导读:本文包含了畴结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:结构,晶粒,取向,薄膜,涡旋,合金,效应。
畴结构论文文献综述
张建强,路飞平,赵小龙,何林芳[1]（2019）在《Fe基合金薄带磁畴结构的磁力显微镜观察》一文中研究指出采用单辊快焠法制备Fe_(73.3)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金薄带,经550℃自由退火和171 MPa张应力退火处理,利用磁力显微镜(MFM)观察了自由退火和应力退火薄带表面磁畴结构及横断面介观结构。结果表明,自由退火样品具有均匀分布的纳米晶粒及易磁化方向随机分布的迷宫畴,应力退火样品具有方向优势的颗粒团聚及易磁化轴在面内的带状畴,这两种磁畴结构的形成可能与晶粒的晶化行为密切相关。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2019年06期）
刘炫伶,蒋丽梅,周益春[2]（2019）在《晶粒间交互作用对铁电薄膜畴结构和翻转性能的影响》一文中研究指出非易失性铁电存储器由于具备一系列优良的特性被视为最具有潜力的存储器之一.实验上制备出的铁电材料多为多晶材料,并且晶粒取向、晶粒大小分布不均匀,而这些因素都会影响材料的铁电性能.前人在关于多晶铁电材料的研究上做出了很多贡献,但晶粒间相互影响的内在机理还不明晰.该文建立了多晶铁电薄膜的相场模型,研究了某一晶粒取向的改变对其他晶粒以及整个薄膜材料畴结构和畴翻转性能的影响,进一步探讨了晶粒间的交互作用.结果表明,随着晶粒取向的改变,晶粒内部畴结构会发生相应的旋转,并且其左右相邻的晶粒畴结构会随之发生旋转.另外,由于长程电交互作用的影响,在外加周期电场情况下,左右相邻的晶粒边界处极化方向会趋于一致.而当其他晶粒取向为0°,薄膜右下角晶粒取向从0°不断增大至90°时,薄膜的剩余极化和矫顽场不断增大,特别是晶粒取向差异较大时会导致顽固的印记失效现象,并且无法通过增强外加电场消除,因此,在实验上应该避免大的取向差异,同时保留一定的取向差异以获得更大的剩余极化.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞[3]（2019）在《电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟》一文中研究指出运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
左淑兰[4]（2019）在《磁畴结构的原位透射电镜研究》一文中研究指出当前爆发式增长的海量数据对信息的读和写的速度、密度和能耗等均提出了更高更严格的要求,探索以更低的能耗、更高的读写速度实现信息的高密度存储的途径无疑是信息存储材料和技术的研究和开发必须面对的巨大挑战,也是必须完成的紧迫任务。磁性存储是非常重要的一种信息存储方式,在未来可预见的较长时期内,磁性存储介质和技术仍将是最主要的被广泛采用的海量信息存储方式。在新型磁性存储介质的探索方面,具有由非共线或非共面磁矩排列而呈现非平庸拓扑磁畴结构的材料,因其所具有的受拓扑对称性保护并且可利用低电流密度的自旋极化电流对其进行调控的纳米尺度的特殊磁矩构型,既有望突破传统磁存储介质的超顺磁性物理极限,也有望同时降低读和写的能量消耗,进而有望成为新一代高密度、高速度、低能耗的信息存储单元。从基础研究和实际应用的角度,对材料的拓扑磁畴结构的生成与调控机制的研究都具有非常重要的意义。基于此,本论文以洛伦兹透射电子显微镜为主要研究手段,对非晶CeFeB中的磁涡旋、Ni_(50)(Mn,In)_(50)合金中的斯格明子和NiMnGa(Y,C,In)合金中的磁泡等几种拓扑性质不同的磁畴结构及其在温度、电流和磁场等外场条件下的响应行为进行了系统研究,深化了对材料磁畴结构的拓扑性质的认识。