导读:本文包含了抽运机制论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:诱导,薄膜,半导体,激射,激光,机制,过程。
抽运机制论文文献综述
谭宝林[1]（2014）在《磁场梯度抽运机制:一个新的日冕加热途径(英文)》一文中研究指出The solar coronal heating is a longstanding mystery in astrophysics.Considering that the solar magnetic field is spatially inhomogeneous with considerable magnetic gradient from solar surface to the corona,this work proposes a magnetic gradient pumping(MGP)mechanism and try to explain the formation of hot plasma upflows,such as the hot type II spicules and hot plasma(本文来源于《中国天文学会2014年学术年会论文摘要集》期刊2014-10-27）
田野[2]（2012）在《硅基ZnO系薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制》一文中研究指出ZnO由于具有3.37eV的宽直接带隙,60meV的高激子束缚能等优点,被认为是优异的紫外发光材料。同时,ZnO还具有较高的折射率。因此,近十年来ZnO薄膜的随机激射引起了人们巨大的研究热情。在ZnO薄膜的光抽运随机激射得到充分研究的基础上,近年来人们以多种方式实现了ZnO薄膜的电抽运随机激射。需要指出的是,ZnO与MgO形成的合金半导体MgZnO的禁带宽度比ZnO的更大；而ZnO与CdO形成的合金半导体CdZnO的禁带宽度比ZnO的更小。因此,若能实现MgZnO和CdZnO薄膜的电抽运随机激射,则可使ZnO系薄膜的电抽运随机激射的波长覆盖紫外(甚至深紫外)至可见光区。众所周知,Si作为最重要的半导体被广泛用于微电子器件的制造,然而由于间接带隙的限制,Si不能作为发光器件的活性层。因此,如果能实现Si基ZnO系薄膜的电抽运随机激射,则不仅可发挥ZnO和Si各自的优势,而且还有可能为某些硅基光电子器件提供所需的光源。本文详细地研究了硅基ZnO、MgZnO和CdZnO薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制。在制备以硅基ZnO、MgZnO和CdZnO薄膜为发光层的异质结或金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的基础上,对这些器件的发光特性及其发光机制进行了研究,取得如下有创新意义的结果：(1)利用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了MgxZn1-xO (x=0,0.05,0.15,0.2,0.25, 0.35,0.8)薄膜,并以它们为半导体层形成MIS器件。在足够高的正向偏压(硅衬底接负压)下,器件均可产生来自于MgxZn1-xO薄膜的紫外随机激射。当Mg的组分在x=0～0.35间变化时,随着MgxZn1-xO薄膜中Mg含量的增高,随机激射的中心波长从～380nm逐渐蓝移到～356nm；而当Mg的组分增至x=0.8时,器件的随机激射的中心波长移至～285nm。从MgxZn1-xO薄膜的光增益和光多重散射的角度,阐明了上述电抽运随机激射现象的物理机制。(2)利用射频溅射法在硅衬底上制备了ZnO/CdO双层膜结构,通过高温热处理,使双层膜的组分发生互扩散,从而形成Cd和Zn组分渐变的CdxZn1-xO薄膜。利用此薄膜作为发光层,制备了SiO2/ZnO-CdO/SiO2双势垒结构器件,实现了紫外光和可见光并存的电抽运随机激射。研究表明,其紫外及可见光区的随机激射分别来源于SiO2/ZnO界面处附近的ZnO薄膜和其以下的组分渐变的CdxZn1-xO薄膜。(3)利用射频溅射法制备了Cd组分较高的CdZnO薄膜。通过对薄膜进行Ar气氛下不同温度的快速热处理,实现了CdZnO薄膜在可见光区的发光波长从-490nm到～425nm的可调。在硅衬底上制备了以上述薄膜为半导体层的MIS器件。在足够大的正向偏压下,器件在可见光区均产生了随机激射。随着CdZnO薄膜的快速热处理温度的升高,器件的随机激射中心波长从～490nm蓝移～430nm。研究表明,在MIS器件制备过程中,作为绝缘层的SiO2薄膜必须在足够低的温度下制备,才有可能保持CdZnO薄膜的发光性能不发生变化。