论文摘要
本文利用MATLAB数值模拟了不同晶相（6H、4H、3C）p型掺杂SiC与六方相n型掺杂GaN构成异质结构的正向稳态导电特性.讨论了（p）SiC/（n）GaN异质结构模型,分析了正向偏压、温度对异质结构内载流子分布的影响,考虑了异质结构内载流子复合率随正向偏压的变化,对比了不同温度异质结构的电容-电压特性,探究了异质结构p区及n区不同少子寿命和掺杂浓度、温度等情况下的主要电流成份与正向偏压的关系.模拟数据与文献的实验结果吻合,可指导SiC/GaN异质结构双极晶体管等器件的制造.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 张锦涛,赵少云,韦文生,郑君鼎,何明昌
关键词: 异质结构,载流子传导,电容电压特征,电流电压特征,模拟
来源: 温州大学学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 材料科学,无线电电子学
单位: 温州大学数理与电子信息工程学院
基金: 国家自然科学基金项目(61774112)
分类号: TB33;TN304
页码: 36-46
总页数: 11
文件大小: 5273K
下载量: 13
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