导读:本文包含了钛酸钡中温烧结论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:钛酸钡,电容器,陶瓷,性能,湿热,多层,纳米。
钛酸钡中温烧结论文文献综述
杨红星[1]（2009）在《中温烧结钛酸钡基X8R陶瓷研究》一文中研究指出论文从分析钛酸钡的晶体结构入手,运用XRD、SEM等现代微观分析手段,对钛酸钡及钛酸钡基中温烧结X8R介质陶瓷材料的制备进行了研究,讨论了介质陶瓷体系掺杂改性的作用效果和微观机理以及系统组分和工艺条件等对系统介电性能的影响。首先,本论文以钛酸钡为基,掺入Nb2O5-CoCO3形成“壳—芯”结构以此为基础配方,在此基础配方上对系统进行了Pb(Ti0.55,Sn0.45)O3掺杂改性。Pb(Ti0.55,Sn0.45)O3对系统高温区的稳定性有明显的改善作用,大大提高了高温条件下系统的介电常数,在测试温度150℃左右引入新的居里峰。然后,讨论了工艺对高介钛酸钡基陶瓷性能的影响,详细分析了煅烧,球磨,烧结工艺对钛酸钡基介质陶瓷的介电性能的影响。比较不同的煅烧温度并最终确定1130℃煅烧的钛酸钡粉料为主料。由于Pb(Ti0.55,Sn0.45)O3作用的结果,以及严格控制工艺过程最终制得了性能达到X8R要求的温度稳定型钛酸钡基介质陶瓷,1KHz下测试性能参数为:烧结温度1100℃介电常数ε≥2300损耗tanδ≤1.5% -55℃~150℃范围内-15%<?ε/ε<15%(本文来源于《天津大学》期刊2009-05-01）
黄新友[2]（2008）在《中温烧结钛酸钡锶基电容器陶瓷的研究》一文中研究指出以(Ba，Sr)TiO_3为基(简称为BST)，采用传统电容器陶瓷制备工艺和常规电容器陶瓷原料，借助正交设计法研究各种掺杂助剂的种类和用量对中温烧结BST基电容器陶瓷介电性能的影响，确定了影响中温烧结的BST基陶瓷介电性能的主次因素，其性能随各因素水平影响的趋势，得到最佳配方。在正交实验的基础上用单因素变量法研究铅硼玻璃、Bi_2O_3／Li_2O固溶体、CaZrO_3、Nb_2O_5／Co_2O_3及其加入量对(Ba，Sr)TiO_3基陶瓷中温烧结、性能以及结构的影响，研究其作用机制，认为4PbO．B_2O_3、Bi_2O_3／Li_2O固溶体在烧结过程中形成液相，使得晶粒发生重排，强化晶粒接触，气孔充分排出，促进晶粒发育，提高瓷体致密度，从而达到降低烧结温度的目的，并通过成分起伏相变影响瓷料的介电温度特性，添加不同量的CaZrO_3对瓷料的改性机理不一，掺杂少量CaZrO_3使得样品发生迭峰现象，提高样品的介电常数，掺杂过量的CaZrO_3则是通过固溶缓冲展宽机制和粒界缓冲展宽机制影响瓷料的介电性能。掺杂Nb_2O_5和Co_2O_3的压峰和展宽作用较为明显，分析其原因是形成了壳一核结构，限制晶粒长大。讨论分析了各掺杂物的作用机理。采用传统工艺和常规原料制备电容器陶瓷，通过调整配方和工艺，得到一系列中温烧结介电性能优良的BST电容器陶瓷配方。采用正交设计实验、Bi_4Ti_3O_(12)单因素变量法掺杂实验、Dy_2O_3单因素变量法掺杂实验研究了各组分对高压X7R特性钛酸钡锶基电容器陶瓷介电性能、显微结构和烧结温度的影响，探讨了各组分对钛酸钡锶基电容器陶瓷性能影响机理，为研制高压X7R特性多层陶瓷电容器用介质材料提供了依据。得到介电性能好的晶粒尺寸在1μm左右的高压X7R型中温烧结多层陶瓷电容器用介质材料。CdO的引入有利于Nb_2O_5和Dy_2O_3的固溶和扩散，从而有效的降低了材料的烧结温度，提高材料的介电常数，同时可以改善陶瓷中晶粒的形貌，抑制晶粒的长大。过量的Nb_2O_5偏析于晶界，阻止晶界移动，抑制晶粒生长，从而形成细晶结构。