导读:本文包含了场发射电流论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电流,阴极,碳纳米管,氟化,轴承,景深,电场。
场发射电流论文文献综述
胡家鸣,白保东,陈德志,关荣钰,丹枫林子[1]（2018）在《针对轴电流抑制问题的碳纳米管材料场发射研究》一文中研究指出针对电机的轴电流问题,提出一种利用碳纳米材料的场发射特性,通过非接触方式放电来抑制和消除轴电流的方法。首先,介绍了碳纳米材料的优越性,分析了碳纳米材料的场致发射特性。然后,分析了发射体尖端与阳极金属板之间的距离对电场强度的影响。最后,利用探针台、显微镜等微距离实验设备对TNF300型号碳纳米管纤维进行非真空条件下的场发射实验,得出不同距离下的碳纳米材料的电压和电流曲线,对数据进行处理之后绘制场发射特性曲线,并对不同距离下的结果进行对比分析。(本文来源于《电工技术学报》期刊2018年S1期）
魏金弟,张耿民[2]（2018）在《半球—圆柱型场发射体表面电场分析及场发射电流密度公式修正》一文中研究指出F-N理论适用于计算平面场发射或局部场发射电流密度,直接用来分析非平面发射体场发射性能时理论结果和实际结果存在偏差。本文以半球一圆柱场发射体为例,使用ansys软件分析了表面电场强度的变化规律,并据此计算了宏观发射电流与外加电场的关系。结果表明电场强度沿高度下降减小很快,发射电流主要来自顶部半球表面。宏观发射电流密度可以表示为J_M=α_nJ_C,其中J_C为特征发射电流密度即电场最强点处的发射电流密度,α_n为有效发射面积率,可近似表示为α_n=c_1F_M~(c_2)exp(-c_3/F_M),c_1,c_2,c_3为常数。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集》期刊2018-08-23）
邓子华,陈红梅,尹伟[3]（2018）在《探针电流对场发射扫描电镜图像的影响》一文中研究指出通过对电镜工作原理的研究,分析了不同探针电流对电镜图像分辨率、景深、荷电现象的影响因素,总结了选择最佳探针电流的原则。探针电流升高,束斑直径变大,信噪比变好,但图像分辨率下降,景深减小,荷电现象增强;探针电流降低,束斑直径减小,分辨率增高,景深增加,有利于减弱荷电现象,但是探针电流过小,噪声增大,聚焦困难,图像分辨率反而下降。实验表明,结合样品的特征,灵活地选择探针电流能显着地提高电镜图像质量。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2018年08期）
丹枫林子[4]（2018）在《基于碳纳米管场发射的电机轴承电流抑制实验研究》一文中研究指出共模电能存储于寄生阻抗中,电力电子驱动电路中零序回路所产生的高频共模信号会在设备中激发寄生阻抗,而旋转机械中的寄生电能却毫无规律地释放在定转子之间,这便引起了轴承等传动部件形成电离热腐蚀,轴承电流电腐蚀造成的轴承及传动机械部件失效已经成为电机传动与发电系统故障的主要原因之一。碳纳米管是一种准一维纳米材料,化学性质稳定且不易与其他物质发生反应,其重量轻且六边形结构完美连接,再加上其机械强度高、韧性好等结构特点和优越的电学性能,表现出优良的场发射性能。为了降低发射场强,采用多股碳纳米管纤维形成一种簇形结构的电能发射电极。碳纳米管端部尖端效应,形成较低的开启电压,实现大距离、无机械接触的空间电能传输条件,使轴承油隙两端被该电极在空间上电气旁路短接,消除两个相对运动的机械部件之间的寄生电能。基于碳纳米管纤维场致电能发射的机理研究及探索,将有可能建立一种新的空间电能传输方式(一种无线传输方式)的基础理论和试验研究方法,具有重要的理论意义和工程应用远景。本文首先介绍了电子发射的分类,着重介绍了金属场致电子发射理论和影响性能的因素。基于Fowler-Nordheim理论改进了碳纳米管场发射的F-N模型,结合发射体的品质参量,给出碳纳米管等效计算模型。在此基础之上,论证了碳纳米管的场发射机制与电场增强效应。其次,基于第二章的碳纳米管的等效计算模型,在CST软件中对单根碳纳米管就不同长径比和距离的影响进行仿真模拟,分别得出对碳纳米管尖端电势分布密度、场发射效应和电流密度的影响。同时,搭建碳纳米管场发射实验平台,对TNF300型号碳纳米管进行非真空条件下的场发射实验,得出不同距离下的碳纳米材料的电压电流值。对数据进行处理之后绘制场发射特性曲线,并对不同距离下的结果进行对比分析。最后,介绍了碳纳米管阵列,并给出碳纳米管纤维电极的示意图。类比了二极与叁极场发射结构的优缺点,初步建立碳纳米管阵列场发射的叁极结构模型,并着重对栅网网孔进行了优化,得到阳极获得最大的场致发射电流时,栅网尺寸存在的最佳的峰值关系。通过设计阴栅极保护电路,仿真得出栅极电压对发射电流的影响。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2018-06-01）
