导读:本文包含了极性生长论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:rabdosinate,二萜,拟南芥,生长素极性运输
极性生长论文文献综述
李芃,郇兆蔚,丁兰[1]（2019）在《Rabdosinate调节生长素极性运输蛋白PIN1、PIN3和PIN4抑制拟南芥幼苗根生长》一文中研究指出利用3种拟南芥生长素极性运输外运载体突变体及4种转基因株系研究了二萜rabdosinate抑制拟南芥幼苗主根及侧根生长的作用机制。结果显示,60～80μmol·L~(-1)的rabdosinate显着抑制野生型拟南芥幼苗主根生长及侧根形成,而对突变体pin1、pin2和pin3主根未显示明显的抑制效应,对侧根的抑制减弱;发现rabdosinate(60～80μmol·L~(-1))引起生长素报告株系根尖DR5活性升高,并增加融合蛋白PIN1-GFP丰度以及减少PIN3-GFP和PIN4-GFP的丰度。推断rabdosinate可通过增加PIN1丰度促进了根部生长素向顶运输,而减少PIN3丰度降低根尖部生长素的横向转运,引起了生长素在根尖部的累积及生长素浓度梯度的改变,进而抑制幼苗主根生长及侧根发育。(本文来源于《植物研究》期刊2019年06期）
何静,丁兰,李芃,郇兆蔚[2]（2019）在《Leukamenin E调节拟南芥幼苗根部生长素极性运输及根系生长发育》一文中研究指出本文采用14种拟南芥转基因报告株系,研究了对映-贝壳杉烷二萜(leukamenin E)调节拟南芥根部生长素极性运输转运蛋白表达并影响根生长发育的机制。结果表明:leukamenin E浓度在20～40μmol·L~(-1)范围显着抑制拟南芥幼苗主根的生长,较低浓度leukamenin E(10μmol·L~(-1))促进侧根提前发生并增加侧根数量; 10～30μmol·L-1的leukamenin E在处理拟南芥幼苗48 h后可显着提高其根尖部生长素水平;进一步检测根部生长素极性运输转运蛋白表达,发现该浓度条件下leukamenin E促进PIN1在转录水平表达并增加其蛋白丰度,但在转录水平抑制PIN2表达并减少其蛋白丰度;同时,显着减少PIN3、PIN7和PIN4蛋白在小柱和静止中心及其周围细胞的丰度以及AUX1的定位丰度; Leukamenin E对PIN1丰度的上调以及对PIN2、PIN3、PIN4、PIN7和AUX1定位丰度的减少可导致生长素在根尖顶部的积累以及根部生长素浓度梯度的改变,引起根生长的抑制及侧根的提前发生。(本文来源于《生态学杂志》期刊2019年10期）
彭丽萍,喻其林,卫贺南,朱娜丽,许佳春[3]（2019）在《白念珠菌液泡钙通道Yvc1通过介导ROS梯度定位参与菌丝极性生长》一文中研究指出Yvc1是白念珠菌的液泡膜钙通道蛋白,在氧化压力应答、菌丝发育、细胞壁完整性和致病性等多种生理过程中发挥着重要作用,然而Yvc1调控菌丝发育的具体机制尚不清楚。本研究发现在菌丝诱导条件下,WT菌株中ROS聚集于菌丝顶端,而yvc1Δ/Δ菌株中ROS在萌发管中非极性分布,表明Yvc1能够调控ROS的极性分布。此外,Fre8是白念珠菌的NADPH氧化酶,通过在菌丝顶端产生ROS,促进菌丝的极性生长。为了研究Yvc1介导的ROS定位与菌丝极性生长的关系,本研究构建了pAu34M-Fre8-GFP质粒,并分别转化WT和yvc1Δ/Δ菌株,观察其定位。结果发现Fre8弥散分布于yvc1Δ/Δ菌株的萌发管,而在WT菌株中集中分布于菌丝顶端,在加入Ca2+螯合剂EGTA后,Fre8在WT菌株中也表现出与yvc1Δ/Δ菌株一致的弥散分布。说明Yvc1通过调控菌丝中的Ca2+浓度进而介导Fre8的定位,从而改变ROS在菌丝顶端的分布。同时发现极性生长相关蛋白Bud6、Exo70和Lifeact的定位与Fre8和ROS情况相同,在WT菌株分布集中,而在yvc1Δ/Δ菌株中去极化分布。因此,本研究表明白念珠菌Yvc1通过调控ROS在菌丝顶端的极性分布参与极性生长,同时Ca2+在细胞代谢与系统发育中起到重要的桥梁作用。(本文来源于《多彩菌物 美丽中国——中国菌物学会2019年学术年会论文摘要》期刊2019-08-03）