Ca~(2+)和Zr~(4+)分别进入晶格中部分Ba~(2+)和Ti~(4+)位置，都能降低居里点处的介电常数峰值，使居里温度向低温方向偏移，并能抑制晶粒的长大，提高介电常数。Bi_4Ti_3O_(12)玻璃相包裹晶粒和填充粒间，构成瓷体的复杂非均匀结构。异相对BaTiO_3铁电相的制约作用，使B位阳离子所处的势阱深度变浅，表现为ε-T特性曲线较平坦。在钛酸钡基陶瓷中微量掺杂稀土氧化物Dy_2O_3可以抑制晶粒生长，产生细晶效应，使得居里峰在整个工作温区内弥散展宽，获得较高的介电常数和良好的容量温度特性，满足X7R特性，可以大幅度提高钛酸钡锶基陶瓷的耐压强度。在钛酸锶钡基陶瓷中微量掺杂稀土氧化物Y_2O_3可以抑制晶粒生长，产生细晶效应，使得居里峰在整个工作温区内弥散展宽，获得较高的介电常数和良好的容量温度特性，并可以大幅度提高钛酸钡锶基陶瓷的耐压强度。当Y_2O_3掺杂量为0．6wt％和Dy_2O_3掺杂量为1．0 wt％时，分别得到中温烧结综合性能较好的电容器陶瓷。Yb_2O_3的加入没有改变BST陶瓷的晶体结构，大大提高BST陶瓷的介电常数。当Yb_2O_3的加入量为0．9 wt％时，采用碳酸锂作为烧结助剂，得到介电常数高达10000的中温烧结BST电容器陶瓷。MgO掺杂后的样品的介电峰被压抑和展宽，表现出扩散相变。从XRD谱图可知，MgO掺杂后的样品仍为单一的钙钛矿结构。当MgO掺杂量为0．2wt％和1．0wt％时，分别得到综合性能较好的中温烧结的钛酸钡锶陶瓷。Bi_2Sn_2O_7掺杂物包裹晶粒和填充晶粒间，构成瓷体的复杂非均匀结构。这种异相对(Ba,Sr)TiO_3铁电相有制约作用，使B位阳离子所处的势阱深度变浅，表现为ε-T特性曲线较平坦。当Bi_2Sn_2O_7掺杂量为30wt％时，得到综合性能好的符合X7R特性烧结温度为1150℃的中温烧结钛酸钡锶陶瓷。在Ba(CH_3COO)_2-Sr(NO_3)_2-Cd(NO_3)_2-Ti(OC_4H_9)_4-H_2O-CH_3COOH-CH_3CH_2OH体系中，采用溶胶凝胶法研究了(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3(BSCT)超细粉体的制备。采用x-射线衍射仪和比表面积测定仪研究了加水量、热处理温度等对BSCT纳米粉体的颗粒尺寸、物相组成和比表面积的影响，用扫描电镜和透射电镜观察了BSCT纳米粉体的颗粒尺寸和形貌。得到多层陶瓷电容器用BSCT纳米粉体，粉体的平均粒径为80nm左右，比表面积为13．64m~2／g。干凝胶经过950℃热处理即可形成钙钛矿相，比传统固相合成法低250℃～300℃。采用溶胶-凝胶法制备的(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细粉体研究了(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细陶瓷的制备，其平均晶粒尺寸约为1μm；得到综合性能较好的(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细陶瓷。随着晶粒尺寸的减小，(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3陶瓷材料介电常数峰值有大幅度的提高，相变温区有变窄趋势。采用柠檬酸-硝酸盐燃烧法研究了超细钛酸钡锶(BST)粉体和掺杂BST粉体的制备；研究了柠檬酸量、溶液的PH值、热处理温度和分散剂对超细BST粉体的物相和形貌及颗粒大小的影响，确定了最佳的柠檬酸量、PH值、热处理温度和分散剂(乙二醇)的量。得到超细BST粉体，其相结构为立方相钙钛矿结构，平均粒径约为50-100nm，颗粒形貌为不规则球形。同时还得到掺杂的超细BST粉体，平均粒径约为70nm。