导读:本文包含了直流热阴极论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:阴极,金刚石,纳米,生长,辉光,模式,电阻率。
直流热阴极论文文献综述
姜宏伟,黄海亮,彭鸿雁,李聪,张辉霞[1]（2015）在《直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备碳氮膜》一文中研究指出采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)法间歇生长模式,在(100)硅片上、CH_4+N_2+H_2气氛下生长了氮化碳薄膜。薄膜样品用XRD、SEM和Raman光谱仪进行了表征,其中XRD图谱显示,碳氮膜主要由β-C_3N_4晶相组成。实验表明,采用直流热阴极PCVD间歇生长工艺,并提供类似晶格结构作为生成C-N键的诱导,可以制备出具有β-C_3N_4晶相的纳米碳氮膜。(本文来源于《材料导报》期刊2015年S2期）
彭鸿雁,赵万邦,赵立新,姜宏伟,孙丽[2]（2015）在《热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究》一文中研究指出采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。(本文来源于《材料导报》期刊2015年04期）
彭鸿雁,姜宏伟,尹龙承,黄海亮,王丹[3]（2014）在《直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜》一文中研究指出采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段和刻蚀两个阶段,沉积阶段为20 min,刻蚀阶段为1 min,沉积和刻蚀通过温度的调节来实现,总的生长时间10 h;实验中主要改变的参数是N2气比例,将N2气流量与总气体流量的比例分为高、中、低叁档分别进行实验。结果在CH4:N2:H2比例为2:20:180时获得了透明金刚石膜。金刚石膜样品用Raman光谱仪、SEM和XRD进行了表征,研究表明,直流热阴极PCVD间歇生长模式下,通过引入氮原子的作用,可以制备出(111)面取向的透明金刚石膜。(本文来源于《真空》期刊2014年01期）
姜宏伟,黄海亮,贾相华,尹龙承,陈玉强[4]（2012）在《直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜》一文中研究指出采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。(本文来源于《新型炭材料》期刊2012年04期）
吴春雷[5]（2012）在《直流热阴极PCVD法金刚石膜的生长特性及氮掺杂研究》一文中研究指出金刚石是一种新型的功能材料，集力学、电学、热学和光学等优异功能于一身，在光电子、机械等领域具有广阔的应用前景。因此，人们对金刚石膜的生长做了广泛的研究，对金刚石膜的人工合成机理也有了一定的认识。但目前金刚石的质量仍有待提高，深入了解金刚石合成机理，进一步优化实验条件，制备高质量金刚石膜从而扩大其应用范围是目前亟待解决的问题。本文利用DC-PCVD法，研究了金刚石在P型(111)单晶硅基片上的生长及掺杂特性；通过扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线衍射仪(XRD)、及霍尔效应测试仪（Hall），对不同实验工艺下制备的金刚石薄膜的表面形貌、结构、取向及导电特性进行了分析。结果如下：(1)在CH_4/H_2气氛下随着反应室压强的升高，金刚石膜的质量先提高后降低，且生长速率随压强的增加而提高。过低的生长温度不利于金刚石的结晶，而且缺陷较多，过高的生长温度会使晶粒粗化。甲烷的影响主要表现在：提高甲烷浓度可以增加电子平均温度，提高C2浓度，从而提高生长速率,但同时降低了薄膜品质，晶粒尺寸减小。在生长微米膜的条件下，通过降低基底温度及反应室压强可以制备出纳米金刚石膜。(2)在CH_4/H_2气氛下，利用氢气鼓泡的形式通入甲醇的叁聚氰胺饱和溶液蒸气，制备出了氮掺杂金刚石膜，研究发现少量氮的掺入使得晶粒尺寸减小,膜中非金刚石碳相增加,电阻率降低。(3)在CH_4/H_2/Ar气氛下，通过改变Ar/H_2流量比，制备出了以C3H6N6为氮源的掺氮纳米金刚石薄膜，结果表明：随着Ar/H_2流量比的增加薄膜晶粒细化，晶界、位错和缺陷有所增多，非金刚石含量逐渐增多，电阻率降低至10~(-2)·cm。(本文来源于《牡丹江师范学院》期刊2012-06-03）
吴春雷,郑友进,王明磊,张军,姜宏伟[6]（2011）在《温度对高甲烷含量下直流热阴极PCVD法制备纳米金刚石膜的影响》一文中研究指出采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度,制备金刚石膜.采用拉曼光谱仪、扫描电镜和X射线衍射分析仪对样品进行表征.结果表明:利用直流热阴极PCVD方法,在较高的甲烷含量、较低的反应室气压及较低的基底温度下,可以制备出质量较好的纳米金刚石膜,随着基底温度的降低,晶粒尺寸减小,非金刚石相增多,膜的质量下降.(本文来源于《牡丹江师范学院学报(自然科学版)》期刊2011年04期）
尹龙承,付东辉,李鹏[7]（2011）在《直流热阴极法在硬质合金表面生长金刚石膜的研究》一文中研究指出直流等离子体化学气相沉积法(DC-PCVD)具有生长速率快、成膜面积大、成膜质量高、成本低等优点,是一项非常有前景的工业合成金刚石膜技术。本文采用DC-PCVD法,在硬质合金YG6基体上沉积了金刚石薄膜。通过断面形貌观察,金刚石膜厚3.35μm,平均生长速率达到0.56μm/h。金刚石膜与硬质合金基底结合紧密。Raman光谱表明,DC-PCVD法生长的金刚石膜sp2含量极低,说明金刚石膜品质较高。(本文来源于《黑龙江科技信息》期刊2011年30期）