迭俊珲[4]（2019）在《非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究》一文中研究指出非极性氮化镓(GaN)材料因其能够完全避免极化电场的影响,在光电子和电子器件方面展现出了巨大的应用潜力。由于目前大尺寸GaN衬底的制备还存在很大的困难,所以主要的研究工作集中于在蓝宝石、碳化硅等其他衬底上外延GaN薄膜。然而异质外延的非极性GaN普遍存在表面形貌差、缺陷密度高以及晶体质量各向异性等问题,它们严重限制了非极性GaN材料的应用。本论文针对以上问题,一方面提出了一种新的侧向外延的生长方法,即通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在图形化的r面蓝宝石衬底上直接生长a面GaN;另一方面,系统研究了氮化铝(AlN)成核层生长条件对a面GaN的影响,并且探究了这些影响背后的机制。具体的研究内容和实验结果如下:1.针对传统侧向外延生长方法工艺过程复杂、合并厚度大的缺点,我们提出了在钛图形化的r面蓝宝石衬底上直接外延非极性a面GaN的生长方法。首先在r面蓝宝石衬底上制作一层金属钛的孔阵掩膜,然后在孔内选择性外延GaN,最终得到平整的a面GaN薄膜。相比平片,钛图形化衬底上生长的GaN不但表面质量和晶体质量有了较大的提高,而且其各向异性也得到了显着降低。通过扫描电子显微镜(SEM)、非对称X射线衍射倒易空间图(RSMs)和拉曼光谱(Raman Spectra)测试发现,使用钛图形化衬底后沿m轴方向的马赛克横向尺寸显着增加了,从而降低了a面GaN表面形貌和晶体质量的各向异性。这种方法的优点在于合并厚度薄、成本低而且更易实现,因此使用钛图形化衬底外延是获得高质量a面GaN的一种有效且实用的方法。2.和GaN相比,AlN材料具有更高的层错形成能和更低的表面原子迁移率,因此我们采用AlN作为成核层在r面蓝宝石衬底上生长a面GaN。研究发现a面GaN的表面形貌与晶体质量和AlN形核层的生长条件有着密切的关系。随着AlN生长温度的降低,AlN晶粒变得更大更稀疏,延迟了GaN小岛的合并,增加了横向生长距离,从而有效地降低了GaN薄膜中的缺陷密度。我们进一步研究了低温AlN的生长时间对a面GaN的影响。研究表明适当的AlN生长时间可以显着降低a面GaN薄膜的晶体质量、表面形貌和面内应变的各向异性,其原因是不同生长时间AlN可以调整GaN面内不同方向的横向生长长度,进而改变GaN薄膜的各向异性。这一研究表明适宜生长条件的AlN成核层可以有效提高a面GaN的表面形貌和晶体质量。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