主要研究内容和结果如下:1.非晶CeFeB合金中的磁涡旋态产生和外场调控。首次在非晶态CeFeB快淬带中发现了自发稳定存在的磁涡旋态。利用洛伦兹透射电子显微镜进行原位外场调控表明,磁涡旋态和反涡旋态在变温过程中成对地形核或湮灭,在一定的温度范围内,磁涡旋的密度随温度降低而升高。较低的电流密度可以驱动磁涡旋态,当电流密度超过某一临界值时,磁涡旋态和反涡旋态将出现周期性地形核现象,从而使得磁涡旋态的密度显着提高;在恒定的电流密度下,磁涡旋态和反涡旋态呈现持续的形核或湮灭的类弛豫行为。在面内磁场的作用下,磁涡旋态倾向于在缺陷处首先形核,当外磁场强度与材料的矫顽力相当时,磁涡旋态的密度最高;磁涡旋态随着材料接近磁化饱和而逐渐消失。非晶态CeFeB合金中自发磁涡旋态的发现为磁涡旋态的研究提供了一类新材料,既拓宽了高丰度稀土元素的应用范围,对磁涡旋态动力学行为的直接观测也对相关材料和器件的设计开发具有一定的指导意义。2.Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁性斯格明子态与马氏体相变行为。利用洛伦兹透射电镜原位观测了Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁畴结构和马氏体相变行为,分析了材料价电子浓度、晶粒尺寸和原子有序度等对相转变过程、磁畴结构和马氏体孪晶结构的影响。研究发现,Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金的马氏体相变过程中磁畴结构和晶体结构的演化与材料的成分和原子有序度密切相关,且马氏体的磁畴随显微结构的不同而发生变化。在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)块体合金中,马氏体相发生顺磁-铁磁转变,铁磁相的马氏体具有条纹畴,对其施加垂直磁场后演化为类似于双斯格明子的纳米磁畴结构;与块体材料不同,在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)快淬带中,马氏体相出现了更加丰富的磁畴结构和显微结构,体现了马氏体相复杂的结构和磁性;对于组分略有不同的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)块体合金,在其马氏体相变过程中出现了预马氏体,并且在马氏体的纳米孪晶中自发地形成了叁种自旋构型且零磁场稳定的斯格明子,这与预马氏体相的出现以及马氏体纳米孪晶结构的边界限制密切相关。含有预马氏体相的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)合金中存在自发的磁性斯格明子,这一发现为磁性斯格明子的生成提供了一种崭新的应力调控机制和途径。3.MnNi(Ga,M)(M=Y,In)和MnNiGaC_?合金中的纳米尺度磁泡。利用原子半径较大的Y和In与原子半径较小的C等元素分别对MnNiGa合金进行替代/添加。研究表明,叁种原子的加入均能改变MnNiGa合金的磁晶各向异性和稳定因子Q等参数,使磁畴结构从MnNiGa合金中的双斯格明子转变为具有不同构型的磁泡。利用电流与磁场的协同调控,不仅在MnNi(Ga,Y)合金中实现了高密度且零场稳定的磁泡晶格,而且发现电流的自旋转移力矩效应可以干扰磁泡的形核过程,使其成为单一构型的高密度磁泡阵列。磁畴结构拓扑性质可调控性的发现为纳米尺度磁畴结构材料体系的设计提供了指导,利用电流与磁场协同作用产生的零场六角磁泡晶格不仅在未来非易失磁存储器中具有潜在的应用价值,还为理解磁矩与电子的相互作用提供了实验基础。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
