磁致电阻论文_鲁明亮,马丽娟,陶永春

导读:本文包含了磁致电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:效应,强磁场,温度传感器,伸缩,渗碳,磁电,硅橡胶。

磁致电阻论文文献综述

鲁明亮,马丽娟,陶永春^[1]（2019）在《GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应》一文中研究指出铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出自旋量子轴的转换矩阵.计算了各种空穴的透射系数随能量的变化以及隧道结的磁致电阻,讨论了隧道磁致电阻对自旋量子轴方向的依赖关系,并对计算结果进行了理论分析.(本文来源于《淮阴师范学院学报(自然科学版)》期刊2019年01期）

付远,万珍珍,张友亮,王德^[2]（2016）在《应变电阻片法测定Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7/硅橡胶复合薄膜的磁致伸缩性能》一文中研究指出研究了不同Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7非晶粉体与硅橡胶质量比的复合薄膜的磁致伸缩性能,确定了粉体和硅橡胶的比例与复合薄膜的磁致伸缩效应的内在联系,并根据广义变分原理确定了这种复合薄膜的弹性模量、泊松比和内应力值的范围。结果表明:Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7非晶粉体与硅橡胶的质量比为3∶1时,复合薄膜的磁致伸缩系数存在极大值。该复合薄膜具有很好的柔性磁弹性能,是制备柔性力敏传感器的优良材料。(本文来源于《热加工工艺》期刊2016年14期）

孟秋敏^[3]（2016）在《渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究》一文中研究指出通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。(本文来源于《低温与超导》期刊2016年04期）

孟秋敏^[4]（2016）在《35 T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌(RX-202、RX-102)温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效应。实验结果表明:CX-1050和RX-202的磁效应和在35 T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正负温度误差交替的现象,且低于10 K时,磁效应随温度的变化率明显增大,在35 T、4.2 K处CX-1050和RX-202的磁效应分别为-6.63%、2.21%;总体来说强磁场下受磁阻影响由小到大分别为RX-202、CX-1050、CX-1030、RX-102,尤其RX-202,在1—35 T、4.2 K以下产生的测量误差小于-0.1 K。Cernox和氧化钌温度传感器受磁场的影响都较小。(本文来源于《低温工程》期刊2016年01期）

马丽娜,倪敏,郑源明,张晴^[5]（2015）在《用巨磁电阻位移传感器测量磁致伸缩系数研究》一文中研究指出介绍采用巨磁电阻传感器与配对小磁钢设计组成新型位移传感器,测量材料的磁致伸缩系数,并对自旋阀巨磁电阻(NVEAA002-02)位移传感器以及多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器的测量结果进行分析比较,得出用多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器测量磁致伸缩系数时灵敏度较高,结果较准确,对磁致伸缩系数的传统测量方法有明显的改进。(本文来源于《实验技术与管理》期刊2015年06期）

孟秋敏^[6]（2013）在《强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在0~16 T磁场下、2~40 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.2~10K温区随场强的变化差别较小,在10~38K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。(本文来源于《低温与超导》期刊2013年11期）

孟秋敏,欧阳峥嵘,石磊,李洪强^[7]（2013）在《强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。(本文来源于《低温与超导》期刊2013年09期）

孟秋敏,石磊,欧阳峥嵘,李洪强^[8]（2012）在《强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.(本文来源于《低温物理学报》期刊2012年02期）

孟秋敏,欧阳峥嵘,李洪强,石磊^[9]（2011）在《强磁场下Cernox~(TM)温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0~16 T和4.2~300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明:CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2~300K的磁效应值为-0.19~2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15~50K温区为磁效应最低的温度区间,在50~300K温区4T下产生的磁效应最高;在16T、4.2K处,CX-1070与Rhodium-Iron的磁效应相差20倍,CX-1070在125~300K受磁场的影响比Rho-dium-Iron大.(本文来源于《低温物理学报》期刊2011年05期）

