导读:本文包含了随机晶场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:模型,临界,相图,横向,稀疏,磁场,性质。
随机晶场论文文献综述
李晓杰,曹凤,李新军,董明慧,尹田田[1]（2019）在《双模随机同向晶场对spin-1和spin-1/2混合自旋纳米管中Blume-Capel模型平均磁化强度的影响》一文中研究指出利用有效场理论研究了纳米管上双模随机同向晶场中混合自旋Blume-Capel模型格点的平均磁化强度,得到了系统格点的平均磁化强度与双模随机晶场的取值概率、外磁场、晶场参数和晶场强度比值的关系.结果表明:取值概率、外磁场、交换相互作用、晶场强度比值和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化现象;双模随机同向晶场会抑制系统的平均磁化强度,使其基态饱和值小于5/6;外磁场导致系统的二级相变消失;一定条件下系统发生一级相变;系统的平均磁化强度呈现部分缺失和负值现象.(本文来源于《低温物理学报》期刊2019年03期）
李晓杰,刘中强,王春阳,徐玉良,孔祥木[2]（2015）在《双模随机晶场对纳米管上Blume-Capel模型磁化强度和相变的影响》一文中研究指出近年来,磁性纳米管的物理性质和相关应用得到了人们的广泛关注.利用有效场理论研究了纳米管上双模随机晶场中Blume-Capel模型的磁化强度和相变性质,得到了系统的磁化强度与温度和随机晶场的关系及其相图.结果表明:系统在稀释晶场、交错晶场和同向晶场中会表现出不同的磁学性质和相变行为;稀释晶场和交错晶场会抑制系统的磁化强度,导致其基态饱和值小于1,而同向晶场则不会;随着随机晶场参量的变化,系统存在多个相变温度,并呈现出叁临界现象和重入现象.(本文来源于《物理学报》期刊2015年24期）
徐常清[3]（2014）在《横向晶场和键随机的混合自旋系统的临界行为和磁化性质》一文中研究指出本文在有效场理论和切断近似框架内，研究横向晶场和键随机的混合自旋系统的临界行为和磁化性质。展示了新的补偿现象和阈值效应。首先，研究了横向晶场和外场下S=1/2和S=1的简立方晶格的混合自旋系统的补偿行为。在M T和M h空间内，系统分别展现了温度补偿点和磁补偿点(T k和hk)。在零或非零磁场下，正横向晶场诱导单或双温度补偿点；负横向晶场不诱导或诱导单温度补偿点。横向晶场可以诱导和调节单磁补偿点。在弱磁场和强横向晶场的共同作用下可以观察到磁化曲线产生复杂的振荡。当温度升高，可以诱导磁补偿点的正/负横向晶场的范围呈现相反的变化趋势，同时振荡现象受到削弱。横向晶场对温度补偿点和磁补偿点的影响在此工作中被着重讨论。其次，研究了横向晶场和二模外场下S=1/2和S=1的简立方晶格的键稀疏混合自旋系统的阈值行为。A型双叁临界点和蛇形重入现象可以在纯键和强二模外场的情况下被观察到。由于键稀疏的存在，有序相被急剧削弱。在寻常键逾渗阈值下，正横向晶场可以诱导磁有序相。二模外场可以压制诱导有序相并形成一系列闭合有序区域。定义了非寻常键逾渗阈值，在非寻常键逾渗阈值时诱导有序相彻底消失。讨论了二模外场和键逾渗阈值对诱导有序相的不同作用。(本文来源于《苏州大学》期刊2014-04-01）
丁直,晏世雷[4]（2013）在《二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为》一文中研究指出在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对叁临界点的作用值得更多研究.在T-D相图中,负晶场比例较大降低有序相,正晶场比例较大增大有序相;强二模磁场和横场都抑制有序相,但强二模磁场有利于叁临界点的出现,而横场抑制叁临界点.在T-Ω相图中,晶场和晶场浓度对有序相范围有显着影响.(本文来源于《常熟理工学院学报》期刊2013年04期）
丁直[5]（2013）在《随机磁场和晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的临界性质和磁化行为》一文中研究指出本文在有效场理论的和切断近似的框架内，研究随机磁场和晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的临界性质和磁化行为。首先，考察了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的临界性质。在T-h相图中，晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑；大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象；但横场对叁临界点的作用值得更多研究。