单层二硫化钼的制备及其晶界的原位光学表征

论文摘要

近年来,新兴的二维过渡金属硫族化合物(TMDs)材料一直是研究的热点。其中,二硫化钼(MoS2)的优异性能引起了人们的广泛关注。TMDs材料制备方法多样,然而所制备的材料都不可避免地存在着晶界缺陷。晶界的存在会对材料的性能产生很大影响,人们通过各种方法来研究它。传统的研究方法存在很多局限性如操作复杂、耗时、引入人为缺陷等。这里报道了一种通过光学显微镜直接观察MoS2晶界的方法:通过化学气相沉积法(CVD)成功制备了大面积单层MoS2,将铜沉积在MoS2的表面在光学显微镜下可以直接观察到MoS2的晶界,实现了对其晶界的原位光学显微观测。同时,借助扫描电子显微镜(SEM)等进一步证实了该方法的简便可靠性。

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 原料与仪器
•   1.2 二硫化钼材料的制备
•   1.3 热蒸镀沉积铜及相关处理
• 2 结果与讨论
•   2.1 二硫化钼的表征分析
•   2.2 二硫化钼晶界的表征分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙璐璐,刘保强,建方方

关键词: 化学气相沉积,二硫化钼,晶界,光学显微镜,原位观测

来源: 青岛科技大学学报(自然科学版) 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 青岛科技大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金项目(21573253)

分类号: TQ136.12

DOI: 10.16351/j.1672-6987.2019.01.009

页码: 53-56

总页数: 4

文件大小: 411K

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