导读:本文包含了沉积扩散论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:淋巴瘤,系数,矫顽力,死区,气相,磁控溅射,界面。
沉积扩散论文文献综述
王永平,丁子君,朱宝,刘文军,丁士进[1]（2019）在《TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能》一文中研究指出使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。(本文来源于《材料研究学报》期刊2019年01期）
高永伟,亢燕铭[2]（2019）在《扩散沉积导致的管内气溶胶穿透率简明公式》一文中研究指出针对气溶胶粒子在长直扁平方管(通道)及圆管内受布朗扩散导致的沉积损失问题,从对流扩散方程出发,采用分离变量法,通过严格的理论求解得到了这两类问题中粒子穿透率的无穷级数解。利用Python语言中高精度计算功能确定了相应本征问题的本征值、本征函数及无穷级数展开系数。根据所得的相对严格意义上的穿透率数据,回归拟合得到了扩散沉积条件下粒子通过方管及圆管时的穿透率简明公式,并与已有研究进行了详细的比较。结果表明:本文得到的两个简明公式更加简单和准确,对方管与圆管内粒子穿透率估计的误差最大值分别仅为3.7×10~(-4)和8.3×10~(-4),可以快速有效地估计层流条件下和受扩散沉积作用时,气溶胶粒子通过两种管(通)道的穿透率。(本文来源于《应用力学学报》期刊2019年02期）
陈望,黄有林,罗军明,关耀威,葛现金[3]（2018）在《晶界扩散处理对磁控溅射法沉积DyMn复合薄膜的Nd-Fe-B磁体性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射技术在烧结Nd-Fe-B磁体表面沉积DyMn复合薄膜,研究了不同晶界扩散工艺对磁体微观结构和磁性能的影响。研究结果表明:当采用晶界扩散条件为750℃/5 h、500℃/1 h时,磁体获得的综合磁性能最佳,其矫顽力、剩磁和最大磁能积分别为H_(ci)=1310 kA·m~(-1)、J_r=1.208 T和(BH)_(max)=259 kJ·m~(-3),相较于原始磁体,磁性能获得全面提升,其中矫顽力增幅高达34.8%。微观组织结构研究发现,晶界扩散后富稀土相分布变化所导致的退磁场减小和Dy、Mn元素在主相晶粒外延层分布所引起的反磁化畴形核场的增加是磁体综合磁性能提高的主要原因。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2018年11期）
宿世超[4]（2018）在《HWCVD沉积固态源扩散制备n-PERT双面太阳电池》一文中研究指出n型晶硅由于体少子寿命高,对金属杂质的容忍度大,弱光效应好和无光致衰减等优点,近年来在高效率太阳电池领域备受关注。n型晶硅太阳电池的发展呈现多种技术路线齐头并进的特点,现在已经有各类结构的高效n型电池,其中n-PERT结构因可双面发电,制备技术与现有产线兼容性好等优点而备受关注。其推广应用的瓶颈目前主要是其结构中p~+-c-Si发射极和n~+-c-Si背电场的制备技术尚存在不足。通过分析现行各种扩散技术的优缺点,结合我们自身研究基础提出了一种新的扩散技术-热丝气相沉积法(HWCVD)沉积固态源扩散技术;有望提升n-PERT结构的p~+和n~+-c-Si层的性能并降低其生产成本。针对该技术,本文主要做的工作有:一、实验论证HWCVD沉积固态源扩散技术的可行性;二、对HWCVD沉积固态源扩散技术制备的p~+发射极和n~+背电场性能进行详细的分析;叁、基于该技术的n-PERT太阳电池结构的设计与可控制备。主要研究结果如下:1、HWCVD沉积时源气体流量比SiH_4:B_2H_6对固态硼源中内所含硼原子浓度有着重要的影响。