在T-D相图中，负晶场比例较大降低有序相，正晶场比例较大增大有序相；强二模磁场和横场都抑制有序相，但强二模磁场有利于叁临界点的出现，而横场抑制叁临界点。在T相图中，晶场和晶场浓度对有序相范围有显着影响。其次，研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的磁化过程。在M-T空间，给出了叁个晶场浓度下起始磁化的简并行为，不同晶场范围之间观察到一个或多个分界线存在；横场打开起始磁化的简并。在M T空间观察到双温度补偿点或叁温度补偿点，受到横场影响后削弱为单温度补偿。最后，讨论了叁模磁场中纯晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的临界性质和补偿行为。在相空间，横场打开基态的磁场简并，削弱重入现象。重点考察的是横场和叁模磁场对叁临界点的影响。在磁化空间，横场打开零温时起始磁化的简并。同时描述的还有给定横场和磁场下，温度补偿点和磁补偿点随晶场的变化关系。(本文来源于《苏州大学》期刊2013-04-01）
朱海霞,晏世雷[6]（2011）在《随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究》一文中研究指出在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的叁维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,叁临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,叁临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。(本文来源于《山东大学学报(理学版)》期刊2011年01期）
陈万霞[7]（2010）在《键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料的临界行为和磁学性质》一文中研究指出本文在有效场理论的框架内,基于简立方晶格讨论了自旋为S=1的键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths(BEG)模型的临界行为和磁学性质。键稀疏、随机混合(±)晶场,偶极与偶极相互作用与交换相互作用的比率(α)之间的相互影响使BEG模型展示出一些新的现象。当模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双叁临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度增加而扩大,晶场的两种不同随机行为强力地影响一级相变区和重入相变。当α>0时,在T-D平面内,当满足特定的无序条件时,相图上出现了叁临界点和相变盲区。值得注意的是,当引入强键稀疏时,随着随机晶场浓度的变化,相变线上出现了单叁临界点,甚至双叁临界点。当α<0时,对于所有的键稀疏和随机晶场浓度条件下都不会出现叁临界点,与α>0相比,相图中的盲区明显扩大。在外场下,键稀疏和随机晶场两种无序因子共同作用使磁化和磁化率曲线呈现出一种不规则的行为。例如,在较大的负晶场区域中,在χ-T平面内,磁化率曲线出现双峰现象。当α<-1时,相图中同时给出了铁磁-顺磁的相界,交错磁-顺磁相界和无序相的交点,即双临界点。另外,在一定的随机晶场范围内铁磁-顺磁相界和交错磁-顺磁相界的交点-----双临界点消失。更重要的是,在T-D图中,在一定的键稀疏范围内出现了铁磁相和交错磁相的共存区,这些现象在之前的文献里都未曾报道。因此,比率α、晶场D、可调正负晶场参量l、键稀疏和随机晶场浓度两种无序因子对临界行为和磁学性质有重要的影响。(本文来源于《苏州大学》期刊2010-05-01）
李敦然[8]（2010）在《随机外场和晶场作用下横场Ising模型的临界性质和磁化行为》一文中研究指出本文在有效场理论和切断近似的框架内,首先研究了叁模外场和晶场共同作用下单自旋横场Ising模型的临界性质,在T ? h空间中横场和叁模外场参数的变化对叁临界点,二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的叁模外场参数能有效地抑制叁临界点,但较大的负晶场和合适的叁模外场参数导致体系又产生叁临界点; T ? D空间中较大的叁模外场及合适的叁模外场参数能有效抑制叁临界点,并且叁模外场参数较小时有重入相变发生。其次,研究了二模外场和晶场作用的单自旋横场Ising模型的临界性质,其相图表现出新的特征, T ? D空间在较大外场和较小外场两个范围都会存在叁临界点。