邓高强[5]（2019）在《SiC衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及发光器件制备研究》一文中研究指出Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN及其合金化合物),为直接带隙半导体材料,禁带宽度从0.67 eV到6.2 eV连续可调,并具有良好的、稳定的物理和化学特性,在光电子领域应用广泛。目前,GaN基发光二极管(LED)大多都是基于镓极性材料,即LED结构沿着+c轴<0001>方向进行外延生长,而沿着-c轴<0001>方向外延的氮极性GaN基LED较少被研究,主要原因是难于获得高结晶质量和表面光滑的氮极性GaN薄膜。然而与镓极性材料相比,氮极性材料具有独特优势。氮极性InGaN可以在更高的温度下外延生长,即氮极性InGaN中In的并入效率更高。氮极性InGaN阱层生长温度的提高可以相应的提高GaN垒层和后续p型GaN的生长温度,从而提高InGaN阱层、GaN垒层和p型GaN层的晶体质量。此外,氮极性LED的极化电场方向与镓极性LED的极化电场相反,相反的极化电场有利于载流子向有源区的注入,并且还有利于抑制载流子从有源区的溢出,进而提高器件的内量子效率。因此,研究和发展氮极性GaN基材料对促进III族氮化物半导体材料发光器件的发展具有重要意义。本论文针对氮极性GaN材料的生长难题,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在SiC衬底上开展了氮极性GaN材料可控生长及氮极性InGaN/GaN量子阱LED制备的研究工作。具体研究内容如下:1、SiC衬底上氮极性GaN薄膜的制备研究。研究了SiC衬底斜切角、高低温两步生长工艺和气相V/III比对氮极性GaN薄膜表面形貌的影响。研究表明,在0~o斜切角SiC衬底上制备的氮极性GaN薄膜,其表面会形成高密度的六方小丘,而在斜切角为4~o的邻晶面SiC衬底上外延的氮极性GaN薄膜,六方小丘消失,表面粗糙度明显降低。我们从邻晶面衬底可增加外延薄膜成核密度角度对不同斜切角衬底上薄膜形貌转变机理进行了合理解释。然而,虽然使用邻晶面SiC衬底抑制了氮极性GaN薄膜表面六方小丘的形成,但是其表面仍较为粗糙,原子力显微镜(AFM)测试20×20μm~2内的均方根(rms)粗糙度为34.6 nm。为此,基于邻晶面SiC衬底,我们采用高低温两步生长工艺进行了氮极性GaN薄膜的外延生长,并对低温和高温GaN生长温度进行了优化。在最优条件下,氮极性GaN薄膜表面20×20μm~2内的rms粗糙度为8.13 nm,与一步高温生长法相比表面粗糙度降低了约3倍。为进一步改善氮极性GaN薄膜表面粗形貌,获得表面光滑的氮极性GaN薄膜,我们对V/III比进行了优化。AFM测试结果表明,当V/III比从1500降低到125时,其表面20×20μm~2内的rms粗糙度从8.13nm降低到了2.78 nm。2、SiC衬底上氮极性GaN薄膜SiN_x插入层生长工艺研究。在获得表面光滑的氮极性GaN薄膜之后,我们又进一步提高了其结晶质量,这对提高氮极性InGaN/GaN量子阱LED发光性能至关重要。为此,我们在氮极性GaN薄膜的外延生长过程中引入了SiN_x插入层,并对SiN_x插入层的沉积时间进行了优化,得到SiN_x插入层的最优沉积时间为60 s,在最优条件下氮极性GaN薄膜X射线衍射(XRD)的(002)面和(102)面摇摆曲线半峰宽分别为400 arcsec和335 arcsec,对应的位错密度约为6.2×10~8 cm~(-2),结晶质量可以和镓极性GaN薄膜相媲美。此外,根据AFM测试观察到的SiN_x插入层的孔状特征形貌,我们提出了SiN_x插入层上氮极性GaN薄膜的外延生长模型。3、SiC衬底上氮极性InGaN/GaN量子阱LED制备研究。研究了SiC衬底上GaN模板层表面形貌和InGaN/GaN量子阱数对氮极性蓝绿光(~480 nm)LED发光性能的影响。研究发现,降低GaN模板表面粗糙度可以有效提高氮极性蓝绿光LED发光强度和发光均匀性。此外,通过优化InGaN/GaN量子阱数可进一步提高氮极性蓝绿光LED发光性能。对于量子阱数对氮极性LED性能的影响机制,我们从量子阱材料外延生长角度进行了解释:外延过程中量子阱数越多,在InGaN阱层和GaN垒层界面处会诱导产生的更多的缺陷。基于优化的量子阱对数,我们进行了氮极性绿光(~511 nm)LED的制备,并对其电学和光学特性进行了分析,该绿光LED具有很好的整流效应,开启电压为4 V,在30 mA下能观察到明显的绿光发射。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