当沉积固态硼源时源气体流量比SiH_4:B_2H_6从4:10(sccm)变化至2:20时,源层内硼原子掺杂浓度从2.1×10~211 cm~(-3)增加到8.9×10~211 cm~(-3),源内硼原子掺杂浓度随着源气体中掺杂气体B_2H_6比例的提高而近乎线性增加。2、通过HWCVD沉积固态源扩散技术获得p~+发射极层的方阻可在40-400Ω∕口大范围的精确可控;n~+背电场层的方阻可在10-200Ω∕口大范围的精确可制。调节源层沉积和扩散等工艺参量,能获得表面硼原子掺杂浓度可在1×10~199 cm~(-3)-1×10~(2 0)cm~(-3,)之间和扩散结深在0.4μm-1.2μm之间精确调控的p~+层;获得表面磷原子掺杂浓度可在1×10~(20) cm~(-3)-4×10~200 cm~(-3,)结深范围在0.3μm-1.4μm之间精确调控的n~+层。3、在对固态源扩散技术的研究基础上,设计并制备了前结和背结两种结构的n-PERT太阳电池。其中前结–结构的p~+发射极层入光时效率为17.01%、n~+背电场层入光时效率为14.68%;背结–结构在前面场n~+层入光时效率为18.56%,背发射极p~+层入光时转换效率为16.12%,电池的双面率达到了87%。背结n-PERT太阳电池的最高Pseudo Efficiency为20.7%,说明该技术可行并还具有很大的提升空间。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-05-31）
赵帅,孙建春,周文,兰伟[5]（2018）在《基于电沉积镍的低碳钢表面合金化扩散研究》一文中研究指出在低碳钢表面采用电镀镍技术,通过控制热处理温度的变化,制备了一系列铁镍合金扩散层。利用X射线衍射和扫描电镜观察扩散层界面互扩散区的微观形貌、组成和扩散行为。结合误差函数法研究扩散区内元素的互扩散系数。结果表明:铁镍合金的互扩散系数随着扩散温度的升高而增大。在650℃时,扩散层厚度为18.59μm,Ni在Fe中扩散系数为9.36×10~(-16)m~2/s。(本文来源于《热加工工艺》期刊2018年10期）
A.S.Cottereau,S.Mulé,C.Lin,K.Belhadj,A.Vignaud[6]（2018）在《全身扩散加权成像对霍奇金淋巴瘤、滤泡性淋巴瘤和弥漫性大B细胞淋巴瘤的铁沉积的检测》一文中研究指出摘要目的分析淋巴瘤病灶内低信号强度区(LSIR)的频率和分布,并将其与氟代脱氧葡萄糖(FDG)摄取率及炎症的生物标志物进行比较。材料与方法本研究共分析了(本文来源于《国际医学放射学杂志》期刊2018年02期）
杜洋,李慧,谢珊珊,张钰,胡海超[7]（2017）在《沉积扩散法制备6.5%Si高硅钢的综述》一文中研究指出6.5%Si硅钢片具有优良的磁性能,但其室温脆性和低的热加工性迫使人们不断寻求和改进可以解决的加工方法。综述了气相沉积中的CVD法、PCVD法、PVD法,电沉积中的电泳沉积法、熔盐电沉积法以及激光熔覆法等多种沉积扩散法的制备原理、工艺、发展现状以及主要优缺点,并对沉积扩散法今后的发展进行了展望。(本文来源于《热加工工艺》期刊2017年22期）
赵志娟[8]（2017）在《铜基石墨烯化学气相沉积扩散机制研究》一文中研究指出自2004年石墨烯被机械剥离出来,2010年获诺贝尔物理学奖以后,石墨烯毋庸置疑的成为了一名炙手可热的明星材料,各种围绕石墨烯的研究热潮席卷而来。抛开石墨烯的诺奖光环不谈,石墨烯确实有很多令人瞩目的性质,如高机械强度、高透光性、高载流子迁移率、高热导和化学稳定等等。性质决定用途,所以石墨烯在平板显示、电子器件、储能器件和生物医药等领域有很多潜在的应用等待探索开发。而实现这些美好应用愿景的前提,是制备高质量的石墨烯。