(4)在硅衬底上制备了基于MgxZn1-xO/ZnO(x=0.25或1)异质结的器件,其中ZnO薄膜作为发光层,分别由溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备;MgxZn1-xO薄膜作为势垒层。溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜晶粒取向更多且较为疏松,因而具有更强的光散射能力。当异质结中的ZnO薄膜由溶胶-凝胶法制备时,两种异质结器件在足够大的正向电流下都可产生随机激射；而当异质结中的ZnO薄膜由溅射法制备时,仅有MgO/ZnO异质结器件才在合适的电流下产生随机激射。分析表明：对于ZnO薄膜的电抽运随机激射,其光增益和光散射能力间存在补偿关系。即：光散射能力较强时,随机激射可在光增益较小的情况下产生。(5)在重掺N型硅衬底上制备了以Mg0.15Zn0.85O薄膜作为发光层,MgxZn1-xO (x=0.2,0.25,0.35)薄膜作为势垒层的异质结。在足够大的正向电流下,当势垒层为Mg0.2Zn0.8O薄膜时,异质结的电致发光表现为从可见到紫外光区的自发辐射；而当势垒层为Mg0.25Zn0.75O或Mg0.35Zn0.65O薄膜时,异质结在紫外光区产生随机激射,同时在可见光区产生自发辐射。分析表明,足够大的电子势垒是上述异质结产生随机激射的必要条件。对发光层为Mg0.15Zn0.85O薄膜的异质结来说,产生电抽运随机激射所需的电子势垒较小,大约为0.17eV。(6)研究了不同的ZnO薄膜的光抽运和电抽运随机激射在阈值上的差异。对溅射法制备的ZnO薄膜分别做不同温度的热处理,并在硅衬底上制备以此热处理后的ZnO薄膜作为半导体层的MIS器件。经高温处理后的ZnO薄膜具有较大的光增益,而经低温处理后的ZnO薄膜具有较强的光散射能力。对光抽运随机激射而言,经过高温热处理的ZnO薄膜产生随机激射的阈值较低。而对电抽运随机激射而言,基于两种ZnO薄膜的MIS器件产生随机激射的阈值几乎相同。从光抽运和电抽运两种情况下的载流子分布情况以及对光多重散射情况的分析出发,对此两种情况下激射阈值的差异进行了解释。(本文来源于《浙江大学》期刊2012-04-20）
陶宗明,张寅超,吕勇辉,胡顺星,邵石生[3]（2004）在《Nd:YAG四倍频激光抽运甲烷后的受激拉曼效应及其物理机制分析》一文中研究指出从理论上分析了激光被聚焦到高压气体内可能发生各种非线性现象的规律及其相互作用和相互干扰 .在实验中把Nd :YAG四倍频激光聚焦到充有甲烷的拉曼管内 ,测各阶斯特克斯光输出能量与气压pa、透镜焦距f和输入能量Ep 之间的关系 .实验结果与理论分析定性地相符合 ,这就为我们优化和利用受激拉曼过程提供了理论和实验依据 .(本文来源于《物理学报》期刊2004年08期）
陈景标,杨东海[4]（1998）在《小型光抽运铯束频标在不同抽运-检测机制下的光频移》一文中研究指出本文对光抽运铯束频标中４种不同的光抽运、光检测机制下的光频移及其对频标频率准确度的影响作了计算。同时还计算了铯炉温度、微波功率及激光功率等因素的变化对光频移引起的频率移动的影响。(本文来源于《计量学报》期刊1998年02期）
抽运机制论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ZnO由于具有3.37eV的宽直接带隙,60meV的高激子束缚能等优点,被认为是优异的紫外发光材料。同时,ZnO还具有较高的折射率。因此,近十年来ZnO薄膜的随机激射引起了人们巨大的研究热情。在ZnO薄膜的光抽运随机激射得到充分研究的基础上,近年来人们以多种方式实现了ZnO薄膜的电抽运随机激射。需要指出的是,ZnO与MgO形成的合金半导体MgZnO的禁带宽度比ZnO的更大；而ZnO与CdO形成的合金半导体CdZnO的禁带宽度比ZnO的更小。因此,若能实现MgZnO和CdZnO薄膜的电抽运随机激射,则可使ZnO系薄膜的电抽运随机激射的波长覆盖紫外(甚至深紫外)至可见光区。众所周知,Si作为最重要的半导体被广泛用于微电子器件的制造,然而由于间接带隙的限制,Si不能作为发光器件的活性层。因此,如果能实现Si基ZnO系薄膜的电抽运随机激射,则不仅可发挥ZnO和Si各自的优势,而且还有可能为某些硅基光电子器件提供所需的光源。本文详细地研究了硅基ZnO、MgZnO和CdZnO薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制。在制备以硅基ZnO、MgZnO和CdZnO薄膜为发光层的异质结或金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的基础上,对这些器件的发光特性及其发光机制进行了研究,取得如下有创新意义的结果：(1)利用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了MgxZn1-xO (x=0,0.05,0.15,0.2,0.25, 0.35,0.8)薄膜,并以它们为半导体层形成MIS器件。