论文摘要
隧穿氧化物钝化接触（TOPCon）技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散（PERT）结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 于波,史金超,李锋,庞龙,刘克铭,于威
关键词: 选择性钝化接触,隧穿氧化层,多晶硅,双面太阳电池
来源: 半导体技术 2019年05期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 河北大学物理科学与技术学院,英利能源(中国)有限公司光伏材料与技术国家重点实验室
分类号: TM914.4
DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.008
页码: 368-373
总页数: 6
文件大小: 1288K
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