张聪良[6]（2019）在《烟曲霉极性生长相关基因Bem46与Osh基因的关系研究》一文中研究指出目的:通过比较烟曲霉Ku80与Bem46缺陷株的Osh基因表达量,分析极性生长相关基因Bem46与Osh基因之间有无关系。方法:1.烟曲霉Bem46敲除株的构建,即ΔBem46;(前期已完成)2.在NCBI网站上查找出在烟曲霉中与构巢曲霉同源的Osh基因;3.设计OshA、OshB、OshC、OshD、OshE每个基因RT-PCR扩增引物;4.通过RT-PCR比较烟曲霉Ku80及ΔBem46中OshA、OshB、OshC、OshD、OshE表达量,使用t检验对两独立样本进行统计学的比较。结果:以烟曲霉Ku80作为实验对照组,在ΔBem46中OshA的表达量为正常情况下表达量的0.54倍;OshB在ΔBem46中的表达量为正常时的1.33倍;OshD在ΔBem46中的表达量为正常时的0.59倍;OshC及OshE无统计学差异。结论:在烟曲霉中,Bem46基因的缺失引起表达量下降的为OshA及OshD,引起基因表达量增加的是OshB,而OshC及OshE的表达量未见明显变化我们推测Bem46基因可能通过影响部分Osh基因的表达,从而导致烟曲霉发育迟缓。(本文来源于《山西医科大学》期刊2019-05-20）
闫龙[7]（2018）在《蓝宝石衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究》一文中研究指出沿c轴生长的六方纤锌矿结构的Ga N,依据其原子堆迭顺序的不同,存在镓极性和氮极性两种极化方向相反的状态。目前关于镓极性Ga N的研究已经比较全面,特别是在发光器件的研究中取得了很高的发光效率,从而成功实现了商业化。由氮极性Ga N制备的发光器件在理论上拥有比镓极性器件更高的内量子效率和载流子注入效率,因而被认为具有很大的潜力。但是目前,针对氮极性Ga N薄膜生长的研究还处在比较初步的阶段,依然存在着外延薄膜表面粗糙、位错密度高和背景电子浓度难以控制等很多的问题。这些问题限制了氮极性Ga N基发光器件的进一步发展。本论文针对以上问题开展了一系列的研究工作,并以此为基础制备了氮极性的蓝紫光LED,进而对其性能进行了研究。本文的具体研究内容如下:(1)采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上制备了表面光滑的氮极性Ga N薄膜,并通过在薄膜中原位插入Si Nx掩膜层提高了其晶体质量。详细研究了Si Nx掩膜层的沉积时间和插入位置对薄膜位错密度和残余应力的影响。在最优条件下,插入Si Nx掩膜层使氮极性Ga N薄膜刃位错密度降低了20倍,面内张应力降低了3.7倍。对样品的电学和发光特性研究表明,插入Si Nx掩膜层还能有效的降低氮极性Ga N薄膜中的非故意掺杂浓度,同时也能提高薄膜的光学质量。(2)通过delta掺杂的方法成功实现了氮极性Ga N电子浓度可控的n型掺杂。首先,采用均匀掺Si的方法制备了n型氮极性Ga N薄膜。通过对样品表面及电子浓度的表征发现,均匀掺Si的n型氮极性Ga N薄膜表面存在V型坑,且电子浓度并不受Si掺入量的控制。其次,采用delta掺杂的方法实现氮极性Ga N薄膜的n型掺杂。