区域熔炼提纯超高纯锗

论文摘要

采用区域熔炼生长单晶的方法提纯超高纯锗,采用镀碳膜石英舟为容器,提纯后的锗锭在液氮温度下检测净杂质浓度。实验讨论了区熔次数和保护气氛对提纯效果的影响,结果表明区熔次数的增加可以明显提高提纯效果,在10～20次的范围内,最佳区熔次数为20次;在氢气氛围下提纯可避免微量氧对提纯的不利影响,有利于得到更高纯度的锗。实验提纯得到的锗锭净杂质浓度最低为5×1010cm-3。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 材料
•   1.2 方法
•     1.2.1 镀膜
•     1.2.2 区域熔炼
•     1.2.3 检测
• 2 结果与讨论
•   2.1 区熔次数的影响
•   2.2 保护气氛的影响
•     2.2.1 氮气气氛
•     2.2.2 氢气氛围
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 赵青松,牛晓东,黄幸慰,朱刘

关键词: 超高纯锗,区域熔炼,区熔次数,净杂质浓度

来源: 广州化工 2019年17期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 核科学技术

单位: 广东先导先进材料股份有限公司,清远先导材料有限公司,广东先导稀贵金属材料有限公司,广东先导稀材股份有限公司,先导薄膜材料(广东)有限公司

分类号: TL81

页码: 88-90

总页数: 3

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