采用溶胶-凝胶法研究了Bi_4Ti_3O_(12)粉体的制备，得到的超细Bi_4Ti_3O_(12)粉体相结构为铋层状结构，粒径约为70nm左右。在超细BST粉体及含有Mn、Mg、Zn、Y和Co掺杂的BST粉体中掺杂超细Bi_4Ti_3O_(12)粉体制备了混合BST粉体。利用BST混合粉体进一步研究了超细晶BST陶瓷的制备。研究了烧结温度、Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量和微量元素掺杂对超细晶BST陶瓷表面显微结构和介电性能的影响。得到了具有好的介电性能超细BST电容器陶瓷，其烧结温度为1200℃和1150℃，陶瓷的平均粒径为0．5μm。(本文来源于《江苏大学》期刊2008-04-01）
王小勇[3]（2007）在《中温烧结热稳定X9R钛酸钡陶瓷的研究》一文中研究指出本论文主要讨论了工作在高温条件下的温度稳定型陶瓷电容器介质材料的研究和制备。从钛酸钡的晶体结构和介电性能出发,在成功制备X7R介质陶瓷的基础上做了更深入的研究,进一步扩展了温度稳定型陶瓷电容器的工作温区,并实现了中温烧结。首先,介绍了已制得的钛酸钡基X7R介质陶瓷的初步改性,分别讨论了Nb_2O_5、MgO、CoCO_3、CeO_2对钛酸钡系统的介电性能的影响,并成功制备出所需的X7R陶瓷材料,性能参数如下:烧结温度1260℃(保温6h),在1 kHz下ε≈4200,tanδ≤1.5%,-55℃～125℃范围内介电常数温度变化率-10%<Δε/ε<10%。然后,对系统进行了Pb(Ti_(0.3),Sn_(0.7))O_3掺杂和Bi_2O_3改性。Pb(Ti_(0.3),Sn_(0.7))O_3对系统高温区的稳定性有明显的改善作用,大大提高了高温条件下系统的介电常数,在测试温度160℃左右引入新的居里峰。Bi_2O_3可以作为助熔剂和展宽剂,添加Bi2O_3后在烧结过程中引入了液相烧结,从而大大降低了烧结温度,实现中温烧结。同时添加Bi2O_3后系统中出现了玻璃相,对居里峰有一定的展宽作用。Bi2O_3和Pb(Ti0.3,Sn0.7)O_3共同作用的结果,制得了性能达到X9R要求的高温稳定型钛酸钡基介质陶瓷,1KHz下测试性能参数为:烧结温度1140℃,介电常数ε≥2300,损耗tanδ≤1.5%,-55℃～210℃范围内-15%<Δε/ε<15%。本实验对煅烧钛酸钡粉料对系统介电性能的影响进行了研究,分析了煅烧钛酸钡对X7R陶瓷的影响,比较不同的煅烧温度并确定最佳煅烧温度。最后本实验采取1100℃煅烧的钛酸钡粉料为主料,最终得到了符合上述性能的高温温度稳定型电容器介电陶瓷。(本文来源于《天津大学》期刊2007-05-01）
唐斌,张树人,周晓华,李波,王升[4]（2006）在《纳米掺杂制备中温烧结钛酸钡X7R陶瓷及Nd掺杂效应研究》一文中研究指出本文提出了一种降低钛酸钡系X7R陶瓷烧结温度的新工艺,并着重研究了该工艺中Nd的掺杂行为。采用溶胶-凝胶法制得纳米级硼硅酸锂钕掺杂剂,其软化温度在710℃-720 ℃范围内,能够大大降低钛酸钡陶瓷的烧结温度。对稀土氧化物Nd的掺杂改性研究表明,硼硅酸锂钕中Nd用量大小对钛酸钡有强烈的改性作用:Nd用量增大使得介电常数和居里温度同时降低;而在使用硼硅酸锂钕掺杂剂的情况下,掺杂Nd2O3则对钛酸钡介电性能影响不明显。提出了该纳米掺杂剂降低烧结温度机理及不同状态Nd的改性机理。使用该工艺可获得烧结温度低至 1100℃符合X7R标准的钛酸钡陶瓷材料,其室温相对介电常数不小于2600。(本文来源于《中国电子学会第十四届电子元件学术年会论文集》期刊2006-08-01）
孙义传[5]（1989）在《中温烧结钛酸钡基X7R瓷料》一文中研究指出以Bi_2O_3、CdO和Nb_2O_5为添加剂对钛酸钡陶瓷加以改性,研制出中温烧结X7R瓷料,其ε约为150,R>10~(12)Ω,tgδ≤0.8％。烧结温度低于1150℃,适用于制造独石电容器。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1989年03期）
