晶体元件论文_解珺迪

导读:本文包含了晶体元件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:晶体,元件,纳米,谐振,光子,波导,参量。

晶体元件论文文献综述

解珺迪[1](2018)在《KDP晶体元件后表面激光损伤过程中冲击波和喷溅行为研究》一文中研究指出KDP晶体作为ICF激光驱动器中的倍频元件,需要承受高通量的紫外激光辐照,在实际应用中极易发生损伤,成为了限制负载通量的一个重要因素。因此,KDP晶体的损伤问题成为人们密切关注且迫切解决的问题。目前对KDP晶体的损伤研究,主要侧重于元件损伤的静态形貌分析,尚无足够的支撑KDP晶体损伤动力学过程研究的清晰,完整且系统的实验结果。开展KDP晶体激光诱导下的损伤力学响应行为的研究,对于晶体损伤动力学的探索和损伤模型的建立具有重要意义。本文设计并搭建了泵浦—探测法和干涉测量相结合的纳秒级时间分辨成像系统,用于获取KDP后表面激光损伤过程的动态行为图像。针对355 nm纳秒脉冲激光作用在KDP晶体后表面产生的冲击波和材料喷溅进行实验研究,给出了激光诱导等离子体冲击波、电子密度以及材料喷溅的空间分布和时间演化行为规律。实验中的激光通量设置在实际工程应用中的常规运行通量范围4-8J/cm2,晶体后表面辐照光斑大小选择在2 mm量级。本文研究结果表明:紫外激光诱导KDP晶体后表面损伤时,产生速度迅速下降的冲击波,点爆炸模型可适用于缺陷诱导冲击波的发展情形,并依此得到冲击波在轴向和径向的传播速度;通过干涉条纹的偏移量,计算得到冲击波和等离子体的折射率分布及电子密度分布,结果表明等离子体导致的折射率改变量在10-4量级,对应自由电子密度为1018/cm3量级;时间分辨图像很清晰地展示了喷溅随时间发展的演化阶段,起初几百ns过程中喷溅随着冲击波一起扩散,主要形态为细小粉末,10μs延时下后表面有大颗粒喷溅物出现,一直持续到几百微秒后喷溅过程结束;同时总结了多发次激光作用下的晶体后表面喷溅行为发展规律,主要受缺陷诱导机理作用;对多发次损伤造成的喷溅距离进行了观察和分析,总结了喷溅物的尺寸和喷溅距离随发次的增长规律。本文给出了KDP晶体后表面在激光损伤过程中的力学响应动态行为的空间发展和时间演化规律,为进一步建立紫外损伤动力学模型,揭示KDP晶体紫外损伤机理提供实验参考,为工程上的实际应用提供支持。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01)

孙彧,韩松,郑丽丽,李为民,高进云[2](2015)在《对边平行偶数面棱柱多激光谐振腔同位晶体元件可行性分析初步》一文中研究指出材质为晶体或玻璃的多棱镜、屋脊棱镜等复杂几何体集成光学元件被普遍应用于光学成像和光信息系统,但作为激光工作物质元件的应用尚处于探索阶段。本文设想,在对边平行的偶数2n面棱柱中,由n对平行边形成n个谐振腔,最多可实现n种谐振,在非线性光学晶体中还可能实现几种谐振耦合的自OPO过程。若证明此设想的成立,起码需要解决一下问题(必要条件):平行的偶数2n面棱柱中的光场分布是否满足形成多个非共线稳定谐振的条件;平行的偶数2n面棱柱的加工是否存在合适的工艺方案;光谱设计是否能够实现。本文在干涉条纹分析的基础上讨论谐振条件;针对可能的谐振条件分析了可能的工艺方案;针对自OPO过程分析了光谱设计与谐振模式的关联。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11)

