论文摘要
采用磁控溅射、紫外光刻、化学气相沉积等微机电加工技术,制备了基于Schottky结二极管和p-n结二极管的两种单触发开关,分析了无负载时它们的放电特性,两种开关在0.22μF/1500 V、0.22μF/1200 V下达至2000 A左右的峰值电流。研究了触发电容容值、触发电压、主电压、绝缘层厚度和双二极管并联结构对导通性能的影响,发现随着触发电容容值的增加,最小触发电压逐渐降低;减小绝缘层厚度、提高触发电压和主电压,均有利于峰值电流的升高;双二极管并联作为触发元件时,峰值电流比基于单个二极管的单触发开关更高,上升时间更短。根据单触发开关的放电特性曲线,将其作用过程划分为二极管电爆炸、绝缘介质层击穿和脉冲大电流上升三个阶段,阐明了各阶段的作用机制,建立了相应的电阻模型,结果表明单触发开关的电阻可以视为常数,并且阻值在毫欧级。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 徐聪,胡博,朱朋,叶迎华,沈瑞琪
关键词: 高压开关,单次触发,二极管电爆炸,导通机理,电阻模型,微机电系统加工技术
来源: 含能材料 2019年06期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 燃料化工,武器工业与军事技术
单位: 南京理工大学化工学院,陆军炮兵防空兵学院
基金: 江苏省自然科学基金(BK20151486)
分类号: TQ560.7
页码: 465-472
总页数: 8
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