该方法成功抑制了薄膜表面的V型缺陷,而且还可以通过改变生长条件实现对电子浓度的控制。另外,通过对均匀掺杂及delta掺杂制备的n型氮极性Ga N薄膜的比较发现,均匀掺杂方法Si的并入效率更高,delta掺杂的薄膜光学质量更好。(3)通过极化诱导掺杂的方法成功实现了氮极性Al Ga N高空穴浓度的p型掺杂。详述了利用极化诱导掺杂方法实现空穴导电的原理,分析了氮极性Al Ga N薄膜在实现极化诱导掺杂上的优势,推导了计算薄膜内空穴浓度理论值的公式。利用MOCVD方法制备了掺Mg的Al组分线性分布的氮极性Al Ga N薄膜,并在不同的温度下对其电学特性进行表征。通过分析其空穴浓度随温度变化的规律,发现薄膜内同时存在两种空穴电离机制,热激活和极化电场电离。通过在氮极性Ga N模板中插入Si Nx掩膜层及优化生长Al Ga N薄膜过程中Mg流量的方法进一步提高了极化诱导p型Al Ga N薄膜的空穴浓度,可达到9.0×1017cm-3。(4)基于以上薄膜优化及掺杂的条件,制备了氮极性蓝紫光LED,并通过对其性能的表征证明了氮极性LED在大电流驱动下的优势。首先,通过调整多量子阱的结构及生长条件抑制了氮极性量子阱表面出现的六方小丘,并验证了六方小丘源于低温Ga N垒层。其次,利用之前优化获得的各层薄膜的生长条件,制备了水平结构的氮极性蓝紫光LED。分析了其开启电压和在抑制Droop效应方面相对于镓极性器件的优势。最后,通过在LED中加入极化诱导隧道结改善了器件的电流扩展,从而提高了LED的发光强度。在40m A电流驱动下,其EQE增加了68%。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-12-01）
赖润晨[8]（2018）在《非极性溶液中高质量CdSe纳米晶生长过程表面反应的研究》一文中研究指出在基于前体的溶液化学合成中,纳米晶的生长规律与经典结晶学中成核理论所预测的相距甚远。前体和表面参与的化学反应对纳米晶的形成有着决定性的作用、可能是揭示其机理的关键之一,然而对其的定量研究仍处于初步阶段,其中对生长阶段的研究更寥寥无几。纳米晶的几何尺寸处于从分子到核、再到宏观可观测单晶的过渡区——结晶学最关键、最难以研究的尺寸范围。尺寸处于量子限域效应范围内的溶液半导体纳米晶(量子点)提供了独特的定量探测手段,可以准确地给出纳米晶的尺寸信息;通过选取合成方法和表面配体,人们也可通过简单的测量手段获取丰富的纳米晶表面信息。因此,量子点是难得的研究晶体生长的模型体系。我们首先设计了 一种用于实现CdSe种子量子点外延生长的循环生长策略。在胺—十八烯(ODE)溶液中,使用与标准反应体系相似的前体和反应条件,每次只允许溶液中有一种前体存在(阳离子前体或阴离子前体),前体与量子点表面异种原子的反应使量子点表面生长上一层原子层,反应结束后将量子点与前体溶液分离,进行下一步反应。经过几次循环生长得到的CdSe量子点具有与直接合成量子点相同的晶型和结晶性,说明这种合成框架可以用于研究CdSe量子点生长过程的表面反应。通过这种方法,我们得以研究CdSe量子点表面原子与溶液中异种原子前体的反应,避免了实际合成体系中共存的阴阳离子前体为机理研究带来的干扰。在上述循环生长策略中,CdSe量子点经历了叁种不同类型的表面半反应,分别称之为初始半反应、硒表面半反应和镉表面半反应,后两者构成了 CdSe量子点的重复生长循环。初始半反应和镉表面半反应都发生于CdSe量子点表面配位的羧酸镉与硒前体溶液之间,两者的区别在于量子点的表面原子构型和粒子形貌;硒表面半反应发生在表面硒原子富余的量子点与镉前体溶液之间。我们使用紫外—可见吸收光谱、荧光光谱、红外光谱和透射电镜等基本表征手段对CdSe量子点生长过程中的表面反应进行了定量的系统研究。