在科研工作人员探索出的各种石墨烯制备方法中,铜基底上的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD法),因其制备质量高、生长可控、制备简单且可转移至任意基底上脱颖而出,被认为是最有工业化前景的合成方法。基于该方法合成的石墨烯不断有新发现。单层单晶尺寸从最初的微米级至毫米级甚至厘米级发展,有序堆迭的双层石墨烯尺寸也达到百微米级。关于石墨烯在铜基底上的生长机制,Ruoff课题组通过同位素标定实验,证明了其为表面自限生长机制。该机制很好地解释了铜表面上制备出的石墨烯绝大部分为单层的原因。然而,关于在铜基底上的双层石墨烯也有诸多报道。这些现象不免让人产生疑问,在铜基底上形成双层石墨烯的机制是什么?自限生长机制错误还是不完善?而关于刻蚀研究,是制备过程中的氢气还是微量杂质气体氧气起到了刻蚀作用?是否存在其他引起刻蚀的因素?关于可打开带隙的AB堆迭双层石墨烯,是否能实现简单可控的制备?通过本论文的研究发现,希望拟解决这些疑问。本论文的主要研究工作体现在如下叁个方面:采用信封状铜衬底(pocket)结构,创造铜pocket内外表面石墨烯不同的生长环境,发现内外表面石墨烯生长的关联性,揭示了一个新的生长机制——扩散生长机制。进一步,通过碳同位素拉曼表征证实了该扩散生长机制。通过扩散计算,碳原子可秒级扩散穿透25μm厚的铜壁。在该扩散机制基础上,通过调控铜pocket内表面成核密度,在铜pocket外表面制备出了 78%高覆盖率的双层石墨烯,其中,83%为AB堆迭的双层石墨烯。针对石墨烯刻蚀机制的争议。在上述工作的基础上,发现随着铜pocket内表面大单晶尺寸的石墨烯晶畴缓慢长大,外表面随之出现一个反常的刻蚀现象。我们采用同位素追踪技术研究了该刻蚀现象的生长时间依赖关系,发现当铜pocket内表面毫米尺寸的单晶石墨烯连接在一起时,外表面只剩下最初的最外层石墨烯和少量残留的多层石墨烯,表明生长期间形成的多层石墨烯随后又消失。结合上述工作,我们认为该刻蚀现象产生于逆向扩散刻蚀过程,从而保证铜箔上下表面均为稳定的单层石墨烯。铜的低碳溶解度和差的饱和度驱动碳原子逆向扩散并保持上下表面均为单层稳定态。此外,我们用快速生长来打破该稳定态,实现铜pocket内表面长满石墨烯时,外表面双层石墨烯85%的覆盖率。该工作使铜基底上石墨烯扩散机制和自限生长机制更明晰。AB堆迭的双层石墨烯在应用垂直电场后,带隙被打开且连续可调,因此AB堆迭的双层石墨烯受到大家的广泛关注。博士研究工作的最后一部分,我们通过设计一个简单的叁明治结构——将一片铜片放入铜pocket里面——来创造一个优化的环境,可以抑制铜蒸发并保证铜片上下表面光滑,利于包裹的铜片上生长大尺寸的双层及多层石墨烯。单向和双向扩散机制很好地解释了石墨烯在铜pocket和铜片上的生长现象。在双向扩散机制的基础上,我们制备出了 AB堆迭的603 μm双层石墨烯和793 μm多层石墨烯。我们的工作提高了单晶双多层石墨烯质量及尺寸,为其在材料科学和微电子领域的应用提供了前提保障。(本文来源于《厦门大学》期刊2017-06-30）
胡文涛[9]（2017）在《雾化法沉积扩散源和辊式扩散的研究》一文中研究指出扩散是晶硅太阳电池制造的一个基本工艺步骤,扩散的质量直接影响太阳电池的光电转换性能。目前常规产线中主要采用管式扩散形成PN结,管式扩散时气体流动性和管内热分布会影响扩散的均匀性;国外一些研究单位也报道了采用不锈钢金属网带的链式扩散技术,但效率普遍低于产线电池,并认为其原因可能是金属网带造成的金属污染。本论文介绍了太阳电池的基本理论、晶体硅太阳电池的工艺和相关测试技术,并利用理论模拟分析得出:为了提高电池效率,需要比目前产业界的80-90Ω/□更高的方块电阻和适当的结深,论文的重点工作是利用辊式扩散设备制备高质量的PN结和电池。