陈鹏[5]（2019）在《基于光控液晶畴结构产生和检测涡旋光》一文中研究指出对各频段电磁波的振幅、相位、偏振、波长等参量维度的人工调控是当代信息光电子技术的物理基础。涡旋光具有螺旋形相位分布,携带独特的动力学和轨道角动量特性,近年来成为人们关注的焦点,尤其在增强光与物质相互作用、突破传统光学成像极限、提升通信系统容量以及量子信息维度等方面具有重要研究价值。实际应用中面临的大量具体问题和微纳光学等基础科研领域的迅猛发展,正共同推动着涡旋光调控技术的不断进步。液晶兼具晶体的各向异性和液体的流动性,作为一类性能优异的电光材料,其可靠性已经在信息显示领域得以充分证明。本论文围绕涡旋光的高效产生、动态调制、阵列操控和宽带检测等方面,对液晶畴结构的设计、制备及其与涡旋光相互作用机制等进行系统而深入的研究,充分发掘液晶材料丰富的外场调谐特性,实现对光的灵活调控,以期解决涡旋光产生、调控与检测中存在的一些关键问题。主要研究成果如下:(1)在液晶畴结构制备技术方面:通过对课题组前期研发的一套基于数控微镜阵的缩微投影系统进行优化改进,利用紫外光偏振敏感的光控取向材料,提出一种基于分步层迭曝光和同步偏振控制结合的动态光控图案化技术,可获得任意液晶方位角的取向控制,将“自上而下”的光配向与“自下而上”的液晶分子自组装相结合,实现向列相、胆甾相等液晶畴结构的微域化和图形化;(2)在涡旋光的高效产生方面:首先,引入几何相位的概念,赋予传统叉形光栅周期性渐变排列的液晶畴,提出一种能够高效产生任意涡旋光的液晶偏振叉形光栅,展示了入射偏振可控、电调开关和可重构的携带整数或非整数拓扑荷、径向指数为零或非零的高阶模式,实测效率高达98.5%;接着,利用扭曲向列相液晶的偏振旋转效应,两侧分别赋予不同光控图案,提出一种可产生任意矢量光的液晶偏振转换器,特别地,展示了高偏振级数、多环矢量光,并进一步将其作为偏振掩模板实施矢量曝光,可一步得到液晶q波片;(3)在涡旋光的阵列化调控方面:首先,将达曼涡旋光栅的特殊相位结构引入液晶畴的图案化控制中,提出一种正交平行排列液晶畴组成的液晶达曼涡旋光栅,产生了高品质、高能量均匀性的一维/二维涡旋光阵列,包括多种高阶模式,同时具有入射偏振无依赖、动态开关和多波长适用等优势;接着,提出数字化几何相位的概念,利用(圆形)达曼光栅对传统螺旋几何相位进行数字化编码,展示了自旋角动量和轨道角动量并行编码的高阶庞加莱球光束晶格,以及多环完美高阶庞加莱球光束,通过控制入射自旋态,可获得(完美)高阶庞加莱球上的任意一点,包括(完美)矢量光和(完美)涡旋光等特殊情形,转化效率高且能量均匀性好;(4)在涡旋光的宽带产生与检测方面:首先,提出一种数字化自组装胆甾相液晶手性超结构,利用其宽波段、自旋敏感的反射式相位特性,实现了一种多功能的涡旋光处理器,可直接产生多达25个不同涡旋光,且在116nm的可见光波段内具有相等高效率,入射涡旋光及其混合态能被同时检测,且透射模式保持不变,实现了涡旋光的大容量、宽带、无损检测和多路并行解复用;接着,引入具有相反旋性的光敏手性分子开关和静态手性剂,形成光控手性可翻转的自组装螺旋超结构,实现了多种工作带宽连续可调、光致几何相位共轨的动态平面光学器件,特别地,验证了涡旋光超过1000 nm的超宽带可调工作波段以及光激励的轨道角动量的可逆反转,实现了光控满旋光。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-01）