在生长循环发生之前,羧酸镉配位的CdSe种子与活化的硒前体发生初始半反应,在量子点表面实现硒原子富余。在这个半反应中,实验确定了叁个基元步骤;硒表面半反应和镉表面半反应则都包含量两个基元步骤。硒表面半反应的两个基元步骤表现为平行反应动力学,而镉表面半反应必须使用两个一级反应的连续反应模型才可以得到定量解释。对这几个基元步骤的温度相关研究表明,它们有着差异巨大的反应速率常数和反应活化能。其中,硒前体与量子点表面羧酸镉结合并使羧酸根脱离表面的这一步,也就是镉表面半反应的第一个基元步骤,具有最大的活化能,可能是CdSe量子点生长过程中的决速步。这个决速步的存在可能是晶体形成过程中成核比生长容易的原因。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-09-20）
张竞,王书敏,彭文慧,孙肖雨,易珊珊[9]（2018）在《AP-2复合体对禾谷镰刀菌极性生长及致病能力有极其重要的作用》一文中研究指出AP-2复合体广泛分布于真核生物中并以异源四聚体的形式行使生物学功能。在哺乳动物中,AP-2复合体是网格蛋白的衔接因子并参与质膜囊泡的运输,但它在丝状病原真菌中的生物学功能尚不明确。本研究以病原真菌——禾谷镰刀菌为研究对象,分析了AP-2复合体的生物学功能。研究表明:AP-2复合体各个亚基(FgAP2~α,FgAP2~β,FgAP2~σ和FgAP2~(mu))的缺失均严重地影响了菌落的生长、分生孢子的数量及形态、膈膜及细胞核数目和侵染致病能力。相比于野生型PH-1,各基因敲除突变体的分生孢子萌发异常,出现多个方向且粗短的萌发管,萌发后的菌丝生长变得弯曲且菌丝尖端产生多个分支,这些结果表明AP-2复合体的缺失造成极性维持的丧失。为了进一步证明AP-2复合体参与调控禾谷镰刀菌极性生长,顶体蛋白marker LifeActin-GFP被分别转入野生型及/△Fgap2~α中。相较于野生型,我们发现FgAp2~α缺失使得LifeActin-GFP在菌丝顶端产生多个荧光位点,表明影响了菌丝尖端极性的维持。亚细胞定位表明AP-2复合体定位于菌丝尖端的内吞颈环及菌丝隔膜处,并与肌动蛋白组件(AbpA-mCherry和Life-Actin-mCherry)、内吞作用相关蛋白(SagA-mCherry和Sla2-mCherry)及磷脂翻转酶(DnfAGFP和DnfB-GFP)共定位。此外,我们发现AP-2复合体不与早期内含体共定位并且其各亚基的缺失不影响FM4-64染料所示踪的内吞过程,网格蛋白轻链ClaL也不与AP-2复合体共定位,这些结果表明禾谷镰刀菌中AP-2复合体的生物学功能和哺乳动物的存在差异。(本文来源于《中国植物病理学会2018年学术年会论文集》期刊2018-08-24）
李程亮,王晨芳,许金荣[10]（2018）在《禾谷镰刀菌FgCot1基因在菌丝极性生长中的调控作用研究》一文中研究指出小麦赤霉病是一种重要的农作物真菌病害,由禾谷镰刀菌引起。该病害不仅造成小麦减产,还会在染病小麦籽粒中积累真菌毒素,严重威胁人畜健康。蛋白激酶在真核生物中普遍存在,实验室对禾谷镰刀菌的激酶进行了系统的鉴定,并初步分析了它们的功能。其中COT1作为NDR激酶的重要成员,可能与菌丝极性生长有关。本研究在前期获得的cot1基因敲除突变体的基础上,进一步对cot1突变体进行表型分析。我们发现cot1突变体相比野生型菌落生长严重滞缓,产孢量严重降低,致病力下降显着,表明COT1在禾谷镰刀菌生长发育和侵染过程中均发挥了重要的调控作用。有意思的是,研究发现cot1缺失突变体生长不稳定,容易产生角变子从而部分恢复突变体的生长缺陷。通过对叁个角变子(S1,S59,S62)进行全基因组重测序,发现了S1在FgFst11发生缺失突变,S59在FgFst7发生点突变,S62在Fst12上发生缺失突变,而Fst11,Fst7以及Fst12均为Gpmk1 MAPK通路成员。