在足够高的正向偏压(硅衬底接负压)下,器件均可产生来自于MgxZn1-xO薄膜的紫外随机激射。当Mg的组分在x=0～0.35间变化时,随着MgxZn1-xO薄膜中Mg含量的增高,随机激射的中心波长从～380nm逐渐蓝移到～356nm；而当Mg的组分增至x=0.8时,器件的随机激射的中心波长移至～285nm。从MgxZn1-xO薄膜的光增益和光多重散射的角度,阐明了上述电抽运随机激射现象的物理机制。(2)利用射频溅射法在硅衬底上制备了ZnO/CdO双层膜结构,通过高温热处理,使双层膜的组分发生互扩散,从而形成Cd和Zn组分渐变的CdxZn1-xO薄膜。利用此薄膜作为发光层,制备了SiO2/ZnO-CdO/SiO2双势垒结构器件,实现了紫外光和可见光并存的电抽运随机激射。研究表明,其紫外及可见光区的随机激射分别来源于SiO2/ZnO界面处附近的ZnO薄膜和其以下的组分渐变的CdxZn1-xO薄膜。(3)利用射频溅射法制备了Cd组分较高的CdZnO薄膜。通过对薄膜进行Ar气氛下不同温度的快速热处理,实现了CdZnO薄膜在可见光区的发光波长从-490nm到～425nm的可调。在硅衬底上制备了以上述薄膜为半导体层的MIS器件。在足够大的正向偏压下,器件在可见光区均产生了随机激射。随着CdZnO薄膜的快速热处理温度的升高,器件的随机激射中心波长从～490nm蓝移～430nm。研究表明,在MIS器件制备过程中,作为绝缘层的SiO2薄膜必须在足够低的温度下制备,才有可能保持CdZnO薄膜的发光性能不发生变化。(4)在硅衬底上制备了基于MgxZn1-xO/ZnO(x=0.25或1)异质结的器件,其中ZnO薄膜作为发光层,分别由溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备;MgxZn1-xO薄膜作为势垒层。溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜晶粒取向更多且较为疏松,因而具有更强的光散射能力。当异质结中的ZnO薄膜由溶胶-凝胶法制备时,两种异质结器件在足够大的正向电流下都可产生随机激射；而当异质结中的ZnO薄膜由溅射法制备时,仅有MgO/ZnO异质结器件才在合适的电流下产生随机激射。分析表明：对于ZnO薄膜的电抽运随机激射,其光增益和光散射能力间存在补偿关系。即：光散射能力较强时,随机激射可在光增益较小的情况下产生。(5)在重掺N型硅衬底上制备了以Mg0.15Zn0.85O薄膜作为发光层,MgxZn1-xO (x=0.2,0.25,0.35)薄膜作为势垒层的异质结。在足够大的正向电流下,当势垒层为Mg0.2Zn0.8O薄膜时,异质结的电致发光表现为从可见到紫外光区的自发辐射；而当势垒层为Mg0.25Zn0.75O或Mg0.35Zn0.65O薄膜时,异质结在紫外光区产生随机激射,同时在可见光区产生自发辐射。分析表明,足够大的电子势垒是上述异质结产生随机激射的必要条件。对发光层为Mg0.15Zn0.85O薄膜的异质结来说,产生电抽运随机激射所需的电子势垒较小,大约为0.17eV。(6)研究了不同的ZnO薄膜的光抽运和电抽运随机激射在阈值上的差异。对溅射法制备的ZnO薄膜分别做不同温度的热处理,并在硅衬底上制备以此热处理后的ZnO薄膜作为半导体层的MIS器件。经高温处理后的ZnO薄膜具有较大的光增益,而经低温处理后的ZnO薄膜具有较强的光散射能力。对光抽运随机激射而言,经过高温热处理的ZnO薄膜产生随机激射的阈值较低。而对电抽运随机激射而言,基于两种ZnO薄膜的MIS器件产生随机激射的阈值几乎相同。从光抽运和电抽运两种情况下的载流子分布情况以及对光多重散射情况的分析出发,对此两种情况下激射阈值的差异进行了解释。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
抽运机制论文参考文献
[1].谭宝林.磁场梯度抽运机制:一个新的日冕加热途径(英文)[C].中国天文学会2014年学术年会论文摘要集.2014
[2].田野.硅基ZnO系薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制[D].浙江大学.2012
[3].陶宗明,张寅超,吕勇辉,胡顺星,邵石生.Nd:YAG四倍频激光抽运甲烷后的受激拉曼效应及其物理机制分析[J].物理学报.2004
[4].陈景标,杨东海.小型光抽运铯束频标在不同抽运-检测机制下的光频移[J].计量学报.1998
论文知识图