潘丽宁[6]（2019）在《坡莫合金薄膜中条纹畴结构高频磁性的调控》一文中研究指出在现代科学技术中,电子元器件逐渐向薄膜化、微型化、高频化和集成化的方向发展,并且对于信息的处理速度和传输速度有着更高的要求。例如在第五代移动通信技术(5G)的大力发展中,随着元器件工作频率的提高,也就要求应用在其中的软磁薄膜在GHz频段有更高的共振频率。虽然具有单轴各向异性的软磁薄膜可以获得更高的共振频率,但是这种薄膜只对一个方向的微波场有强响应,当这种薄膜集成于微波器件后将不能再次被改变,应用受到限制。因此如何调控铁磁薄膜在宽频段多方位的微波响应依旧存在着很大的挑战。本论文中选用具有条纹畴结构的软磁薄膜,其铁磁共振频率可以通过外加磁场的方向进行调控。尽管有转动各向异性的条纹畴结构薄膜能够获得可调的共振频率,但在同一种共振模式下,其在各个方向上对微波场的响应都是一致的,也就是说具有条纹畴结构的软磁薄膜的高频磁性具有各向同性的特点。本论文的主要目标旨在研究如何进一步调控条纹畴软磁薄膜在不同方向的共振频率,此外还包含了条纹畴结构薄膜和铁磁双层膜的电学测量。主要内容如下:1、系统的研究了对条纹畴薄膜共振频率的调控。第四章通过微纳加工、斜溅射、磁场热处理等方法来获得一个有效的面内单轴各向异性场,以此来调控条纹畴薄膜的共振频率。即使在同一个共振模式下,薄膜在不同的方向上也有不同的微波响应。磁场热处理虽然并没有在坡莫薄膜中引入明显的面内各向异性,但其对薄膜的形貌、静态和动态性能都有比较大的影响。通过静电纺丝制备不同的取向排列的纳米线,通过纳米线引入的杂散场使得条纹畴结构变弱,从而增强薄膜的软磁性能。第五章分别选择了非金属氧化物SiO_2、稀土元素Dy以及过渡金属Zr对条纹畴薄膜进行掺杂,结果显示:掺杂可以在小范围内对条纹畴薄膜的共振频率和阻尼因子进行调控。2、由于坡莫合金中的条纹畴结构会随着外加磁场而发生变化,从而影响薄膜的高频磁性的探测和分析。传统的自旋整流电压信号是通过扫磁场的方式测量得到的,然而这种方法不适用条纹畴结构。因此我们在第六章提出了扫频自旋整流效应(SRE)来测试条纹畴结构薄膜,继而分析样品的高频磁特性。此外,通过对交换偏置双层膜MnIr/NiFe的电压信号的测试,不仅从电压谱可以简便的得出其交换偏置场,同时也对这个体系共振和非共振的SRE信号进行分析,确定这两种效应分别来源于磁化反转和铁磁共振。接下来又研究了基于自旋霍尔效应的Py/Pt双层膜中的ST-FMR,随着Pt的厚度的增加,自旋泵浦效应越来越弱,从而导致双层膜的阻尼减小。后又在样品中通入正负DC电流产生的自旋流会引起一个类阻尼的力矩作用在磁化强度上,进而对体系的阻尼进一步的调控,通过共振线宽与DC电流的关系可以得出自旋流与电流之比J_s /J_c。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-05-01）
储双杰,杨勇杰,和正华,沙玉辉,左良[7]（2019）在《基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算》一文中研究指出基于取向硅钢磁畴结构与磁致伸缩系数的定量关系,综合考虑激光刻痕参数和取向偏差角对应力封闭畴与横向畴2种90°磁畴结构的影响,提出反映刻痕参数与取向偏差角交互作用的磁致伸缩系数计算模型。计算结果表明,取向偏差角的大小决定了激光刻痕条件下磁致伸缩行为是由横向畴还是应力封闭畴主导;激光刻痕产生的局部封闭畴与杂散磁场可降低取向偏差角引起的磁致伸缩系数。刻痕能量密度和刻痕线间距等参数对取向硅钢磁致伸缩系数影响的计算结果与实测结果相吻合,表明本工作所提模型可为降低激光刻痕取向硅钢的噪音提供理论基础。(本文来源于《金属学报》期刊2019年03期）
盛强[8]（2018）在《铁性材料拓扑缺陷转变及其畴结构演化的可控性研究》一文中研究指出凝聚态物质中拓扑缺陷由于其本身的奇异特性和在相变中的重要作用,近年来吸引了广泛的关注。在不同类型的凝聚态物质中,铁性材料体系(铁电、铁磁和多铁体材料)因存在可翻转的序参量(自发极化或磁化)且能形成畴结构,是形成拓扑缺陷的理想体系。在铁性材料中,涡畴结构和斯格明子结构是当前备受关注的两类拓扑缺陷。在纳米尺度下,涡畴和斯格明子稳定存在且具有不同于其他畴区域的独特性质,如铁磁涡畴结构的极性和旋性,这是未来发展高密度多功能微纳器件的关键所在。同时,在外场作用下铁性拓扑缺陷有着丰富的调控性质,如外加磁场能激发出斯格明子旋转和呼吸模式。