林海,李春,徐嘉林,金维召,刘丽娜[3](2015)在《氟化钙光学晶体元件及加工工艺分析》一文中研究指出CaF_2晶体作为光学仪器的主要元件材料,主要被用于光学窗口材料、透镜、棱镜等光学元件,目前,德国、美国、俄罗斯等许多国家都发现了CaF_2晶体的巨大发展前景和研究价值,并且对材料和加工指标提出了更高的要求。CaF_2晶体质地软,对温度敏感,切割晶体时温度波动变化剧烈,晶体容易炸裂,不宜使用传统晶体切割方法,可通过提高冷却水的温度,使冷却水的温度、晶体切割时产生的热量,晶体切割面的温度达到平衡态,防止晶体因温度梯度变化而产生炸裂。另外CaF_2晶体具有解理性,研磨时晶体容易沿(111)解理面发生断裂,同时研磨时也会产生热量,因此,研磨时需要注意加工角度,并不断对晶体进行热处理,以求达到最佳的研磨效果。抛光是物理摩擦作用和化学腐蚀作用共同的结果,抛光效果的好坏直接影响着晶体元件质量和性能,在抛光时,必须综合考虑CaF_2晶体的物理性质和化学性质使抛光后的晶体元件综合抛光效果达到最佳,满足设计和使用要求。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11)

董磊,邱昱诚,阙居振,余安棣,陈文章[4](2014)在《新型半共轭聚酰亚胺系统于非挥发性有机场效电晶体型记忆体元件之应用》一文中研究指出与传统无机硅技术相比,有机记忆体元件由于具有可挠曲性、溶液制程性、廉价、轻质、材质多样性等优点而备受研究者关注1-3。同时,聚酰亚胺由于具有良好热稳定性,化学稳定性和机械强度而被认为是最适合的记忆体候选材料之一4,5。然而,聚酰亚胺之分子结构与相应的电记忆特性间之关系尚需更多研究方能厘清。藉此本文探讨了纯受体聚酰亚胺高分子体系,以期对分子结构效应在电晶体式记忆体电性质上的影响有更深的认知。(本文来源于《2014年两岸叁地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会摘要集》期刊2014-08-12)

吕培青,张辉[5](2014)在《抗高过载石英晶体元件的研制》一文中研究指出使用一种简单实用的设计方法,采用特殊的结构设计,研制出的石英晶体元件具有抗高过载的能力。这种产品可制作的频率范围是3~60 MHz,具有抗冲击力在1 000~20 000 g,结合试验验证,这种石英晶体元件在经受高冲击后,仍然能够稳定的工作,所以充分证明了石英晶体元件通过采用这种特殊的结构,完全可以达到具有抗高过载(冲击力在1 000~20 000 g)的能力。解决的关键问题是石英晶体元件晶片的设计、结构的设计及加工过程中应注意的问题。(本文来源于《电子设计工程》期刊2014年08期)

雷作涛,朱崇强,宋梁成,姚宝权,杨春晖[6](2014)在《高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用》一文中研究指出在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸(40~50)mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×(16~30)mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波(3~5μm)40 W和远波(8~10μm)3 W的激光输出。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年04期)

吕培青,史文香[7](2014)在《石英晶体元件内部水汽含量的控制》一文中研究指出内部水汽含量值过高是直接影响石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的重要因素。针对按常规工艺生产的石英晶体元件,内部水汽含量远高于要求(小于5 000 ppmV)的现象,介绍采用一种特殊的加工工艺方法,通过试验验证采用该方法加工的产品,明显改善了其内部水汽的含量,满足了GJB548A-96、GJB33A-97等国家标准规定的电子元器件水汽含量建议范围:100℃±5℃,烘焙24小时以上,小于5 000 ppmV的要求。从而达到提升石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的目的。(本文来源于《电子设计工程》期刊2014年07期)

赵永生[8](2013)在《低维有机晶体材料的可控合成与光子学功能元件》一文中研究指出纳米光子学主要研究如何在微纳米尺度上对光子运动进行操纵、调节和控制,在未来信号传播和信息处理方面具有广泛的应用前景。在接近光学波长衍射极限的物理维度下,介质材料中的光与物质的相互作用常常会产生丰富的光学物理现象。在有机材料体系中,Frenkel激子具有高的激子结合能,能够与光子强耦合作用,形成稳定的激子极化激元。一方面,激子极化激元能够像光子一样进行微观下长距离传播,另(本文来源于《第十叁届全国光化学学术讨论会论文集》期刊2013-08-07)