关荣钰[5]（2018）在《基于碳纳米管场发射的变频电机轴承电流抑制》一文中研究指出电机在工作过程中,常常轴两端存在着一定的电位差,一般称之为轴电压。一旦轴电压超过特定的阈值仍不采取相应措施,就会产生电流,即轴电流,到目前为止轴承电流问题尚未能很好地解决。在工程中,电机传动与发电系统故障的主要原因是轴承电流电腐蚀造成的轴承以及齿轮功能失效。碳纳米管是由碳原子按一定方式排列构成的石墨片层卷起而成的无缝且中空的管体。由于碳纳米管特异的能带结构,导致它量子效应非常明显。选择碳纳米管作为场发射实验研究的阴极材料,并不需要极高的电压就可以实现阴极的场发射。利用碳纳米管阈值电压低的特性,组成碳纳米管簇纤维正极,改变碳纳米管的管体长度,尖端曲率半径等得到较大的场增强因子,使碳纳米管簇纤维可以在较大的空间内实现场发射,实现电机中定子转子间非接触状态下的寄生电能的释放,从而保护电机的轴承与传动部件,延长电机的工作年限。本论文首先对碳纳米管场发射的国内外学者的研究进展进行分类总结,在对碳纳米管场发射的理论研究基础之上,研究碳纳米管的冷阴极发射性质,研究碳纳米管的生长机理和碳纳米管生长过程中的取向控制,研究场发射的影响因素和改善途径。然后在此研究基础上,比较得出最合适的场发射研究方法。其次,利用现有的有限元软件COMSOL模拟仿真单根碳纳米管电场分布,它是基于设置不同长度和直径的单根碳纳米管的仿真模拟,找到一定电压下能够实现场发射条件的碳纳米管。搭建碳纳米管场发射实验平台,手动调节钨针阳极和碳纳米管阴极间的距离,开展碳纳米管室温标准气压下场发射实验,并利用示波器显示碳纳米管材料的电压电流曲线。研究发现阴阳极距离40.5μm,电压值在65V时开始良好场发射。选择符合场发射条件的数据绘制场发射特性曲线。最后,利用有限元分析软件ANSYS,仿真研究平面碳纳米管阵列和平面突起结构型碳纳米管阵列的场强分布。发现碳纳米管阵列的场发射能力与场强之间存在很大的相关性,平面型冷阴极的发射电流相对于平面突起结构冷阴极而言,往往可以忽略。平面突起结构型冷阴极结构着实能够增大碳纳米材料的场发射电流。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2018-06-01）
佟钰,张婷,王琳,谢巧玲[6]（2014）在《大电流碳纳米管场发射体及其长期稳定性研究》一文中研究指出为获取亮度高、使用寿命长的场发射电子源,以具有宏观长度的定向单壁碳纳米管绳为研究对象,考察了测试样品对场发射电流的极限负载能力及其在高真空、大电流条件下的发射稳定性。研究结果表明,单根直径约100?m的碳纳米管绳即可负载高达1~3 mA的场发射电流;在恒压、大电流(约0.7 mA)情况下的稳定性测试中,样品仍表现出较高的发射稳定性,9 h电流衰退值为25%~35%,且稳定性随工作电压的降低而进一步改善;ZnO纳米涂层对碳纳米管绳发射稳定性有一定的改善作用。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2014年08期）
颜敏,蔡寿金,陈填源,叶芸,林志贤[7]（2013）在《电泳电流对石墨烯阴极场发射性能的影响研究》一文中研究指出采用电泳沉积法,在Ag浆导电厚膜衬底电极上制备石墨烯场发射阴极。研究不同电泳电流对石墨烯阴极表面形貌和场发射性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)对其进行形貌表征,结果表明,随着电流的增大,石墨烯阴极的厚度不断地增加。场发射测试结果表明:不同电泳电流下制备的石墨烯阴极的场发射性能不同。在电泳电流为6mA时,所获得的石墨烯层均匀连续,其场发射性能最佳,开启场强为0.64V/μm,阈值电场为0.99V/μm;当电场为1.0V/μm时,发光亮度为1056cd/m2。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
