导读:本文包含了双阱磁囚禁论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:样品,表面,论文,双阱磁,双阱磁光,MOT,BEC。
双阱磁囚禁论文文献综述
胡建军,印建平[1]（2002）在《中性原子的双阱磁囚禁及其应用》一文中研究指出本文提出了四种采用载流导线实现冷原子双阱磁囚禁的新颖方案 :(1)双ｌｏｆｆｅ型磁囚禁 ,(2 )双Ｚ型导线磁囚禁 ,(3)双Ｕ -Ｚ型导线磁囚禁和 (4)双Ｕ -Ｕ型导线磁囚禁 ,详细计算了上述磁阱的磁场及其梯度与曲率的空间分布 ,并分析了实现冷原子双(本文来源于《量子光学学报》期刊2002年S1期）
胡建军,印建平[2]（2002）在《中性原子的双阱磁囚禁及其应用》一文中研究指出本文提出了四种采用载流导线实现冷原子双阱磁囚禁的新颖方案:(1)双loffe型磁囚禁,(2 )双Z型导线磁囚禁,(3)双U -Z型导线磁囚禁和(4)双U -U型导线磁囚禁,详细计算了上述磁阱的磁场及其梯度与曲率的空间分布,并分析了实现冷原子双阱磁囚禁的实(本文来源于《第十届全国量子光学学术报告会论文论文集》期刊2002-08-01）
胡建军[3]（2002）在《中性原子的双阱磁囚禁及其应用》一文中研究指出由于塞曼效应，中性原子的磁囚禁原理是基于原子的磁偶极矩与磁阱的非均匀磁场之间的相互作用势；当相互作用势为负时，原子将受到一个吸引力的作用，处于强场搜寻态的原子将被吸引到磁场最大的囚禁中心(交流磁囚禁)；而当相互作用势为正时，原子将受到一个排斥力的作用，处于弱场搜寻态的原子将被推向磁场最小的囚禁中心(静磁囚禁)，从而实现冷原子的叁维磁囚禁。 本文提出了采用载流导线实现冷原子磁囚禁的四种新颖的双阱方案：(1)双Ioffe型磁囚禁，(2)双Z型导线磁囚禁，(3)双U-Z型导线磁囚禁和(4)双U-U型导线磁囚禁，详细计算了上述磁阱的磁场及其梯度与曲率的空间分布，并讨论了实现冷原子双阱磁囚禁的实验可行性。我们的研究表明上述双磁阱可分别用于实现两种不同原子的磁囚禁或磁光囚禁，且当上述方案中某一导线中的电流大小改变时，每个双磁阱可连续转变为一个单磁阱，以便用于双样品原子的冷碰撞或原子物质波干涉的实验研究等。进一步的研究发现：当囚禁系统的特征长度为200 μm，导线电流为0.2A时，双Ioffe型磁阱和双Z型导线磁阱中心的磁场梯度和曲率的典型值分别为2.0×10~3G／cm和1.0×10~5G／cm~2，这远远高于BEC实验中宏观磁阱中心的磁场梯度及其曲率，为双样品原子的微阱玻色—爱因斯坦凝聚(BEC)的实现提供了理论依据； 由于双Ioffe型磁阱和双Z型导线磁阱的中心磁场强度都是非零最小值，不存在Majonara跃迁，可望获得足够高的原子密度，故它们不仅可用于研究双样品原子间的冷碰撞，而且还可用于实现双样品的BEC或研究双样品BEC的性质；而双U-Z型导线磁囚禁和双U-U型导线磁囚禁的中心磁场强度都为零，存在着严重的Majonara跃迁，限制了磁阱中原子密度的提高，因而它们仅能用于实现双样品的磁光囚禁(MOT)或用于研究不同原子之间的冷碰撞性质。研究表明当导线中的电流为600A，偏置磁场为40G时，双U-Z型导线磁阱或双U-U型导线磁阱中心的磁场梯度约15～25G／cm，双MOT中所能俘获的原子数约为10~6量级(弱光近似下)，相应的MOT温度约为266μK，这与标准MOT中的囚禁原子数及其原子冷却温度差不多。(本文来源于《苏州大学》期刊2002-05-01）
双阱磁囚禁论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文提出了四种采用载流导线实现冷原子双阱磁囚禁的新颖方案:(1)双loffe型磁囚禁,(2 )双Z型导线磁囚禁,(3)双U -Z型导线磁囚禁和(4)双U -U型导线磁囚禁,详细计算了上述磁阱的磁场及其梯度与曲率的空间分布,并分析了实现冷原子双阱磁囚禁的实
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双阱磁囚禁论文参考文献
[1].胡建军,印建平.中性原子的双阱磁囚禁及其应用[J].量子光学学报.2002
[2].胡建军,印建平.中性原子的双阱磁囚禁及其应用[C].第十届全国量子光学学术报告会论文论文集.2002
[3].胡建军.中性原子的双阱磁囚禁及其应用[D].苏州大学.2002
论文知识图