朱辉[9](2013)在《二维光子晶体结构谐振腔及太赫兹传输辐射元件研究》一文中研究指出光子晶体是一种介电常数在空间具有周期性分布的新型人工材料,其最本质的特征是具有“光子带隙”和“光子局域态”。自1987年被提出开始,20多年来光子晶体结构已经在多个科研领域有着广泛应用。近年来,在微波和太赫兹波段,利用光子晶体结构的特性抑制元器件的模式竞争和降低元器件的损耗是光子晶体结构的主要研究方向之一。本文将二维光子晶体结构用于W波段回旋管谐振腔和太赫兹波段传输辐射元件的设计,主要工作如下:1.采用平面波展开法分别计算了正方形排列和正叁角形排列的介质型二维光子晶体结构中TM波和TE波的全局带隙;采用有限差分法分别计算了正方形排列和正叁角形排列的金属型二维光子晶体结构中TM波和TE波的全局带隙。计算结果验证了二维光子晶体结构中光子禁带的存在,即特殊频率的电磁波不能在二维光子晶体结构中传输。2.利用光子晶体结构的光子局域态特性,设计了工作频率为95GHz的金属型二维光子晶体结构回旋管谐振腔,并将其与普通结构回旋管谐振腔做了对比。归纳总结了采用二维光子晶体结构设计谐振腔的一般规律。3.基于正方形排列的金属型二维光子晶体结构,设计了分别工作在140GHz和220GHz的具有高传输性能和低损耗的光子晶体结构直波导和弯波导传输线。在波导传输线的基础上又分别设计了性能良好的光子晶体结构功率分配器和H面喇叭天线。最后将光子晶体结构功率分配器和H面喇叭天线相结合,设计了二单元的天线阵列,仿真结果表明天线具有良好的对称性和增益。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01)

江兴[10](2012)在《叁星提出全新叁端元件-石墨烯“势垒电晶体”》一文中研究指出来自叁星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)的一个研究小组稍早前提出全新的叁端元件,能够克服之前将石墨烯整合到电路中的问题。(本文来源于《半导体信息》期刊2012年03期)

晶体元件论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

材质为晶体或玻璃的多棱镜、屋脊棱镜等复杂几何体集成光学元件被普遍应用于光学成像和光信息系统,但作为激光工作物质元件的应用尚处于探索阶段。本文设想,在对边平行的偶数2n面棱柱中,由n对平行边形成n个谐振腔,最多可实现n种谐振,在非线性光学晶体中还可能实现几种谐振耦合的自OPO过程。若证明此设想的成立,起码需要解决一下问题(必要条件):平行的偶数2n面棱柱中的光场分布是否满足形成多个非共线稳定谐振的条件;平行的偶数2n面棱柱的加工是否存在合适的工艺方案;光谱设计是否能够实现。本文在干涉条纹分析的基础上讨论谐振条件;针对可能的谐振条件分析了可能的工艺方案;针对自OPO过程分析了光谱设计与谐振模式的关联。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

晶体元件论文参考文献

[1].解珺迪.KDP晶体元件后表面激光损伤过程中冲击波和喷溅行为研究[D].哈尔滨工业大学.2018

[2].孙彧,韩松,郑丽丽,李为民,高进云.对边平行偶数面棱柱多激光谐振腔同位晶体元件可行性分析初步[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015

[3].林海,李春,徐嘉林,金维召,刘丽娜.氟化钙光学晶体元件及加工工艺分析[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015

[4].董磊,邱昱诚,阙居振,余安棣,陈文章.新型半共轭聚酰亚胺系统于非挥发性有机场效电晶体型记忆体元件之应用[C].2014年两岸叁地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会摘要集.2014

[5].吕培青,张辉.抗高过载石英晶体元件的研制[J].电子设计工程.2014

[6].雷作涛,朱崇强,宋梁成,姚宝权,杨春晖.高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用[J].人工晶体学报.2014

[7].吕培青,史文香.石英晶体元件内部水汽含量的控制[J].电子设计工程.2014

[8].赵永生.低维有机晶体材料的可控合成与光子学功能元件[C].第十叁届全国光化学学术讨论会论文集.2013

[9].朱辉.二维光子晶体结构谐振腔及太赫兹传输辐射元件研究[D].电子科技大学.2013

[10].江兴.叁星提出全新叁端元件-石墨烯“势垒电晶体”[J].半导体信息.2012

论文知识图

光栅干涉仪原理图加工后的晶体元件引线电感对50 MHz晶体元件导纳...石英晶体元件两端对等效电路晶体元件:远离主模的弱寄生响应对晶体元件

标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  

晶体元件论文_解珺迪
下载Doc文档

猜你喜欢