全文摘要
本实用新型系提供一种易于组装的散热型二极管封装结构，包括绝缘基座和绝缘封装体，绝缘基座和绝缘封装体之间设有两个导电引脚，其中一个导电引脚上导电连接有二极管晶片，二极管晶片还通过导线与另一导电引脚导电连接；绝缘基座上设有2n个安装凹槽，n为大于1的整数，导电引脚包括上平台、弯折部和下连接片，上平台位于绝缘封装体内，每个上平台的底部均固定有n个卡位凸条，卡位凸条与安装凹槽匹配；绝缘封装体的顶部设有绝缘散热层，绝缘散热层的上表面呈波浪形状。本实用新型组装加工效率高，热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散，整体结构的散热性能好。
主设计要求
1.一种易于组装的散热型二极管封装结构，包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20)，所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有两个导电引脚(30)，其中一个所述导电引脚(30)上导电连接有二极管晶片(40)，所述二极管晶片(40)还通过导线(41)与另一所述导电引脚(30)导电连接，其特征在于：所述绝缘基座(10)上设有2n个安装凹槽(11)，n为大于1的整数，所述导电引脚(30)包括上平台(31)、弯折部(32)和下连接片(33)，所述上平台(31)位于所述绝缘封装体(20)内，每个所述上平台(31)的底部均固定有n个卡位凸条(311)，所述卡位凸条(311)与所述安装凹槽(11)匹配；所述绝缘封装体(20)的顶部设有绝缘散热层(21)，所述绝缘散热层(21)的上表面呈波浪形状。
设计方案
1.一种易于组装的散热型二极管封装结构，包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20)，所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有两个导电引脚(30)，其中一个所述导电引脚(30)上导电连接有二极管晶片(40)，所述二极管晶片(40)还通过导线(41)与另一所述导电引脚(30)导电连接，其特征在于：
所述绝缘基座(10)上设有2n个安装凹槽(11)，n为大于1的整数，所述导电引脚(30)包括上平台(31)、弯折部(32)和下连接片(33)，所述上平台(31)位于所述绝缘封装体(20)内，每个所述上平台(31)的底部均固定有n个卡位凸条(311)，所述卡位凸条(311)与所述安装凹槽(11)匹配；
所述绝缘封装体(20)的顶部设有绝缘散热层(21)，所述绝缘散热层(21)的上表面呈波浪形状。
2.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基座(10)为散热硅胶座。
3.根据权利要求2所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基座(10)的底部设有若干散热凹槽(12)。
4.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘封装体(20)为环氧树脂体。
5.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘散热层(21)内设有若干散热陶瓷颗粒(211)。
6.根据权利要求1所述的一种易于组装的散热型二极管封装结构，其特征在于：所述导线(41)包括铜芯线(411)，所述铜芯线(411)外包覆有镀银层(412)。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及二极管，具体公开了一种易于组装的散热型二极管封装结构。
背景技术
二极管，是一种能够单向传导电流的电子器件，在二极管内部设有PN结，PN结的两端设有引线端子，如果按照外加电压的方向，具备电流的单向传导性，大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为整流功能。
SOD是一种表面贴装的封装形式，引脚设有两个。二极管在工作时，内部的二极管晶片会产生较多热量，热量积聚过多会影响二极管整体的性能，现有技术中，二极管封装体主要包括二极管晶片、导电引脚、封装体和基座，散热性能较差，且组装加工时需要将导电引脚对位放置在基座上，这个操作需要进行复杂的操作，大部分技术需要采用额外的定位治具对基座和导电引脚进行定位，组装加工步骤繁琐、加工成本高。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种易于组装的散热型二极管封装结构，能够有效简化组装加工时所需进行的操作，整体结构的散热性能好。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种易于组装的散热型二极管封装结构，包括绝缘基座和绝缘封装体，绝缘基座和绝缘封装体之间设有两个导电引脚，其中一个导电引脚上导电连接有二极管晶片，二极管晶片还通过导线与另一导电引脚导电连接；
绝缘基座上设有2n个安装凹槽，n为大于1的整数，导电引脚包括上平台、弯折部和下连接片，上平台位于绝缘封装体内，每个上平台的底部均固定有n个卡位凸条，卡位凸条与安装凹槽匹配；
绝缘封装体的顶部设有绝缘散热层，绝缘散热层的上表面呈波浪形状。
进一步的，绝缘基座为散热硅胶座。
进一步的，绝缘基座的底部设有若干散热凹槽。
