导读:本文包含了量子限制效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:量子,效应,纳米,晶体管,光谱,得克萨斯,空穴。
量子限制效应论文文献综述写法
姚惠林,路纲,陈朝辉[1]（2016）在《量子限制斯达克效应对叁角形量子阱吸光特性的影响》一文中研究指出本文通过计算量子力学波动方程以及载流子传输特性,哈密顿量的H能谱图和边界条件等的理论方法来分析量子限制斯达克效应对叁角形量子阱体系吸收特性的影响,说明了选择合适的量子阱垒层对于提高叁角形量子阱吸光率具有重要的意义。(本文来源于《量子光学学报》期刊2016年02期）
郝长虹[2]（2015）在《浅谈LED外延生长的量子限制斯塔克效应》一文中研究指出氮化物体系LED由于存在大的极化效应,量子限制斯塔克效应显着,即量子阱的能带发生倾斜,电子和空穴在空间分离,辐射复合效率下降。通过引入新型外延结构,可以降低极化电场的影响,从而提高内量子效率。本文采用阶梯型量子阱的新结构设计削弱量子限制斯塔克效应,提高电子和空穴的有效辐射复合几率。(本文来源于《科技与企业》期刊2015年03期）
段雨[3]（2012）在《氢化纳米硅薄膜的拉曼光谱研究：量子限制与激光加热效应》一文中研究指出本文研究的主要内容为氢化纳米硅薄膜的拉曼光谱性质,我们利用空间分辨率为微米量级的显微拉曼(Raman)技术,研究了不同尺寸大小的样品在不同的激光功率下的拉曼光谱,得到了氢化纳米硅薄膜量子限制与激光加热效应特性,详细分析了晶格动力学性质。首先文章对纳米硅薄膜的研究现状做了一个综述,总结了目前为止关于纳米硅薄膜的分类,生长机制及表征手段;接下来介绍了Raman光谱的原理、拉曼选择定则、拉曼光谱仪的分类等,详细叙述了对氢化纳米硅薄膜进行拉曼光谱分析常用的理论模型。分析揭示出通过拉曼光谱,可以得出由PECVD法制备nc-Si:H样品的晶粒尺寸、晶态比、应力等参数,为接下来的研究提供理论依据。纳米硅薄膜是一种由纳米量级单晶硅颗粒镶嵌于多晶硅网络中而组成的混相材料,近年来,硅纳米结构在研究最基本的物理性质和潜在的硅光电子器件应用方面引起了人们的广泛关注,国内外对于硅纳米颗粒的量子限制效应方面做了较多的研究。到目前为止,对于不同尺寸的硅纳米颗粒的拉曼谱线与激光照射引起的温度升高关系的实验研究报道很少。我们通过显微拉曼的手段来研究氢化纳米硅薄膜中晶格振动的性质,由于半导体纳米颗粒的导热性能比较差,通过显微拉曼手段,通过探测拉曼散射中Stokes和anti-Stokes峰方便地获得纳米颗粒的局域温度来监测半导体纳米材料激光加热效应对晶格振动的影响。运用了一个详细的考虑了叁声子和四声子耦合的模型,研究了纳米结构中激光照射引起的叁、四声子弛豫过程以及半导体纳米结构中声子振动性质有关的声子动力学行为。我们发现随温度增加,频率发生红移,这主要是由于非谐振项的耦合起了作用。另外我们还研究了非谐效应对拉曼散射峰展宽的影响。结合不同尺寸下的声子态密度谱,我们给出了不同尺寸的样品随温度变化,TO2模的衰变路径。此外,通过分析拟合参数,清楚地了解了耦合模寿命随温度和尺寸变化的行为。我们重点分析了温度和量子尺寸效应对氢化纳米硅晶格振动,特别是声子弛豫性质的影响,实验上证实了量子限制效应对晶粒平均尺寸小于6nm时作用较明显的理论结果。然而对这部分内容的研究在定性阶段,还需要进一步的定量分析和理论探讨。本论文紧紧结合了拉曼光谱的研究方法和氢化纳米硅材料的物理特性这两点,一方面详细地阐述了如何将显微光谱应用到纳米硅材料的研究中去,另一方面也分析了所得到的氢化纳米硅材料物理特性,这些基本的性质对今后人们的研究提供了很好的参考依据。从研究的方法来看,本论文选择最合适的模型和理论来拟合和分析实验数据,再根据理论分析需求来设计更好的光谱实验,力求实验数据更可靠,理论模型更贴切。所有的这些成果都在SCI收录论文中进行了报道。以上研究得到了国家自然科学基金(编号10734020, 11074169,和11174202)以及“国家重点基础研究项目”的资助。(本文来源于《上海交通大学》期刊2012-01-01）
