全文摘要
本实用新型的目的在于提供一种防腐开帽垫片，保护不开帽区域不被腐蚀；包括垫圈，喷酸口；所述喷酸口为长方形，设置在所述垫圈1的中心部；所述喷酸口还包括外框，内框；所述外框的高度低于所述内框的高度；本实用新型的有益效果为：1、样品开帽进行时，仅样品需要开帽的区域开帽，不需要开帽的区域能被很好的保护；2、各中心点均重合，只要将样品卡住在垫片上放到喷酸台即可，方便员工操作；3、分析成功率100％，不需要依赖人员的操作水平。
主设计要求
1.一种防腐开帽垫片，包括垫圈(1)，喷酸口(2)；其特征在于，所述喷酸口(2)为长方形，设置在所述垫圈(1)的中心部；所述喷酸口(2)还包括外框(21)，内框(22)；所述外框(21)的高度低于所述内框(22)的高度。
设计方案
1.一种防腐开帽垫片，包括垫圈(1)，喷酸口(2)；
其特征在于，
所述喷酸口(2)为长方形，设置在所述垫圈(1)的中心部；所述喷酸口(2)还包括外框(21)，内框(22)；所述外框(21)的高度低于所述内框(22)的高度。
2.根据权利要求1所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述垫圈直径为25mm。
3.根据权利要求2所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述外框(21)的长与宽分别为11mm和7.5mm。
4.根据权利要求3所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述内框(22)的长与宽分别为8.418mm和4.953mm。
5.根据权利要求4所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述外框(21)与内框(22)的高度差为500um。
6.根据权利要求5所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述喷酸口(2)的中心点与所述垫圈(1)的中心点重合。
7.根据权利要求6所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述垫圈(1)的外表面设有防腐涂层。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种防腐开冒垫片。
背景技术
半导体失效分析过程中,需要进行开帽分析，但是现有的技术无法保护不需要进行开帽的地方，导致不需要开帽的地方也容易被腐蚀到，影响下一步分析，分析成功率高度依赖员工操作水平，需要指定人员才可进行此工作。
已公开中国实用新型专利，公开号：CN103187403B，专利名称：半导体失效分析结构及形成方法、检测失效时间的方法，申请日：20111231，其公开了一种半导体失效分析结构及其形成方法、检测失效时间的方法，其中所述半导体失效分析结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有待测区、第一串联区和第二串联区；位于所述半导体衬底的待测金属层、第一金属层和第二金属层；位于层间介质层内的第一导电插塞使第一金属层、第二金属层和待测金属层串联；位于所述第一串联区的若干第一电阻金属层；位于所述第二串联区的若干第二电阻金属层；位于第一串联区层间介质层内的若干第二导电插塞；位于第二串联区层间介质层内的若干第三导电插塞；所述第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞将所述待测金属层、第一金属层、第二金属层、若干第一电阻金属层和若干第二电阻金属层依次串联。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种防腐开帽垫片，保护不开帽区域不被腐蚀。
本实用新型提供一种防腐开帽垫片，包括垫圈1，喷酸口2；
所述喷酸口2为长方形，设置在所述垫圈1的中心部；所述喷酸口2还包括外框21，内框22；所述外框21的高度低于所述内框22的高度。
优选的，所述垫圈直径为25mm。
优选的，所述外框21的长与宽分别为11mm和7.5mm。
优选的，所述内框22的长与宽分别为8.418mm和4.953mm。
优选的，所述外框21与内框22的高度差为500um。
优选的，所述喷酸口2的中心点与所述垫圈1的中心点重合。
优选的，所述垫圈1的外表面设有防腐涂层。
本实用新型的有益效果为：1、样品开帽进行时，仅样品需要开帽的区域开帽，不需要开帽的区域能被很好的保护；2、各中心点均重合，只要将样品卡住在垫片上放到喷酸台即可，方便员工操作；3、分析成功率100％，不需要依赖人员的操作水平。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图中，
1.垫圈；2.喷酸口，21.外框，22.内框。
具体实施方式
下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
本实用新型提供一种防腐开帽垫片，包括垫圈1，喷酸口2；
所述喷酸口2为长方形，设置在所述垫圈1的中心部；所述喷酸口2还包括外框21，内框22；所述外框21的高度低于所述内框22的高度。
本实施例中优选的，所述垫圈直径为25mm。
本实施例中优选的，所述外框21的长与宽分别为11mm和7.5mm。
本实施例中优选的，所述内框22的长与宽分别为8.418mm和4.953mm。
本实施例中优选的，所述外框21与内框22的高度差为500um。
本实施例中优选的，所述喷酸口2的中心点与所述垫圈1的中心点重合。
本实施例中优选的，所述垫圈1的外表面设有防腐涂层。
将本实用新型放置在需要腐蚀的样品上，多余的酸自喷酸口2处由内框22流向外框21，垫片边缘处还设有汇算通路，用于收集多余的酸。
需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920006006.8
申请日:2019-01-02
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:32(江苏)
授权编号:CN209673465U
授权时间:20191122
主分类号:G01N 1/28
专利分类号:G01N1/28;G01N17/00
范畴分类:31E;
申请人:海太半导体（无锡）有限公司
第一申请人:海太半导体（无锡）有限公司
申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区出口加工区K5、K6地块
发明人:汤剑波
第一发明人:汤剑波
当前权利人:海太半导体（无锡）有限公司
代理人:赵华
代理机构:32262
代理机构编号:无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计