钛酸钡中温烧结论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以(Ba，Sr)TiO_3为基(简称为BST)，采用传统电容器陶瓷制备工艺和常规电容器陶瓷原料，借助正交设计法研究各种掺杂助剂的种类和用量对中温烧结BST基电容器陶瓷介电性能的影响，确定了影响中温烧结的BST基陶瓷介电性能的主次因素，其性能随各因素水平影响的趋势，得到最佳配方。在正交实验的基础上用单因素变量法研究铅硼玻璃、Bi_2O_3／Li_2O固溶体、CaZrO_3、Nb_2O_5／Co_2O_3及其加入量对(Ba，Sr)TiO_3基陶瓷中温烧结、性能以及结构的影响，研究其作用机制，认为4PbO．B_2O_3、Bi_2O_3／Li_2O固溶体在烧结过程中形成液相，使得晶粒发生重排，强化晶粒接触，气孔充分排出，促进晶粒发育，提高瓷体致密度，从而达到降低烧结温度的目的，并通过成分起伏相变影响瓷料的介电温度特性，添加不同量的CaZrO_3对瓷料的改性机理不一，掺杂少量CaZrO_3使得样品发生迭峰现象，提高样品的介电常数，掺杂过量的CaZrO_3则是通过固溶缓冲展宽机制和粒界缓冲展宽机制影响瓷料的介电性能。掺杂Nb_2O_5和Co_2O_3的压峰和展宽作用较为明显，分析其原因是形成了壳一核结构，限制晶粒长大。讨论分析了各掺杂物的作用机理。采用传统工艺和常规原料制备电容器陶瓷，通过调整配方和工艺，得到一系列中温烧结介电性能优良的BST电容器陶瓷配方。采用正交设计实验、Bi_4Ti_3O_(12)单因素变量法掺杂实验、Dy_2O_3单因素变量法掺杂实验研究了各组分对高压X7R特性钛酸钡锶基电容器陶瓷介电性能、显微结构和烧结温度的影响，探讨了各组分对钛酸钡锶基电容器陶瓷性能影响机理，为研制高压X7R特性多层陶瓷电容器用介质材料提供了依据。得到介电性能好的晶粒尺寸在1μm左右的高压X7R型中温烧结多层陶瓷电容器用介质材料。CdO的引入有利于Nb_2O_5和Dy_2O_3的固溶和扩散，从而有效的降低了材料的烧结温度，提高材料的介电常数，同时可以改善陶瓷中晶粒的形貌，抑制晶粒的长大。过量的Nb_2O_5偏析于晶界，阻止晶界移动，抑制晶粒生长，从而形成细晶结构。Ca~(2+)和Zr~(4+)分别进入晶格中部分Ba~(2+)和Ti~(4+)位置，都能降低居里点处的介电常数峰值，使居里温度向低温方向偏移，并能抑制晶粒的长大，提高介电常数。Bi_4Ti_3O_(12)玻璃相包裹晶粒和填充粒间，构成瓷体的复杂非均匀结构。异相对BaTiO_3铁电相的制约作用，使B位阳离子所处的势阱深度变浅，表现为ε-T特性曲线较平坦。在钛酸钡基陶瓷中微量掺杂稀土氧化物Dy_2O_3可以抑制晶粒生长，产生细晶效应，使得居里峰在整个工作温区内弥散展宽，获得较高的介电常数和良好的容量温度特性，满足X7R特性，可以大幅度提高钛酸钡锶基陶瓷的耐压强度。在钛酸锶钡基陶瓷中微量掺杂稀土氧化物Y_2O_3可以抑制晶粒生长，产生细晶效应，使得居里峰在整个工作温区内弥散展宽，获得较高的介电常数和良好的容量温度特性，并可以大幅度提高钛酸钡锶基陶瓷的耐压强度。当Y_2O_3掺杂量为0．6wt％和Dy_2O_3掺杂量为1．0 wt％时，分别得到中温烧结综合性能较好的电容器陶瓷。Yb_2O_3的加入没有改变BST陶瓷的晶体结构，大大提高BST陶瓷的介电常数。当Yb_2O_3的加入量为0．9 wt％时，采用碳酸锂作为烧结助剂，得到介电常数高达10000的中温烧结BST电容器陶瓷。MgO掺杂后的样品的介电峰被压抑和展宽，表现出扩散相变。从XRD谱图可知，MgO掺杂后的样品仍为单一的钙钛矿结构。