导读:本文包含了晶体管匹配论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:晶体管,放大器,增益,共轭,失配,功率,导纳。
晶体管匹配论文文献综述写法
孙国仁,刘红兵[1]（2013）在《微波晶体管窄带放大器级间匹配电路设计》一文中研究指出微波放大器的级间匹配是两个复数阻抗之间的双端口共轭匹配,但目前多数资料很少介绍这种共轭匹配电路的具体设计。基于微波传输线基本理论,详细介绍了用Smith导抗圆图直接进行级间共轭匹配的匹配理念和设计方法。在原理设计之后,可用CAD软件直接进行电路仿真和优化。介绍了一个实例的设计步骤。最后给出了一个两级放大器的原理设计参数和仿真与优化结果。此方法的特点是:对于指定要匹配的两个复数,可设计出诸如┏型、┓型、T型、∏型以及纯串联型等多种匹配电路来,通过比较,可获得最佳匹配电路;匹配电路中传输线的特性阻抗可根据具体情况自由选择,从而可获得较好的微带线线宽。此设计方法最适合点频和窄带匹配电路的设计,对较宽频带的设计也有参考价值。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年05期）
周永强,王立新,张万荣,夏洋,谢红云[2]（2011）在《射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取》一文中研究指出金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用叁维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线的选取,给出了相应的优化设计措施。(本文来源于《电子器件》期刊2011年04期）
徐永刚,蔡昱,王义[3]（2010）在《C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制》一文中研究指出微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研制的大功率、高效率的GaAs内匹配晶体管(简称内匹配功率管),它采用4枚南京电子器件研究所研制的30.24 mmHFET晶体管,匹配电路使用集总参数与分布参数相结合的形式,将器件的输入输出端口阻抗匹配到50Ω。最终研制的内匹配功率管在5.3～5.9 GHz频带范围内,输出功率大于45 W,功率增益大于10 dB,功率附加效率大于41%。(本文来源于《2010’全国半导体器件技术研讨会论文集》期刊2010-07-16）
郭潇菲,刘凤莲,王传敏[4]（2009）在《微波功率晶体管放大器匹配电路的设计》一文中研究指出对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。(本文来源于《微波学报》期刊2009年05期）
邱旭,李剑锋,崔玉兴,余若祺,张博闻[5]（2009）在《C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管》一文中研究指出报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试,当器件Vds=10V时,在5.3~5.7GHz频段输出功率P0≥47.8dBm(60.3W),功率附加效率PAE≥42.8%,其中在5.5GHz频率点,输出功率达到48dBm(63.1W),附加效率为46.8%。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2009年08期）
刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波[6]（2007）在《截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)》一文中研究指出报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年12期）
刁冬梅,杨银堂,朱樟明[7]（2007）在《MOS晶体管的阈值电压不匹配特性》一文中研究指出集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原予服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/VT遵循与1/(?)成比例的结论。(本文来源于《电子科技》期刊2007年05期）
王康寿,丁钟琦[8]（2006）在《晶体管高频放大器的最佳匹配》一文中研究指出论述了晶体管高频谐振放大器的3种匹配条件,并证明了第3种匹配是最佳匹配,其电压和功率放大倍数都最大.(本文来源于《海南大学学报(自然科学版)》期刊2006年03期）
陈伟权[9]（2005）在《晶体管不匹配补偿研究》一文中研究指出集成电路工艺过程中，工艺参数的分布会引起器件结构参数和电学参数变化。随着半导体技术不断发展，加工尺寸不断缩小，工艺参数的分布导致的器件电学参数分布，直接引起电路失配以及成品率的降低，工艺参数导致的器件失配成为设计过程中必须考虑的因素。本文通过集成电路工艺等比例缩小原则带来的相关效应，阐述了MOSFET电学参数分布的主要原因。总结了MOSFET失配对电路性能的影响及消除技术，介绍了版图设计方法和电子学方法消除失配的原理。针对电流镜和DRAM读出放大器，设计了补偿电路，采用TSMC0． 25um标准CMOS工艺参数进行定量分析与仿真验证，仿真结果证明补偿电路实用有效，达到了预期的设计目的。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2005-01-01）
张广,郑武团[10]（2003）在《潜在不稳定条件下实现双共轭匹配的晶体管放大器特性分析》一文中研究指出对潜在不稳定条件下的晶体管放大器实现双共轭匹配特性进行了探讨 ,求出晶体管稳定后的参数 ,为进一步判断实现双共轭匹配后电路的稳定性和求最大增益提供了便利 ,并给出了具体实例(本文来源于《陕西师范大学学报(自然科学版)》期刊2003年S1期）
晶体管匹配论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用叁维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线的选取,给出了相应的优化设计措施。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体管匹配论文参考文献
[1].孙国仁,刘红兵.微波晶体管窄带放大器级间匹配电路设计[J].半导体技术.2013
[2].周永强,王立新,张万荣,夏洋,谢红云.射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取[J].电子器件.2011
[3].徐永刚,蔡昱,王义.C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制[C].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010
[4].郭潇菲,刘凤莲,王传敏.微波功率晶体管放大器匹配电路的设计[J].微波学报.2009
[5].邱旭,李剑锋,崔玉兴,余若祺,张博闻.C波段60WGaAs大功率内匹配晶体管[J].微纳电子技术.2009
[6].刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波.截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)[J].半导体学报.2007
[7].刁冬梅,杨银堂,朱樟明.MOS晶体管的阈值电压不匹配特性[J].电子科技.2007
[8].王康寿,丁钟琦.晶体管高频放大器的最佳匹配[J].海南大学学报(自然科学版).2006
[9].陈伟权.晶体管不匹配补偿研究[D].西安电子科技大学.2005
[10].张广,郑武团.潜在不稳定条件下实现双共轭匹配的晶体管放大器特性分析[J].陕西师范大学学报(自然科学版).2003