MCVD气相沉积法制备的耐辐照掺铒光纤

MCVD气相沉积法制备的耐辐照掺铒光纤

论文摘要

在这篇文章中,我们报道了由MCVD气相沉积法制得的耐辐照掺铒光纤。通过使用气相沉积工艺,我们可以实现对折射率剖面的精确控制,同时还实现了高均匀性的掺杂。在我们的工艺方法中,气相状态下的铒、铈前体在高温下发生氧化并混合沉积到石英反应管内壁,反应管随后在高温下通过成棒工艺得到无色透明的预制棒,并最终通过拉丝成为具有聚合物涂层的光纤。这些光纤在980nm处的吸收系数在23 dB/m左右。在100 krad剂量的辐照下,最终测得的光纤中的衰减普遍小于1dB/m。在这篇文章中我们还报道了掺铒光子晶体光纤,这种光纤同样实现了较低的辐射诱导衰减。

论文目录

  • 1 前言
  • 2 实验部分
  • 3 结果与讨论
  • 4 扩展研究
  • 5 总结
  • 文章来源

    类型: 国内会议

    作者: 朱侨,罗文勇,杜城,柯一礼,李伟

    关键词: 耐辐照,气相沉积,掺铒光纤

    来源: 光纤材料产业技术创新战略联盟一届九次理事会暨技术交流会 2019-10-25

    年度: 2019

    分类: 基础科学,信息科技

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 烽火通信科技股份有限公司

    分类号: TN253

    页码: 26-31

    总页数: 6

    文件大小: 879k

    下载量: 89

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