[4]（2011）在《新纳米晶体管展现强量子限制效应》一文中研究指出有望在单分子生物感测、集成电路缩微等领域发挥重要作用据美国物理学家组织网报道,美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥(本文来源于《光机电信息》期刊2011年04期）
[5]（2011）在《美制出硅纳米晶体管 展现出明显的量子限制效应》一文中研究指出据美国物理学家组织网报道,美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。(本文来源于《中国粉体工业》期刊2011年02期）
郑冬冬[6]（2011）在《新纳米晶体管展现强量子限制效应》一文中研究指出美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。实验中,他们用平版印刷技术制造了一种直径仅有3纳米到5纳米的硅纳米(本文来源于《半导体信息》期刊2011年02期）
常丽君[7]（2011）在《硅纳米晶体管展现出强量子限制效应》一文中研究指出本报讯 据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报(本文来源于《科技日报》期刊2011-03-25）
初宁宁,郑卫民,李素梅,宋迎新,刘静[8]（2009）在《量子限制效应对受主跃迁的影响》一文中研究指出通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30(?)到200(?))中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱。在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S_(3/2)(Γ_6)到两个激发态2S_(3/2)(Γ_6)和3S_(3/2)(Γ_6)的双空穴跃迁。研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加。对量子限制效应调节受主杂质间跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径。(本文来源于《红外》期刊2009年11期）
易光宇[9]（2009）在《介观体系中的电子输运性质及量子限制Stark效应》一文中研究指出介观体系以其自身所具有的丰富的物理内涵及其将来在纳电子学方面潜在的器件应用价值而受到广泛的关注。本文正是在这种背景下,分别采用不同的理论方法对几种耦合量子点体系中的电子输运性质以及量子线中的量子限制Stark效应进行了研究。论文的主要内容如下：首先,我们利用非平衡态格林函数方法,研究了侧耦合量子点阵列的线性电导和Ⅰ-Ⅴ特性等电子输运性质。我们发现当量子点和电极的耦合强度增加时,电导谱中原来的多峰结构转变为共振平台与反共振谷交替出现的结构；在Ⅰ-Ⅴ谱的中间平台区的两侧,台阶现象消失并且电流值与左右电极间的偏压值呈近似的线性函数关系。当计入量子点内电子的多体效应时,对于有侧链悬挂的量子点阵列,其电导谱中的反共振谷被新的共振平台劈裂成多个反共振谷,电导谱的电子-空穴对称性消失；而无侧链悬挂的量子点阵列,电导谱中的反共振谷不发生劈裂,电导谱中依然具有电子-空穴对称性的特征。我们讨论了将此结构应用为自旋极化器件的可行性,并研究了两种不同自旋取向的电流幅值之比与偏压的关系。其次,我们研究了半导体量子点环中由Rashba自旋-轨道相互作用诱导的持续自旋流和持续电荷流。我们发现体系中不存在任何磁场或磁材料时,量子点环中能产生没有持续电荷流伴随的纯持续自旋流。不但可以通过调节量子点的能级等系统参数来对持续自旋流的大小和方向进行控制,而且量子点与外部电极之间的耦合强度也能改变量子点环内的持续自旋流的幅值。另外,我们研究了外部电极对持续自旋流的耗散作用的物理机制以及线性电导谱的峰值(零点)与持续自旋流零点(峰值)之间的联系。当没有外磁场且体系的拓扑构型为反对称耦合情形下,即使体系的几何对称性被打破,由于体系的时间反演对称性依然存在,所以纯的持续自旋流在一定条件下仍然可以在体系中存在。当有外部磁通穿过量子点环时,由于磁场能打破体系的时间反演对称性,环内不仅有持续自旋流,还会有持续电荷流伴随产生。