具体方法是采用廉价的磷酸水溶液代替产业界的叁氯氧磷,并研制了一种雾化沉积装置,在室温下实现了扩散源在硅片表面的均匀涂覆;在辊式设备上进行了高温再分布(扩散)实验,通过改变扩散温度和时间在保证均匀性的情况下实现了将扩散结方块电阻在60-130Ω/□且扩散深度在0.1-0.5μm可控;通过电化学电容-电压法(Electrochemical capacitance voltage,ECV)和电池性能的测试分析发现了辊式扩散“死区”问题,并通过化学腐蚀工艺将“死区”去除;最终在电池生产线上用辊式扩散制备的单晶硅电池效率达到了19.9%,与产业电池的效率持平。(本文来源于《河北大学》期刊2017-06-01）
王雁利,杨海丽,吴晔康,徐宏[10]（2016）在《铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的扩散研究》一文中研究指出采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积时间成抛物线关系,根据二者关系式计算出不同沉积温度下硅的扩散系数,并拟合得出脉冲电沉积时硅在铌基体中的扩散激活能为162 k J/mol。(本文来源于《铸造技术》期刊2016年07期）
沉积扩散论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对气溶胶粒子在长直扁平方管(通道)及圆管内受布朗扩散导致的沉积损失问题,从对流扩散方程出发,采用分离变量法,通过严格的理论求解得到了这两类问题中粒子穿透率的无穷级数解。利用Python语言中高精度计算功能确定了相应本征问题的本征值、本征函数及无穷级数展开系数。根据所得的相对严格意义上的穿透率数据,回归拟合得到了扩散沉积条件下粒子通过方管及圆管时的穿透率简明公式,并与已有研究进行了详细的比较。结果表明:本文得到的两个简明公式更加简单和准确,对方管与圆管内粒子穿透率估计的误差最大值分别仅为3.7×10~(-4)和8.3×10~(-4),可以快速有效地估计层流条件下和受扩散沉积作用时,气溶胶粒子通过两种管(通)道的穿透率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
沉积扩散论文参考文献
[1].王永平,丁子君,朱宝,刘文军,丁士进.TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能[J].材料研究学报.2019
[2].高永伟,亢燕铭.扩散沉积导致的管内气溶胶穿透率简明公式[J].应用力学学报.2019
[3].陈望,黄有林,罗军明,关耀威,葛现金.晶界扩散处理对磁控溅射法沉积DyMn复合薄膜的Nd-Fe-B磁体性能的影响[J].材料热处理学报.2018
[4].宿世超.HWCVD沉积固态源扩散制备n-PERT双面太阳电池[D].南昌大学.2018
[5].赵帅,孙建春,周文,兰伟.基于电沉积镍的低碳钢表面合金化扩散研究[J].热加工工艺.2018
[6].A.S.Cottereau,S.Mulé,C.Lin,K.Belhadj,A.Vignaud.全身扩散加权成像对霍奇金淋巴瘤、滤泡性淋巴瘤和弥漫性大B细胞淋巴瘤的铁沉积的检测[J].国际医学放射学杂志.2018
[7].杜洋,李慧,谢珊珊,张钰,胡海超.沉积扩散法制备6.5%Si高硅钢的综述[J].热加工工艺.2017
[8].赵志娟.铜基石墨烯化学气相沉积扩散机制研究[D].厦门大学.2017
[9].胡文涛.雾化法沉积扩散源和辊式扩散的研究[D].河北大学.2017
[10].王雁利,杨海丽,吴晔康,徐宏.铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的扩散研究[J].铸造技术.2016
论文知识图
