7].丁国庆.InP系列多薄层材料本征辐射复合光荧光谱研究[J].半导体技术.1997
[8].牛智川,黎健.MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究[J].固体电子学研究与进展.1996
[9].王德煌.不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和光荧光谱[J].北京大学学报(自然科学版).1993
[10].汤寅生,江德生,庄蔚华,K,Ploog.GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱[J].发光学报.1991
论文知识图
