导读:本文包含了绝缘层上的硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:绝缘层,效应,应变,阈值,晶体管,激光,多晶硅。
绝缘层上的硅论文文献综述写法
苗东铭,戴显英,吴淑静,赵天龙,邵晨峰[1]（2018）在《绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析》一文中研究指出为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算.模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显着增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降.最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2018年01期）
刘畅,卢继武,吴汪然,唐晓雨,张睿[2]（2015）在《超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性》一文中研究指出随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理.研究结果表明,在超短沟道情况下,HCI应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻.通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出,该现象是由于随着沟道长度的减小,HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的.此外,本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(Fin FET)中的结果相反.因此,在超短沟道情况下,SOI平面MOSFET器件有可能具有比Fin FET器件更好的HCI可靠性.(本文来源于《物理学报》期刊2015年16期）
周昕杰,李蕾蕾,周毅,罗静,于宗光[3]（2012）在《辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析》一文中研究指出基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持.(本文来源于《物理学报》期刊2012年20期）
刘红侠,尹湘坤,刘冰洁,郝跃[4]（2010）在《应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型》一文中研究指出分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.(本文来源于《物理学报》期刊2010年12期）
安俊明,吴远大,李健,王红杰,李建光[5]（2008）在《基于绝缘层上硅平坦化阵列波导光栅的单纤叁向器(英文)》一文中研究指出设计了基于绝缘层上硅(SOI)平坦化阵列波导光栅单纤叁向器.叁向器叁个波长(1310,1490和1550nm)工作在阵列波导光栅的叁个不同的衍射级数,并在阵列波导光栅的输入波导末端引入多模干涉器(MMI),实现了平坦响应的叁波长波分复用.模拟结果表明基于这一设计的叁向器3dB带宽为6nm,串扰小于-40dB,插损为5dB.制备的叁向器经测试输出光场清晰,实现了叁向器的功能.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年08期）
李德斌,梁仁荣,刘道广,许军[6]（2008）在《高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化》一文中研究指出采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点。(本文来源于《微电子学》期刊2008年01期）
张鹏飞,田果成,蔡林,钱佩信[7]（1993）在《绝缘层上硅膜-红外区熔再结晶过程中熔区的检测》一文中研究指出硅片上熔区温度的检测,是实现SOI(Silicon-on-Insulator)材料结构的区熔再结晶(ZMR)工艺的技术关键,也是技术难点之一.提供了一种适用于特定实验环境(高频、高压、高温)的具有特殊功能(高分辨率、易于瞄准)的光纤测温计,对于提高ZMR工艺的稳定性,可控性和良好的重复性具有重要意义.(本文来源于《传感器技术》期刊1993年06期）
林成鲁,邹世昌,沈宗雍[8]（1989）在《绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法》一文中研究指出绝缘层上多晶硅的激光再结晶所制备的SOI(sil con on insulator)材料,可用于制造高速、抗辐照器仲,复合功能电路及叁维结构的集成电路.它具有易于隔离(因而可以缩小电路尺寸,提高集成度),寄生电容小(因而可提高器件速度及工作频率),抗辐(本文来源于《物理》期刊1989年08期）
J,P,Colinge,常桂兰[9]（1986）在《使用选择性退火生长绝缘层上大晶粒硅》一文中研究指出选择性退火技术(在有图形的抗反射涂层的下面激光退火)已成功应用于生长很大(20微米×3000微米)的硅单晶。用常规光刻工艺控制晶粒的边界位置,所获得的晶粒是近乎完美的矩形。(本文来源于《微电子学》期刊1986年Z1期）
林成鲁,沈宗雍,邹世昌[10]（1985）在《绝缘层上多晶硅薄膜的激光再结晶》一文中研究指出在绝缘层上生长硅材料的 SOI(Silicon on Insulator)技术对于制作高密度的 MOS 电路与新型的叁维集成电路有重要的应用前景,近几年已引起了国际上许多国家的密切注意。这种 SOI 新材料可以利用激光束、电子束以及石墨条加热器等对绝缘层上多晶硅进行区域熔化再结晶获得。本文报告了利用调 Q 的 Nd∶YAG 激光与连续 Ar~+激光,对 SiO_2绝缘层上以低压化学汽相淀积(LPCVD)得到的多晶硅薄膜进行激光再结晶的研究结果。透射电镜(TEM)(本文来源于《人工晶体》期刊1985年Z1期）
绝缘层上的硅论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理.研究结果表明,在超短沟道情况下,HCI应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻.通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出,该现象是由于随着沟道长度的减小,HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的.此外,本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(Fin FET)中的结果相反.因此,在超短沟道情况下,SOI平面MOSFET器件有可能具有比Fin FET器件更好的HCI可靠性.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘层上的硅论文参考文献
[1].苗东铭,戴显英,吴淑静,赵天龙,邵晨峰.绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析[J].西安电子科技大学学报.2018
[2].刘畅,卢继武,吴汪然,唐晓雨,张睿.超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性[J].物理学报.2015
[3].周昕杰,李蕾蕾,周毅,罗静,于宗光.辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析[J].物理学报.2012
[4].刘红侠,尹湘坤,刘冰洁,郝跃.应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型[J].物理学报.2010
[5].安俊明,吴远大,李健,王红杰,李建光.基于绝缘层上硅平坦化阵列波导光栅的单纤叁向器(英文)[J].半导体学报.2008
[6].李德斌,梁仁荣,刘道广,许军.高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化[J].微电子学.2008
[7].张鹏飞,田果成,蔡林,钱佩信.绝缘层上硅膜-红外区熔再结晶过程中熔区的检测[J].传感器技术.1993
[8].林成鲁,邹世昌,沈宗雍.绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法[J].物理.1989
[9].J,P,Colinge,常桂兰.使用选择性退火生长绝缘层上大晶粒硅[J].微电子学.1986
[10].林成鲁,沈宗雍,邹世昌.绝缘层上多晶硅薄膜的激光再结晶[J].人工晶体.1985