王明磊,彭鸿雁,尹龙承,祁文涛,姜宏伟[8]（2011）在《直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响》一文中研究指出采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大微晶颗粒转向纳米级菜花状结构,并且薄膜表面粗糙度相应变小。同时薄膜中非金刚石组份相对逐渐增多。氮气的引入可以促进金刚石二次形核,抑制金刚石大颗粒生长,对薄膜的生长取向、形貌及结构都产生一定影响。(本文来源于《真空》期刊2011年04期）
陈玉强,姜宏伟,彭鸿雁,尹龙承[9]（2011）在《直流热阴极PCVD法间歇生长模式间歇周期的研究》一文中研究指出采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,利用人工干预二次形核工艺,研究了间歇周期变化对制备纳米晶金刚石膜的影响。人工干预二次形核是指通过生长温度的周期性改变而诱发二次形核行为,从而实现金刚石膜的纳米晶生长。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段主要完成金刚石膜的生长,干预阶段将沉积温度降低到600℃,然后恢复到生长温度,即完成一个生长周期。间歇周期研究主要是考察在不同间歇时间里人工干预诱导二次形核的效果,间歇时间设定为1 min、5 min、10 min、15 min、20 min,生长时间设为20 min,总的沉积时间为6 h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD对样品进行了分析,结果表明直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,间歇周期的变化,对二次形核的发生有诱导作用,适当选择间歇周期,有利于二次形核基团的生成。(本文来源于《真空》期刊2011年03期）
祁文涛,彭鸿雁,陈玉强,姜宏伟,王明磊[10]（2010）在《直流热阴极CVD法中硼酸叁甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响》一文中研究指出采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸叁甲酯为硼源,在P型(100)硅基片上制备了掺硼金刚石(BDD)膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,研究了其生长特性,并利用电输运特性测试系统对其电阻率进行了测试。结果表明,随着硼酸叁甲酯流量的增加,晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰;掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势;电阻率呈先下降后达到平稳的趋势,最终达到约8.0×10~(-3)Ω·cm。硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构。(本文来源于《材料导报》期刊2010年S2期）
直流热阴极论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直流热阴极论文参考文献
[1].姜宏伟,黄海亮,彭鸿雁,李聪,张辉霞.直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备碳氮膜[J].材料导报.2015
[2].彭鸿雁,赵万邦,赵立新,姜宏伟,孙丽.热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究[J].材料导报.2015
[3].彭鸿雁,姜宏伟,尹龙承,黄海亮,王丹.直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜[J].真空.2014
[4].姜宏伟,黄海亮,贾相华,尹龙承,陈玉强.直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜[J].新型炭材料.2012
[5].吴春雷.直流热阴极PCVD法金刚石膜的生长特性及氮掺杂研究[D].牡丹江师范学院.2012
[6].吴春雷,郑友进,王明磊,张军,姜宏伟.温度对高甲烷含量下直流热阴极PCVD法制备纳米金刚石膜的影响[J].牡丹江师范学院学报(自然科学版).2011
[7].尹龙承,付东辉,李鹏.直流热阴极法在硬质合金表面生长金刚石膜的研究[J].黑龙江科技信息.2011
[8].王明磊,彭鸿雁,尹龙承,祁文涛,姜宏伟.直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响[J].真空.2011
[9].陈玉强,姜宏伟,彭鸿雁,尹龙承.直流热阴极PCVD法间歇生长模式间歇周期的研究[J].真空.2011
[10].祁文涛,彭鸿雁,陈玉强,姜宏伟,王明磊.直流热阴极CVD法中硼酸叁甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响[J].材料导报.2010
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