T ? h空间中,较大的负晶场和较小的负晶场都能产生叁临界点,横场的增大将抑制叁临界点,在较大负晶场存在时二级相变线呈现类似蘑菇形或拱形曲线。最后,讨论了二模外场和晶场作用的混合自旋横场Ising模型的磁化行为,在M ? T空间,合适的负晶场取值可以使得系统出现单或双温度补偿点,横场较小时系统的双温度补偿点被抑制,出现温度补偿点的负晶场范围变小,横场较大时M ? T空间不存在补偿行为,磁化值随负晶场的增加而趋于零。在M ? h空间,二模外场的引入使得系统出现双磁场补偿点。与M ? T空间类似,随着横场的增加体系出现磁场补偿点的负晶场范围变小,当横场足够大的时候,无论负晶场如何取值系统都不会出现补偿现象。(本文来源于《苏州大学》期刊2010-04-01）
许玲,晏世雷[9]（2007）在《横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究》一文中研究指出在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较.(本文来源于《物理学报》期刊2007年03期）
刘磊[10]（2005）在《外场下键稀疏和随机晶场混合自旋BCM的相变和磁学特性》一文中研究指出混合自旋BCM 的临界行为和磁学性质是本文重点讨论的内容,在本文中我们主要采用了键稀疏和随机晶场作用下混合自旋为1 和1/2 的BC模型,在有效场的框架内计算并讨论了叁维简立方系统的临界行为和相关磁学性质。系统的居里温度随着晶场的增加而单调递减并且在相图中出现了叁临界点,而键稀疏对叁临界点有着明显的抑制作用,当键稀疏浓度降低到阈值pc 的时候系统将出现诱导磁有序,此时晶场浓度无论如何取值,该系统在一定的晶场范围内( 0 ≤?D/J≤0.5)都将存在有序,这种有序完全是由晶场的作用引起的。进一步的研究发现在不存在外场的情况下,系统不仅出现了单补偿点而且也有双补偿点的存在,同时,外磁场对系统的补偿现象有着很明显的影响。此外,我们在M-H 空间里发现,如果负晶场和随机晶场浓度的取值较大时,一定大小的磁场有可能使当前系统的总磁化完全消失,从而出现了一种类似温度补偿的磁补偿现象。其中的一些结论在以前的工作中是没有发现的。(本文来源于《苏州大学》期刊2005-05-01）
随机晶场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,磁性纳米管的物理性质和相关应用得到了人们的广泛关注.利用有效场理论研究了纳米管上双模随机晶场中Blume-Capel模型的磁化强度和相变性质,得到了系统的磁化强度与温度和随机晶场的关系及其相图.结果表明:系统在稀释晶场、交错晶场和同向晶场中会表现出不同的磁学性质和相变行为;稀释晶场和交错晶场会抑制系统的磁化强度,导致其基态饱和值小于1,而同向晶场则不会;随着随机晶场参量的变化,系统存在多个相变温度,并呈现出叁临界现象和重入现象.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
随机晶场论文参考文献
[1].李晓杰,曹凤,李新军,董明慧,尹田田.双模随机同向晶场对spin-1和spin-1/2混合自旋纳米管中Blume-Capel模型平均磁化强度的影响[J].低温物理学报.2019
[2].李晓杰,刘中强,王春阳,徐玉良,孔祥木.双模随机晶场对纳米管上Blume-Capel模型磁化强度和相变的影响[J].物理学报.2015
[3].徐常清.横向晶场和键随机的混合自旋系统的临界行为和磁化性质[D].苏州大学.2014
[4].丁直,晏世雷.二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为[J].常熟理工学院学报.2013
[5].丁直.随机磁场和晶场作用的混合自旋横向伊辛模型的临界性质和磁化行为[D].苏州大学.2013
[6].朱海霞,晏世雷.随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究[J].山东大学学报(理学版).2011
[7].陈万霞.键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料的临界行为和磁学性质[D].苏州大学.2010
[8].李敦然.随机外场和晶场作用下横场Ising模型的临界性质和磁化行为[D].苏州大学.2010
[9].许玲,晏世雷.横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究[J].物理学报.2007
[10].刘磊.外场下键稀疏和随机晶场混合自旋BCM的相变和磁学特性[D].苏州大学.2005
论文知识图