崔云康,张晓兵,雷威,王琦龙,狄云松[8]（2013）在《大电流碳纳米管场发射阴极研究》一文中研究指出报道了在较大发射面积上获得较大场发射电流的碳纳米管场发射阴极。为了加强场发射电流,在丝网印刷浆料中增加一种金属纳米颗粒,金属颗粒增强了碳纳米管发射体和衬底的接触,提高碳纳米管和衬底的粘附作用。利用改进后的丝网印刷方法制备了大电流碳纳米管场发射阴极,测得最大发射电流为68.0mA,阴极有效发射面积约1.1mm2,发射电流密度约6.2A/cm2;并成功将改进方法制备的大电流场发射碳纳米管阴极应用于场发射真空器件原型。实验证明这种具有较大发射电流和较大发射电流密度的场发射能够满足部分大功率电子器件的需求。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2013年06期）
方建放,邹儒佳,薛绍林[9]（2010）在《电流法改善碳纳米管阴极场发射特性》一文中研究指出针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出电流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性。利用扫描电子显微镜表征电流法处理前后CNTs阴极表面形貌变化,并对处理前后CNTs阴极进行场发射特性测试。结果表明,电流法处理后CNTs阴极表面残留有机物被破坏,开启电场从2.4V/μm降低到1.6V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1cm×1cm)在2.6V/μm场强下的发射电流由30μA提高到了800μA,说明电流处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用。该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值。(本文来源于《光电子技术》期刊2010年02期）
刘雄飞,徐根,李伯勋[10]（2010）在《掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究》一文中研究指出采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.(本文来源于《郑州大学学报(工学版)》期刊2010年01期）
场发射电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
F-N理论适用于计算平面场发射或局部场发射电流密度,直接用来分析非平面发射体场发射性能时理论结果和实际结果存在偏差。本文以半球一圆柱场发射体为例,使用ansys软件分析了表面电场强度的变化规律,并据此计算了宏观发射电流与外加电场的关系。结果表明电场强度沿高度下降减小很快,发射电流主要来自顶部半球表面。宏观发射电流密度可以表示为J_M=α_nJ_C,其中J_C为特征发射电流密度即电场最强点处的发射电流密度,α_n为有效发射面积率,可近似表示为α_n=c_1F_M~(c_2)exp(-c_3/F_M),c_1,c_2,c_3为常数。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射电流论文参考文献
[1].胡家鸣,白保东,陈德志,关荣钰,丹枫林子.针对轴电流抑制问题的碳纳米管材料场发射研究[J].电工技术学报.2018
[2].魏金弟,张耿民.半球—圆柱型场发射体表面电场分析及场发射电流密度公式修正[C].中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集.2018
[3].邓子华,陈红梅,尹伟.探针电流对场发射扫描电镜图像的影响[J].实验室研究与探索.2018
[4].丹枫林子.基于碳纳米管场发射的电机轴承电流抑制实验研究[D].沈阳工业大学.2018
[5].关荣钰.基于碳纳米管场发射的变频电机轴承电流抑制[D].沈阳工业大学.2018
[6].佟钰,张婷,王琳,谢巧玲.大电流碳纳米管场发射体及其长期稳定性研究[J].电子元件与材料.2014
[7].颜敏,蔡寿金,陈填源,叶芸,林志贤.电泳电流对石墨烯阴极场发射性能的影响研究[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[8].崔云康,张晓兵,雷威,王琦龙,狄云松.大电流碳纳米管场发射阴极研究[J].强激光与粒子束.2013
[9].方建放,邹儒佳,薛绍林.电流法改善碳纳米管阴极场发射特性[J].光电子技术.2010
[10].刘雄飞,徐根,李伯勋.掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究[J].郑州大学学报(工学版).2010
论文知识图