进一步的，绝缘封装体为环氧树脂体。
进一步的，绝缘散热层内设有若干散热陶瓷颗粒。
进一步的，导线包括铜芯线，铜芯线外包覆有镀银层。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种易于组装的散热型二极管封装结构，在绝缘基座和导电引脚的连接处设置可靠的对位结构，将导电引脚对位放置在绝缘基座上时，无需进行复杂的对位操作，组装加工效率高，且绝缘基座与导电引脚之间设置有足够大的接触面积、绝缘封装体的顶部设置有特殊的散热机构，热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散，整体结构的散热性能好。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
图3为本实用新型除去绝缘封装体和绝缘散热层后的立体结构示意图。
图4为本实用新型中绝缘基座和导电引脚的拆分结构示意图。
图5为本实用新型中导线的剖面结构示意图。
附图标记为：绝缘基座10、安装凹槽11、散热凹槽12、绝缘封装体20、绝缘散热层21、散热陶瓷颗粒211、导电引脚30、上平台31、卡位凸条311、弯折部32、下连接片33、二极管晶片40、导线41、铜芯线411、银镀层412。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图5。
本实用新型实施例公开一种易于组装的散热型二极管封装结构，包括绝缘基座10和绝缘封装体20，绝缘基座10和绝缘封装体20之间设有两个互不接触的导电引脚30，其中一个导电引脚30上导电连接有二极管晶片40，二极管晶片40还通过导线41与另一导电引脚30导电连接；
绝缘基座10上设有2n个安装凹槽11，n为大于1的整数，即n最小为2，导电引脚30包括上平台31、弯折部32和下连接片33，上平台31位于绝缘封装体20内，二极管晶片40 和导线41均与上平台31连接，每个上平台31的底部均固定有n个卡位凸条311，优选地，卡位凸条311与上平台31为一体成型结构，卡位凸条311与安装凹槽11匹配，即卡位凸条 311卡位安装在安装凹槽11内，能够有效提高导电引脚30整体与绝缘基座10的接触面积，能够有效提高导电引脚30向绝缘基座10传递热量的效率，可有效避免热量积聚于导电引脚 30的上平台31中，从而有效避免二极管晶片40因温度过高而影响自身的工作性能；
绝缘封装体20的顶部设有绝缘散热层21，优选地，绝缘散热层21为散热硅胶层，绝缘散热层21的上表面呈波浪形状，波浪形状的绝缘散热层21能够有效加强绝缘散热层21与空气的接触面积，可有效提高绝缘散热层21的散热效率，从而加强绝缘封装体20的散热效率。
本实用新型的制作过程为：将二极管晶片40焊接在其中一个导电引脚30的上平台31上，二极管晶片40的另一电极通过导线41与另一导电引脚30的上平台31连接，将卡位凸条311 对位插入安装凹槽11中，能够有效简化导电引脚30与绝缘基座10的对位连接操作，再将绝缘基座10放入注塑模具中，最终注塑形成绝缘封装体20。
本实用新型在绝缘基座10和导电引脚30的连接处设置可靠的对位结构，将导电引脚30 对位放置在绝缘基座10上时，无需进行复杂的对位操作，组装加工效率高，且绝缘基座10 与导电引脚30之间设置有足够大的接触面积、绝缘封装体20的顶部设置有特殊的散热机构，热量能够有效从二极管封装结构的上下两个方向实现高效的消散，整体结构的散热性能好。
在本实施例中，绝缘基座10为散热硅胶座，能够有效提高绝缘基座10的散热效率，避免热量积聚于二极管晶片40的底部。
基于上述实施例，绝缘基座10的底部设有若干散热凹槽12，散热凹槽12能够有效提高绝缘基座10与外界空气的接触面积，从而有效提高绝缘基座10与外界空气的热交换效率。
在本实施例中，绝缘封装体20为环氧树脂体，环氧树脂具有良好的机械和化学抗性，能够有效保护二极管内部的结构不易受损。
在本实施例中，绝缘散热层21内设有若干散热陶瓷颗粒211，散热陶瓷具有优良的导热性能和绝缘性能，能够有效提高绝缘散热层21整体的散热性能，同时绝缘散热层21的绝缘性能不会受影响。
在本实施例中，导线41包括铜芯线411，铜芯线411外包覆有镀银层412，铜的硬度比银大，设置铜为芯线能够有效确保导线41结构的牢固性、稳定性，银的导电性能比铜好，能够有效提高导线41整体的导电性能。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920097375.2
申请日:2019-01-21
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:44(广东)
授权编号:CN209183534U
授权时间:20190730
主分类号:H01L 23/31
专利分类号:H01L23/31;H01L23/48;H01L23/367
范畴分类:38F;
申请人:中之半导体科技（东莞）有限公司
第一申请人:中之半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址:523430 广东省东莞市寮步镇上屯工业区百业大道18号
发明人:李志平
第一发明人:李志平
当前权利人:中之半导体科技（东莞）有限公司
代理人:何新华
代理机构:44400
代理机构编号:东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计