然而,涡畴结构和斯格明子一般出现在特定的铁性体系中,因此系统地研究铁性材料涡畴和斯格明子的转变规律以及畴结构的演化过程对其更好地应用起着重要的作用。本文综合运用了铁磁相场模型、微磁学模型和铁电相场模型以及热力学计算等理论方法,全面地讨论了涡畴结构和斯格明子这两个拓扑缺陷的性质和外场(力场、热场、电场和磁场)对他们的调控规律。这些研究对于进一步理解铁性材料在纳米尺度下的性质有很大的帮助,为以后的应用提供了理论基础。主要研究内容和结果如下:(1)针对铁磁纳米点体系,运用铁磁相场模型研究了铁磁镓化铁合金(FeGa)纳米点单畴和涡畴结构的稳定性,并分析了力场磁场对二者之间转变的调控。首先依次计算了应力自由条件下、受到面内等轴压应力和拉应力下纳米点尺寸变化的磁畴稳定性相图。发现了应力自由条件下磁畴相图中存在单畴区域、涡畴区域和单畴涡畴的过渡区域,而且面内等轴的压应力对相图有很大的影响。然后讨论了相图过渡区域内纳米点的力场调控,发现面内等轴压应力能调控单畴和涡畴之间的转变。最后模拟了相图中不同区域纳米点施加交变磁场后的磁滞回线,并讨论了力场对磁滞回线的影响。(2)针对铁电纳米带体系,研究了局部高温对钛酸钡(BTO)纳米带中涡畴数目和旋性的调控。采用铁电相场模拟方法,系统地分析了局部高温对纳米带中涡畴数目的调控规律。结果表明,在BTO纳米带中施加和撤去局部高温,可以实现单涡畴到叁涡畴的转变,这与纳米带的长度、局部高温的长度和温度大小有关。在此基础上,通过在相邻涡畴的边界处移动局部高温,使叁涡畴结构中间涡畴长大占据整个纳米带,实现了初始单涡畴旋性的翻转。(3)针对多铁异质结体系,研究了铁电锆钛酸铅(PZT)薄膜-铁磁镓化铁合金(FeGa)纳米点的多铁异质结中磁畴的尺寸效应和电场对磁畴稳定性的影响。发现了多铁异质结中铁磁纳米点畴结构的尺寸相图可以分成五个区域,而且相图中磁畴结构的稳定性不仅与纳米点的尺寸形状有关,也与所施加电场的大小和方向有关。同时发现多铁异质结中电场能够控制铁磁纳米点不同磁序状态之间的转变(单畴和涡畴之间)和相同磁序状态之间的转变(单畴之间和涡畴之间)。并且利用这些调控设计了磁性随机存储器(MRAM)隧道结单元,实现了不同高低阻态存储的模式。(4)针对磁性斯格明子体系,利用微磁学模型研究了双层斯格明子赛道中,通过调控电压控制电极阀的各向异性和驱动电流密度,讨论了赛道中多个斯格明子的相互作用。依次分析了初始不同数目斯格明子相互作用产生的运算模式,并得到了运算相图,开发了斯格明子运算器。然后讨论了赛道宽度的变化对斯格明子运动的影响,得到斯格明子在不同宽度赛道中排列分布的相图,在此基础上发展了斯格明子分流器。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-12-01）
祁常君,王省哲[9]（2018）在《局部荷载下铁电薄膜力电耦合的畴结构演化相场模拟》一文中研究指出挠曲电效应使得铁电薄膜材料表现出丰富的力电耦合特征,如在局部机械荷载下发生180?电畴翻转。而铁电薄膜的纳米尺度将使其表面效应变得显着而不可忽略。基于Gurtin-Murdoch表面弹性理论和Ginzburg-Landau唯象理论,本文建立了一种考虑表面效应和挠曲电效应的铁电薄膜电畴演化的相场模型,采用非线性有限元方法开展了局部机械荷载作用下表面应力对铁电薄膜力致电畴翻转与演化过程影响的数值求解和定量研究。在弱表面效应的情形,本文所建立的一般模型可退化为文献中已有模型,并定性上验证了模型的正确性。相关的数值模拟结果表明:在铁电薄膜内部的电畴演化初期,由于表面效应,薄膜承载区附近出现了显着的表面电畴结构;挠曲电效应诱发的材料内部180?电畴翻转随时间演化而逐渐增大、扩展并与承载区附近的表面畴结构合并,随着电畴演化进入稳定状态,表面畴结构逐渐消失。当考虑表面效应较弱时,薄膜表面承载区附近未出现表面电畴结构,随着表面效应增强,形成了表面电畴结构并且其极化强度显着大于材料内部极化强度,表现出较明显的尺寸依赖性,这也是纳米级铁电薄膜力电畴变演化的显着特征之一。本文的研究与相关结果可望为铁电材料薄膜等微器件的性能表征和力电耦合与转换机制提供微观机理解释与设计指导。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）》期刊2018-11-23）
