导读:本文包含了塞曼分裂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纵向塞曼,激光稳频,塞曼频差,频率稳定度
塞曼分裂论文文献综述
祁春雨[1]（2019）在《纵向塞曼激光器大频差分裂及稳频技术研究》一文中研究指出微电子、光电子装备业的迅猛发展,对测量系统的测量精度,测量速度等指标提出了更高的要求,双频激光干涉测量技术以其非接触、可溯源、高精度等特点成为目前超精密测量技术的主流技术手段。作为双频激光干涉测量技术的核心部件,双频激光光源的波长稳定度、复现性、频差的大小直接决定了测量所能达到的最高精度与最高测量速度。本文详细分析了双频激光光源研究现状,总结了大频差双频激光光源的优缺点,并以性价比最高的纵向塞曼稳频激光器为研究对象,针对国外大频差高稳定性双频激光光源技术的封锁与国内纵向塞曼双频激光器频差低、频率复现性差的问题,研究一种高稳定性、大频差分裂纵向塞曼激光器。通过塞曼频差分裂与磁场关系的分析,磁场模型的建立,纵向塞曼激光器机械结构、光路结构、控制电路的设计与优化,提高塞曼稳频激光器的频差与频率复现性。论文主要完成工作如下:首先,针对国内纵向塞曼激光器双频频差小、频率稳定性差的问题,分析塞曼频差分裂与磁场关系,根据磁场均匀性要求确定空心圆柱永磁体结构,并利用等效电流模型来建立空心圆柱体永磁体的磁场模型,最后优化特定激光管的磁体结构参数,确保塞曼分裂所需磁场的强度与均匀性,以此来提高塞曼稳频激光器的频率稳定度。其次,针对现有塞曼稳频激光器温度测量模块不能准确反应激光管腔长随温度的变化关系,而导致频率复现性差的问题,提出基于加热薄膜电阻热效应的激光管复合式加热与测温方法,在激光管管壁粘贴加热薄膜作为加热元件,通过检测加热薄膜的电阻变化,来表征激光管表面的真实温度,在此基础上重新设计预热阶段的程序,使得纵向塞曼激光器进入稳频时间缩短,稳频时预设温度点一致,以此来提高纵向塞曼激光器的频率复现性。最后,设计纵向塞曼激光器所需的机械结构、光路结构和部分电路,集成大频差纵向塞曼激光器。为验证所设计模块及集成激光器的性能,搭建系统实验平台,完成磁场模块,光路模块及电路模块的测试,并对系统的频差、频率稳定度和频率复现性进行测试。实验结果表明,所研制激光器塞曼频差为3.6MHz,2h内频率稳定度达到2.1×10~(-9),10天内频率复现性为8.4×10 ~(-9)。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
朱志海,黄时中[2]（2018）在《任意强度磁场中氦原子能级的塞曼分裂》一文中研究指出以氦原子能级的精细结构理论和任意强度磁场中氦原子的塞曼哈密顿为基础,对任意强度磁场中氦原子的所有里德堡态(组态为1snl,其中n和l可取一切可能值)的塞曼分裂效应进行了系统的研究,重点是在考虑线性塞曼效应的基础上进一步考虑了平方塞曼效应,借助不可约张量理论导出了氦原子各里德堡态的塞曼分裂能级的解析表达式,绘制了反映塞曼分裂特征的结构图。(本文来源于《安徽师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年03期）
文林芳[3]（2015）在《超精细能级塞曼分裂的原子系统中电磁诱导透明的理论研究》一文中研究指出近年来,作为量子相干效应之一的电磁诱导透明现象引起了人们的广泛关注,并且在理论和实验上都取得了丰富的成果和深入的进展。本文概述了电磁诱导透明的现象和研究进展,介绍了相关的基础理论知识,利用光与物质作用的半经典理论对典型的Λ型三能级EIT系统的电磁诱导透明效应的机制做了推导。本文主要通过对85Rb原子的D2线进行研究,利用数值方法研究了超精细能级塞曼分裂的原子系统中电磁诱导透明暗态随时间的演化和驻波光场中稳态布居的空间相关性。考虑圆偏振和线偏振两种极化方案,并且将组合后的结果与简单叁能级情况相比较。分析结果表明,圆偏振极化方式下暗态的布居分布比线偏振极化方式下更接近简单叁能级的分析结果,而且圆偏振极化方式下的局域化分辨率更好。演化的过程还说明,系统达到稳态需要足够长的相互作用时间。(本文来源于《苏州大学》期刊2015-04-01）
刘新智,徐勇刚,俞国林,林铁,郭少令[4]（2014）在《In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂》一文中研究指出利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2014年02期）
章苗苗,朱雷丽,王强,杨建宋[5]（2014）在《汞原子塞曼效应分裂谱线的完整观测与分析》一文中研究指出在简要回顾了汞光谱塞曼效应原理后,本文详细研究了运用法布里-帕罗干涉仪所得的汞光谱π分量谱线和σ分量谱线特征,包括如何由π线图像确定汞光源所处的磁感应强度,在σ分量谱线图像中K级前三条谱线的丢失及原因的理论分析,汞光谱诸塞曼谱线相对强度的测量及分析.(本文来源于《杭州师范大学学报(自然科学版)》期刊2014年02期）
张奕雄[6]（2010）在《Snake模型应用于塞曼效应分裂图谱处理》一文中研究指出随着CCD摄像技术成熟并应用于塞曼效应实验中,图像数据的处理方法成了影响实验测量误差的最大因素.本文采用改进的可变压力Snake模型方法实现塞曼效应分裂圆环的数据测量,从而提高测量的稳定性和精确度;并利用Origin的非线性拟合进行数据的误差评价.(本文来源于《大学物理》期刊2010年01期）