当MgO掺杂量为0．2wt％和1．0wt％时，分别得到综合性能较好的中温烧结的钛酸钡锶陶瓷。Bi_2Sn_2O_7掺杂物包裹晶粒和填充晶粒间，构成瓷体的复杂非均匀结构。这种异相对(Ba,Sr)TiO_3铁电相有制约作用，使B位阳离子所处的势阱深度变浅，表现为ε-T特性曲线较平坦。当Bi_2Sn_2O_7掺杂量为30wt％时，得到综合性能好的符合X7R特性烧结温度为1150℃的中温烧结钛酸钡锶陶瓷。在Ba(CH_3COO)_2-Sr(NO_3)_2-Cd(NO_3)_2-Ti(OC_4H_9)_4-H_2O-CH_3COOH-CH_3CH_2OH体系中，采用溶胶凝胶法研究了(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3(BSCT)超细粉体的制备。采用x-射线衍射仪和比表面积测定仪研究了加水量、热处理温度等对BSCT纳米粉体的颗粒尺寸、物相组成和比表面积的影响，用扫描电镜和透射电镜观察了BSCT纳米粉体的颗粒尺寸和形貌。得到多层陶瓷电容器用BSCT纳米粉体，粉体的平均粒径为80nm左右，比表面积为13．64m~2／g。干凝胶经过950℃热处理即可形成钙钛矿相，比传统固相合成法低250℃～300℃。采用溶胶-凝胶法制备的(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细粉体研究了(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细陶瓷的制备，其平均晶粒尺寸约为1μm；得到综合性能较好的(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3超细陶瓷。随着晶粒尺寸的减小，(Ba_(0.70)Sr_(0.25)Cd_(0.05))TiO_3陶瓷材料介电常数峰值有大幅度的提高，相变温区有变窄趋势。采用柠檬酸-硝酸盐燃烧法研究了超细钛酸钡锶(BST)粉体和掺杂BST粉体的制备；研究了柠檬酸量、溶液的PH值、热处理温度和分散剂对超细BST粉体的物相和形貌及颗粒大小的影响，确定了最佳的柠檬酸量、PH值、热处理温度和分散剂(乙二醇)的量。得到超细BST粉体，其相结构为立方相钙钛矿结构，平均粒径约为50-100nm，颗粒形貌为不规则球形。同时还得到掺杂的超细BST粉体，平均粒径约为70nm。采用溶胶-凝胶法研究了Bi_4Ti_3O_(12)粉体的制备，得到的超细Bi_4Ti_3O_(12)粉体相结构为铋层状结构，粒径约为70nm左右。在超细BST粉体及含有Mn、Mg、Zn、Y和Co掺杂的BST粉体中掺杂超细Bi_4Ti_3O_(12)粉体制备了混合BST粉体。利用BST混合粉体进一步研究了超细晶BST陶瓷的制备。研究了烧结温度、Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量和微量元素掺杂对超细晶BST陶瓷表面显微结构和介电性能的影响。得到了具有好的介电性能超细BST电容器陶瓷，其烧结温度为1200℃和1150℃，陶瓷的平均粒径为0．5μm。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸钡中温烧结论文参考文献
[1].杨红星.中温烧结钛酸钡基X8R陶瓷研究[D].天津大学.2009
[2].黄新友.中温烧结钛酸钡锶基电容器陶瓷的研究[D].江苏大学.2008
[3].王小勇.中温烧结热稳定X9R钛酸钡陶瓷的研究[D].天津大学.2007
[4].唐斌,张树人,周晓华,李波,王升.纳米掺杂制备中温烧结钛酸钡X7R陶瓷及Nd掺杂效应研究[C].中国电子学会第十四届电子元件学术年会论文集.2006
[5].孙义传.中温烧结钛酸钡基X7R瓷料[J].电子元件与材料.1989