另外对其他角变子中的Fst11,Fst7和Fst12进行测序,发现在Fst11发生突变的角变子较多,且多为缺失突变。进一步对FST1 1和COT1进行双敲,发现双敲突变体的生长速率较cot1突变体有所回复。研究结果初步揭示了Cot1与Gpmk1信号通路之间的关系,为进一步探究Cot1激酶的调控机制提供了参考。(本文来源于《中国植物病理学会2018年学术年会论文集》期刊2018-08-24）
极性生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用14种拟南芥转基因报告株系,研究了对映-贝壳杉烷二萜(leukamenin E)调节拟南芥根部生长素极性运输转运蛋白表达并影响根生长发育的机制。结果表明:leukamenin E浓度在20～40μmol·L~(-1)范围显着抑制拟南芥幼苗主根的生长,较低浓度leukamenin E(10μmol·L~(-1))促进侧根提前发生并增加侧根数量; 10～30μmol·L-1的leukamenin E在处理拟南芥幼苗48 h后可显着提高其根尖部生长素水平;进一步检测根部生长素极性运输转运蛋白表达,发现该浓度条件下leukamenin E促进PIN1在转录水平表达并增加其蛋白丰度,但在转录水平抑制PIN2表达并减少其蛋白丰度;同时,显着减少PIN3、PIN7和PIN4蛋白在小柱和静止中心及其周围细胞的丰度以及AUX1的定位丰度; Leukamenin E对PIN1丰度的上调以及对PIN2、PIN3、PIN4、PIN7和AUX1定位丰度的减少可导致生长素在根尖顶部的积累以及根部生长素浓度梯度的改变,引起根生长的抑制及侧根的提前发生。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
极性生长论文参考文献
[1].李芃,郇兆蔚,丁兰.Rabdosinate调节生长素极性运输蛋白PIN1、PIN3和PIN4抑制拟南芥幼苗根生长[J].植物研究.2019
[2].何静,丁兰,李芃,郇兆蔚.LeukameninE调节拟南芥幼苗根部生长素极性运输及根系生长发育[J].生态学杂志.2019
[3].彭丽萍,喻其林,卫贺南,朱娜丽,许佳春.白念珠菌液泡钙通道Yvc1通过介导ROS梯度定位参与菌丝极性生长[C].多彩菌物美丽中国——中国菌物学会2019年学术年会论文摘要.2019
[4].迭俊珲.非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[5].邓高强.SiC衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及发光器件制备研究[D].吉林大学.2019
[6].张聪良.烟曲霉极性生长相关基因Bem46与Osh基因的关系研究[D].山西医科大学.2019
[7].闫龙.蓝宝石衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究[D].吉林大学.2018
[8].赖润晨.非极性溶液中高质量CdSe纳米晶生长过程表面反应的研究[D].浙江大学.2018
[9].张竞,王书敏,彭文慧,孙肖雨,易珊珊.AP-2复合体对禾谷镰刀菌极性生长及致病能力有极其重要的作用[C].中国植物病理学会2018年学术年会论文集.2018
[10].李程亮,王晨芳,许金荣.禾谷镰刀菌FgCot1基因在菌丝极性生长中的调控作用研究[C].中国植物病理学会2018年学术年会论文集.2018
标签：rabdosinate; 二萜; 拟南芥; 生长素极性运输;