另外,我们发现可以通过调节磁通相因子φ使某个自旋分量的持续电流完全受到抑制,从而获得具有单一自旋取向的持续电流或持续自旋流。然后,我们利用Nambu表象下的非平衡态格林函数方法,对超导电极/正常量子点环/超导电极混合介观系统中的持续电流和Josephson电流进行了理论研究。通过计算量子点环中各点间电流以及左电极中的Josephson(?)电流,我们发现,当两超导电极之间的相差φ和磁通相因子φ在某些取值区间时,持续电流能与Josephson电流共存于这样的混合量子点环体系中,并目总结出了持续电流的表达式。我们发现混合介观环中的持续电流可由体系的各种参数进行调节,如量子点能级、量子点与超导电极的耦合强度、磁通相因子φ等。由于正常导体/超导电极界面上的Andreev反射将量子点环内准粒子的量子相干与超导体内库柏对的量子相干联系起来,因此在量子点环中的持续电流不仅可由磁通相因子φ来调控,两个外部超导电极的相位差也可对环内的持续电流的大小和方向进行控制。最后,利用变分原理和有效质量近似,我们研究了横截面为矩形的量子线中的量子限制Stark效应。讨论了量子线的几何形状、外加电场的大小和方向对电子基态Stark能移的影响。分别得到了低电场和高电场极限下Stark能移的渐近展开式。发现在低电场时,Stark能移是电场的二次式,在强电场时,Stark能移是电场的一次式。量子线横截面形状能强烈的影响Stark能移,当电场沿量子线横截面的某条边施加时,Stark能移仅与这条边的尺寸有关。另外,我们将变分波函数得出的结果与相关文献中的结果进行了比较,验证了变分波函数形式的合理性。(本文来源于《东北大学》期刊2009-11-10）
宋迎新,郑卫民,刘静,初宁宁,李素梅[10]（2009）在《量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响》一文中研究指出采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清楚地观察到了叁条主要吸收线,它们分别来源于铍受主从基态到它的叁个奇宇称激发态的跃迁.实验结果表明:随着量子限制效应的增强,受主激发态寿命而减少,实验测得体材料中Be受主2p激发态的寿命是350 ps,而阱宽10 nm的多量子阱中的寿命是55 ps.量子限制效应对布里渊区折迭声学声子模的影响增强了受主带内空穴与声学声子相互作用,从而加快了受主带内空穴的弛豫过程.(本文来源于《物理学报》期刊2009年09期）
量子限制效应论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氮化物体系LED由于存在大的极化效应,量子限制斯塔克效应显着,即量子阱的能带发生倾斜,电子和空穴在空间分离,辐射复合效率下降。通过引入新型外延结构,可以降低极化电场的影响,从而提高内量子效率。本文采用阶梯型量子阱的新结构设计削弱量子限制斯塔克效应,提高电子和空穴的有效辐射复合几率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
量子限制效应论文参考文献
[1].姚惠林,路纲,陈朝辉.量子限制斯达克效应对叁角形量子阱吸光特性的影响[J].量子光学学报.2016
[2].郝长虹.浅谈LED外延生长的量子限制斯塔克效应[J].科技与企业.2015
[3].段雨.氢化纳米硅薄膜的拉曼光谱研究：量子限制与激光加热效应[D].上海交通大学.2012
[4]..新纳米晶体管展现强量子限制效应[J].光机电信息.2011
[5]..美制出硅纳米晶体管展现出明显的量子限制效应[J].中国粉体工业.2011
[6].郑冬冬.新纳米晶体管展现强量子限制效应[J].半导体信息.2011
[7].常丽君.硅纳米晶体管展现出强量子限制效应[N].科技日报.2011
[8].初宁宁,郑卫民,李素梅,宋迎新,刘静.量子限制效应对受主跃迁的影响[J].红外.2009
[9].易光宇.介观体系中的电子输运性质及量子限制Stark效应[D].东北大学.2009
[10].宋迎新,郑卫民,刘静,初宁宁,李素梅.量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响[J].物理学报.2009