碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌的影响

论文摘要

以氮化硅（Si3N4）、石墨为原料,碳化硅（SiC）为添加剂,利用Si3N4转化法制备出形貌变化的等轴状和长柱状SiC晶粒,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及能量色散X射线谱对产物的结构与微观形貌进行了表征,重点研究了SiC添加量对SiC形貌的影响及其影响机理。结果表明,SiC的添加有助于Si3N4转化为α-SiC,并影响其形貌和尺寸。随着SiC添加量的增加,制得的SiC晶粒由长柱状转变为等轴状,晶粒的尺寸也急剧减小。高温条件下,Si3N4首先分解为硅蒸气和氮气,硅蒸气又与石墨发生气-固反应生成小晶粒的SiC,继而发生重结晶。碳化硅的添加导致晶粒缺陷也增多,由于气态硅蒸气可在晶粒缺陷处重结晶,使SiC晶粒的取向生长得到抑制,促进了等轴状SiC晶粒的生成。

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 实验材料
•   1.2 实验仪器
•   1.3 SiC粉体的制备
•   1.4 样品检测
• 2 结果与讨论
•   2.1 Si3N4转化为SiC的物相分析
•   2.2 Si3N4转化为SiC的晶粒微观结构
•   2.3 Si3N4转化为SiC及SiC添加对SiC晶粒形貌影响机理
• 3 结语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 梁欣,陈常连,周诗聪,季家友,朱丽,黄志良,徐慢

关键词: 氮化硅,碳化硅,晶粒形貌,重结晶

来源: 武汉工程大学学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 武汉工程大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金(51374155),湖北省技术创新专项重大项目(2016ACA161),湖北省科技支撑计划(2014BCB034)

分类号: TQ163.4

页码: 60-64

总页数: 5

文件大小: 1542K

下载量: 164