郑赫,贾双凤,刘辉辉,胡帅帅,曹凡[10]（2018）在《金属氧化物畴结构的静态及动态表征》一文中研究指出本文通过电子显微技术与晶体学的对称群理论结合,对金属氧化物的畴结构进行静态及动态表征。主要包括:(1)利用电子衍射与球差校正透射电子显微技术,对畴结构的取向关系、原子尺度界面构型进行分析;(2)基于原位透射电子显微技术实时观察畴结构的生长,并研究其微观力学和电学行为。文章结果为金属氧化物构效关系的搭建及应用设计提供借鉴。(本文来源于《电子显微学报》期刊2018年05期）
畴结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
非易失性铁电存储器由于具备一系列优良的特性被视为最具有潜力的存储器之一.实验上制备出的铁电材料多为多晶材料,并且晶粒取向、晶粒大小分布不均匀,而这些因素都会影响材料的铁电性能.前人在关于多晶铁电材料的研究上做出了很多贡献,但晶粒间相互影响的内在机理还不明晰.该文建立了多晶铁电薄膜的相场模型,研究了某一晶粒取向的改变对其他晶粒以及整个薄膜材料畴结构和畴翻转性能的影响,进一步探讨了晶粒间的交互作用.结果表明,随着晶粒取向的改变,晶粒内部畴结构会发生相应的旋转,并且其左右相邻的晶粒畴结构会随之发生旋转.另外,由于长程电交互作用的影响,在外加周期电场情况下,左右相邻的晶粒边界处极化方向会趋于一致.而当其他晶粒取向为0°,薄膜右下角晶粒取向从0°不断增大至90°时,薄膜的剩余极化和矫顽场不断增大,特别是晶粒取向差异较大时会导致顽固的印记失效现象,并且无法通过增强外加电场消除,因此,在实验上应该避免大的取向差异,同时保留一定的取向差异以获得更大的剩余极化.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
畴结构论文参考文献
[1].张建强,路飞平,赵小龙,何林芳.Fe基合金薄带磁畴结构的磁力显微镜观察[J].磁性材料及器件.2019
[2].刘炫伶,蒋丽梅,周益春.晶粒间交互作用对铁电薄膜畴结构和翻转性能的影响[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[3].谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞.电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[4].左淑兰.磁畴结构的原位透射电镜研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[5].陈鹏.基于光控液晶畴结构产生和检测涡旋光[D].南京大学.2019
[6].潘丽宁.坡莫合金薄膜中条纹畴结构高频磁性的调控[D].兰州大学.2019
[7].储双杰,杨勇杰,和正华,沙玉辉,左良.基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算[J].金属学报.2019
[8].盛强.铁性材料拓扑缺陷转变及其畴结构演化的可控性研究[D].哈尔滨工业大学.2018
[9].祁常君,王省哲.局部荷载下铁电薄膜力电耦合的畴结构演化相场模拟[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）.2018
[10].郑赫,贾双凤,刘辉辉,胡帅帅,曹凡.金属氧化物畴结构的静态及动态表征[J].电子显微学报.2018
论文知识图
