导读:本文包含了区熔法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体,生长,稀土,化合物,数值,场区,量比。
区熔法论文文献综述
徐家跃,梁肖肖,金敏,曾海波,KIMURA,Hideo[1]（2018）在《移动区熔法生长全无机钙钛矿型CsPbBr_3晶体及其性能研究（英文）》一文中研究指出利用自制移动区熔炉生长了CsPbBr_3晶体,事先采用相同工艺合成了高纯多晶原料以去除杂质和水分。通过工艺优化获得了大尺寸CsPbBr_3晶体,达到Ф25 mm×60 mm。该晶体呈橘红色,在600～2000 nm波长范围内具有透过率达78.6%的优异透光性能。热分析表明,所得CsPbBr_3晶体在88.1℃和131.25℃时存在正交-四方和四方-立方相变。计算得到CsPbBr_3晶体的带宽E_g=2.25eV。上述结果表明移动区熔法是一种具有应用潜力的制备高质量大尺寸CsPbBr_3晶体的生长方法。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年11期）
徐义库,王丹丹,宋绪丁,于金丽,肖君霞[2]（2016）在《含有易挥发元素的Eu_2PdSi_3光辐射悬浮区熔法晶体生长》一文中研究指出新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu_2PdSi_3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu_2PdSi_3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2016年03期）
徐义库,刘林,张军,LSER,Wolfgang,FRONTZEK,Matthias[3]（2014）在《光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能》一文中研究指出采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2014年04期）
徐义库,刘林,张军[4]（2014）在《悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究》一文中研究指出通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;Tb5Si3单晶基体内容易产生定向Tb5Si4脱溶沉淀相。调整材料成分可明显减少Tb5Si3相沉淀的尺寸和数量,提高制备晶体的完整性。(本文来源于《热加工工艺》期刊2014年07期）
闫萍,庞炳远,索开南[5]（2012）在《悬浮区熔法生长锗单晶》一文中研究指出采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径(等径部分)22 mm的<100>晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特别设计了锗单晶生长用的加热线圈,包括设计线圈的内径为18 mm,线圈的下表面设计为0°的平角,上表面设计成9°的锥形等。改进后的加热线圈有效地减小了熔体的质量,消除了熔体因重力作用而引起的下坠及因下坠而在上界面形成的无法熔化的腰带。实验表明,锗单晶生长对功率变化非常敏感,生长过程中极易引入位错,但在有大量位错的情况下,晶棱能依然保持完好。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2012年07期）
任永胜,李军,段潇潇[6]（2011）在《垂直区熔法测定磷中杂质的平衡分布系数(英文)》一文中研究指出The equilibrium distribution coefficients of 12 impurities (As,Fe,Ca,Co,Al,Cr,Cu,Mg,Mn,Ni,Pb,Zn) in phosphorus were obtained by measuring their effective distribution coefficients at zone travel rate of 3,5,10,15,and 20 mm·h-1 in the purification process with vertical zone-melting technique.The results indicate that the method is reliable.The equilibrium distribution coefficients are below 0.3 except arsenic.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Engineering》期刊2011年02期）
庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝[7]（2008）在《区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算》一文中研究指出悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年S1期）
庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝[8]（2008）在《区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算》一文中研究指出悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。(本文来源于《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集》期刊2008-11-30）
王皖燕,张道范,倪代秦,李金成,吴星[9]（2003）在《金属片加热区熔法生长近化学计量比Li NbO_3晶体及其性能研究》一文中研究指出LiNbO_3晶体是一种重要的铁电晶体,具有压电、电光、声光、非线性光学、光折变等优良性能,在工业上得到了广泛的应用。然而,其性能随晶体中的锂铌摩尔比(Li/Nb)不同而变化。在传统的商用LiNbO_3晶体中,锂铌摩尔比为0.94(小于1),这意味着晶体中缺Li,存在大量缺陷,从而限制了晶体在某些方面的应用。而在化学计量比LiNbO_3晶体中,锂铌摩尔比等于1,由于Li缺乏造成的晶体缺陷大大减少,使晶体性能得到提高,特别是晶体的极化反转电压下降了几个数量级,(本文来源于《中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集》期刊2003-06-30）
倪代秦,宋有庭,张树玉,吴星,陆坤权[10]（2001）在《金属片加热区熔法单晶生长及应用》一文中研究指出在比较现有的各种熔体生长方法的基础上 ,针对氧化物晶体生长的特点 ,提出了适合均匀生长非固液同成份氧化物晶体的金属片加热区熔法 .对该方法的装置、优缺点以及国内外研究现状作了详细的介绍 .报道并讨论了应用铂片加热区熔法生长化学计量比铌酸锂晶体的试验及结果(本文来源于《物理》期刊2001年03期）
区熔法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu_2PdSi_3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu_2PdSi_3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
区熔法论文参考文献
[1].徐家跃,梁肖肖,金敏,曾海波,KIMURA,Hideo.移动区熔法生长全无机钙钛矿型CsPbBr_3晶体及其性能研究（英文）[J].无机材料学报.2018
[2].徐义库,王丹丹,宋绪丁,于金丽,肖君霞.含有易挥发元素的Eu_2PdSi_3光辐射悬浮区熔法晶体生长[J].材料热处理学报.2016
[3].徐义库,刘林,张军,LSER,Wolfgang,FRONTZEK,Matthias.光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能[J].材料热处理学报.2014
[4].徐义库,刘林,张军.悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究[J].热加工工艺.2014
[5].闫萍,庞炳远,索开南.悬浮区熔法生长锗单晶[J].电子工业专用设备.2012
[6].任永胜,李军,段潇潇.垂直区熔法测定磷中杂质的平衡分布系数(英文)[J].ChineseJournalofChemicalEngineering.2011
[7].庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝.区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算[J].半导体技术.2008
[8].庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝.区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算[C].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008
[9].王皖燕,张道范,倪代秦,李金成,吴星.金属片加热区熔法生长近化学计量比LiNbO_3晶体及其性能研究[C].中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集.2003
[10].倪代秦,宋有庭,张树玉,吴星,陆坤权.金属片加热区熔法单晶生长及应用[J].物理.2001
论文知识图
