导读:本文包含了开关比论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:稳态,钛酸钡,多谐振荡器,沟道,效应,氧化锌,晶体管。
开关比论文文献综述
朱小飞[1]（2017）在《利用自极化BaTiO_3铁电薄膜提高ZnO紫外探测器的开关比》一文中研究指出紫外传感器在光学通讯、环境检测和空间研究具有潜在的应用价值,设计和制作高性能的紫外传感器迫在眉睫。铁电材料是一种新型的功能材料,铁电材料与紫外传感器结合能够调控紫外传感器的性能,铁电薄膜经外部电场极化,铁电电畴一致取向,表面极化电荷产生一个电场,该铁电电场降低半导体的载流子浓度,紫外探测器的暗电流显着降低,开关比提高。但是,极化过程使器件的制备过程变得复杂,基于此种缺陷,本论文从结构方面入手,采用自极化铁电薄膜作为铁电调控层,不需要外部电场极化就能降低紫外探测器的暗电流,提高开关比。自极化朝下的BaTiO3薄膜作为铁电调控层,与SiO_2/Si基底上ZnO欧姆器件比较,自极化BaTiO_3薄膜基底上ZnO欧姆器件的电流降低约2个数量级,开关比提高约2个数量级。这种器件结构设计不但提高ZnO的紫外探测性能,而且不需要外部电场极化,实用性增强。这种器件结构具有良好的稳定性,放置100天后,ZnO欧姆器件还能维持高开关比(799),BaTiO_3铁电薄膜的电畴未发生明显的变化,电畴排列具有明显的取向性。当肖特基势垒和BaTiO_3铁电薄膜产生的电场同时存在时,ZnO单向肖特基器件的暗电流降低至8fA,开关比能达到9.5×10~6,在自极化BaTiO_3薄膜上,ZnO单向肖特基器件的开关比比欧姆器件的开关比高4个数量级左右。这一结论为制作高开关比的紫外探测器提供一种崭新的思路,即设计和制作同时利用铁电电场和肖特基势垒的紫外传感器。(本文来源于《兰州大学》期刊2017-04-01）
梁亦然,夏继业,梁学磊[2]（2016）在《两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管》一文中研究指出与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT-TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制,溶液中通常含有一定比例的金属型CNT,从而有可能形成连接源漏电极的金属(本文来源于《科学通报》期刊2016年21期）
周淑君,汤庆鑫,童艳红,田洪坤,耿延候[3]（2016）在《高开关比柔性有机单晶场效应晶体管》一文中研究指出场效应迁移率和开关比是评估有机场效应晶体管最重要的两个参数。我们在OTS修饰的SiO_2绝缘层上制备了Ph5T2有机单晶器件,在小的栅压扫描范围(<45V)就能获得10~8的超高开关比,整个测试流程在大气和室温条件下进行。这主要是由于分子设计降低了关态电流,绝缘层修饰提高了开态电流所导致的。Ph5T2单晶器件制备在柔性绝缘层和衬底上,经过200次反复的弯曲和恢复器件仍具有很好的稳定性。这种新型多环超薄有机单晶展示出了它们在电子器件上潜在的应用前景。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第四十一分会：纳米材料与器件》期刊2016-07-01）
梁亦然,夏继业,梁学磊[4]（2016）在《两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管(英文)》一文中研究指出本文发展了一种使用两步边缘场电泳制备碳纳米管薄膜晶体管的方法.利用该方法可以在晶体管的源电极和漏电极处分别得到高密度且有取向排列的碳纳米管阵列.通过控制源漏电极间距可以使这两个碳纳米管阵列在晶体管的沟道中交汇,形成级联结构的导电通路.这种级联结构不仅能有效地降低晶体管沟道中金属性碳纳米管形成导电通路的概率,而且大大减少了每条导电通路中的碳纳米管交叉结的数量,有利于提高器件的性能.利用该方案制备的短沟道(1~2.5μm)碳纳米管薄膜晶体管的电流开关比高达107,输出电流密度达8.5μA/μm.该碳纳米管薄膜的组装方法位置可控、制备效率及成品率高,且可以扩展到大尺寸的基片上,能够极大地提高碳管薄膜晶体管的生产效率.(本文来源于《Science Bulletin》期刊2016年10期）
陈金伙,李文剑,程树英[5]（2013）在《OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析》一文中研究指出拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".(本文来源于《福州大学学报(自然科学版)》期刊2013年05期）
李珩,王京霞,王荣明,宋延林[6]（2010）在《利用光子晶体提高光存储器件的开关比》一文中研究指出发展高发光效率、高开关比、高灵敏度的有机功能材料对于提高光存储器件的性能具有至关重要的意义。我们发展了一种简单、有效的方法来提高光存储起降的荧光开关比,即将光子晶体引入(本文来源于《中国化学会第27届学术年会第05分会场摘要集》期刊2010-06-20）
耿新华,黄维海,任慧志,薛俊明,张德坤[7]（2004）在《大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究》一文中研究指出报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合叁维集成电路(3D IC)中叁维只读存储器(3D ROM)的要求。文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响。(本文来源于《光电子·激光》期刊2004年06期）
熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军[8]（1994）在《高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT》一文中研究指出本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．(本文来源于《半导体学报》期刊1994年02期）
蒋兴宗[9]（1973）在《高开关比非稳态多谐振荡器》一文中研究指出采用两只互补晶体管的非稳态多谐振荡器电路,可以完全不对称地工作。因此,同样适用于产生短脉冲或作高速分频。普通的非稳态电路,一只晶体管始终处于导通状态。假使电路的占空因素低,则在周期内大部分时间上功率白白消耗掉。图示电路解决了这个问题。在断开时,两只管子都截止,在工作时,都处于饱和。其开关比取决于R与两晶体管的复合饱和电阻间的相对值。图示电路的接通时间为0.4微秒,断开时间为37微秒。(本文来源于《无线电工程译文》期刊1973年01期）
开关比论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT-TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制,溶液中通常含有一定比例的金属型CNT,从而有可能形成连接源漏电极的金属
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
开关比论文参考文献
[1].朱小飞.利用自极化BaTiO_3铁电薄膜提高ZnO紫外探测器的开关比[D].兰州大学.2017
[2].梁亦然,夏继业,梁学磊.两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管[J].科学通报.2016
[3].周淑君,汤庆鑫,童艳红,田洪坤,耿延候.高开关比柔性有机单晶场效应晶体管[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第四十一分会：纳米材料与器件.2016
[4].梁亦然,夏继业,梁学磊.两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管(英文)[J].ScienceBulletin.2016
[5].陈金伙,李文剑,程树英.OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析[J].福州大学学报(自然科学版).2013
[6].李珩,王京霞,王荣明,宋延林.利用光子晶体提高光存储器件的开关比[C].中国化学会第27届学术年会第05分会场摘要集.2010
[7].耿新华,黄维海,任慧志,薛俊明,张德坤.大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究[J].光电子·激光.2004
[8].熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT[J].半导体学报.1994
[9].蒋兴宗.高开关比非稳态多谐振荡器[J].无线电工程译文.1973
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