李荣华^[10]（2011）在《双端有机薄膜器件的磁致电阻效应研究》一文中研究指出作为一类新型的功能材料人们已经逐渐认识到有机半导体丰富的光、电和磁功能特性。电子既有电荷又有自旋,但是在传统的微电子器件中,电子的自旋却一直被人们忽视,电子只被看成电荷的载体。金属自旋阀中巨磁电阻和隧道磁电阻效应的发现引发了磁存储和磁记录领域的革命。有机半导体由于其弱的自旋-轨道耦合和超精细相互作用,相应的自旋扩散长度比较长,因而是实现自旋极化输运理想的候选材料。研究有机半导体器件的磁致电阻效应对进一步理解有机材料的物理性质,探讨其在自旋电子学功能和应用具有重要的科学意义。本论文主要研究了基于阳极/有机半导体材料/阴极结构的双端有机薄膜器件的磁致电阻效应,得到如下结论：(1)随着外加磁场的增加,结构为ITO/PTCDA/Al的器件产生了负的磁致电阻,当外加磁场的强度为250mT时,磁致电阻达到-57.5%。而结构为ITO/CuPc/Al的器件,随着外加磁场的增加,结果却产生了正的磁致电阻,当外加磁场为140mT时,磁致电阻达到30%。本论文对所观察到的实验结果进行了定性解释：即在磁场作用下,叁重态激子通过激子间的系问窜越转化为单重态激子,因此单重态激子的数量增多,叁重态激子数量减少,从而减弱了载流子所受到的俘获和散射作用,使得载流子迁移率增加,扩散到电极的单重态激子数量增加,电流增强。电阻减弱,即磁致电阻效应100×[ρ(H)-ρ(0)]/ρ(0)的绝对值增大。(2)实验发现随着外加磁场的增加,器件的I-V特性向左偏移。因为叁重态激子之间的相互作用形式较复杂,只有产生的单重态激子才对电流的大小有贡献。当外加磁场增大到与自旋轨道场和超精细作用场差不多时,叁重态激子-叁重态激子相互猝灭产生大量的单重态激子,从而随着磁场的增加,单重态激子的的数目增加,器件的I-V特性曲线向左漂移。(本文来源于《兰州大学》期刊2011-04-01）

磁致电阻论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

研究了不同Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7非晶粉体与硅橡胶质量比的复合薄膜的磁致伸缩性能,确定了粉体和硅橡胶的比例与复合薄膜的磁致伸缩效应的内在联系,并根据广义变分原理确定了这种复合薄膜的弹性模量、泊松比和内应力值的范围。结果表明:Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7非晶粉体与硅橡胶的质量比为3∶1时,复合薄膜的磁致伸缩系数存在极大值。该复合薄膜具有很好的柔性磁弹性能,是制备柔性力敏传感器的优良材料。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

磁致电阻论文参考文献

[1].鲁明亮,马丽娟,陶永春.GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应[J].淮阴师范学院学报(自然科学版).2019

[2].付远,万珍珍,张友亮,王德.应变电阻片法测定Fe_(bac)Cu_1Nb_3Si_(15.5)B_7/硅橡胶复合薄膜的磁致伸缩性能[J].热加工工艺.2016

[3].孟秋敏.渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究[J].低温与超导.2016

[4].孟秋敏.35T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温工程.2016

[5].马丽娜,倪敏,郑源明,张晴.用巨磁电阻位移传感器测量磁致伸缩系数研究[J].实验技术与管理.2015

[6].孟秋敏.强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温与超导.2013

[7].孟秋敏,欧阳峥嵘,石磊,李洪强.强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温与超导.2013

[8].孟秋敏,石磊,欧阳峥嵘,李洪强.强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温物理学报.2012

[9].孟秋敏,欧阳峥嵘,李洪强,石磊.强磁场下Cernox~(TM)温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温物理学报.2011

[10].李荣华.双端有机薄膜器件的磁致电阻效应研究[D].兰州大学.2011

论文知识图

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