刘荣,雷衍连,张勇,王振,熊祖洪[7]（2009）在《有机发光器件中的塞曼分裂和叁重态激子的湮灭》一文中研究指出制备了结构为ITO/α-NPD/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管,并在12,150,200K和室温4种温度下,测量了该器件的电流与电致发光两者的磁场效应.发现在不同温度下,磁场均能显着改变器件的电流和电致发光.在低温(如12～150K)下,电致发光的磁场效应与器件的偏压(对应一定大小的注入电流)有很强的依赖关系,即高偏压时,发光呈现先随磁场增加而快速增强,在50mT处达到最大值后却又随磁场增加而减弱,且偏压越大该减弱越明显,而小偏压时则没有出现饱和之后又衰减的现象.具有相同电流密度的高温(如200K到室温)情况时,各种偏压下也没有发现发光随磁场增加而减弱的趋势.电流的磁效应则在所有温度和所有偏压下都表现为随着磁场增加而增大,并在一定磁场后趋于饱和.此现象可归结为磁场抑制了单重态极化子对到叁重态极化子对的系间窜越和磁场减弱了叁重态激子对(triplet-triplet pairs)间相互淬灭过程的结果.(本文来源于《中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)》期刊2009年05期）
李武军,王晓颖[8]（2009）在《汞原子塞曼效应分裂谱线相对强度的测量》一文中研究指出为了研究塞曼效应分裂谱线的相对强度,分析了Hg(546.1nm)谱线能级在外磁场中的分裂情况,详细给出了分裂能级的量子数分布和理论相对强度;在此基础上采用CCD拍摄了分裂谱线干涉圆环的图像,并对其进行了强度分析,通过图像强度处理得到各分裂谱线相对强度与理论分析结果十分接近;表明采用CCD图像技术能较好的分析塞曼效应现象和规律.(本文来源于《大学物理》期刊2009年04期）
唐宁,沈波,韩奎,卢芳超,许福军[9]（2008）在《Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂》一文中研究指出通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显着的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年S1期）
唐宁,沈波,韩奎,卢芳超,许福军[10]（2008）在《Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂》一文中研究指出通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al_(0.24)Ga_(0.76)N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g~*的大小,发现由于交换相互作用,g~*比g_0有了显着的增加,同时g~*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。(本文来源于《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集》期刊2008-11-30）
塞曼分裂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以氦原子能级的精细结构理论和任意强度磁场中氦原子的塞曼哈密顿为基础,对任意强度磁场中氦原子的所有里德堡态(组态为1snl,其中n和l可取一切可能值)的塞曼分裂效应进行了系统的研究,重点是在考虑线性塞曼效应的基础上进一步考虑了平方塞曼效应,借助不可约张量理论导出了氦原子各里德堡态的塞曼分裂能级的解析表达式,绘制了反映塞曼分裂特征的结构图。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
塞曼分裂论文参考文献
[1].祁春雨.纵向塞曼激光器大频差分裂及稳频技术研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[2].朱志海,黄时中.任意强度磁场中氦原子能级的塞曼分裂[J].安徽师范大学学报(自然科学版).2018
[3].文林芳.超精细能级塞曼分裂的原子系统中电磁诱导透明的理论研究[D].苏州大学.2015
[4].刘新智,徐勇刚,俞国林,林铁,郭少令.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂[J].红外与毫米波学报.2014
[5].章苗苗,朱雷丽,王强,杨建宋.汞原子塞曼效应分裂谱线的完整观测与分析[J].杭州师范大学学报(自然科学版).2014
[6].张奕雄.Snake模型应用于塞曼效应分裂图谱处理[J].大学物理.2010
[7].刘荣,雷衍连,张勇,王振,熊祖洪.有机发光器件中的塞曼分裂和叁重态激子的湮灭[J].中国科学(G辑:物理学力学天文学).2009
[8].李武军,王晓颖.汞原子塞曼效应分裂谱线相对强度的测量[J].大学物理.2009
[9].唐宁,沈波,韩奎,卢芳超,许福军.Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂[J].半导体技术.2008
[10].唐宁,沈波,韩奎,卢芳超,许福军.Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂[C].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008