剂量增强系数论文_张建芳,特木尔巴根

导读:本文包含了剂量增强系数论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:剂量,系数,射线,界面,半导体,蒙特,卡罗。

剂量增强系数论文文献综述

张建芳,特木尔巴根[1](2016)在《X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟》一文中研究指出用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2016年05期)

张建芳,李春芝,黄志军[2](2014)在《X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究》一文中研究指出用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大.此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2014年05期)

张建芳,特木尔巴根[3](2013)在《X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究》一文中研究指出用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算Au-SiO2界面的剂量增强系数(DEF)随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au-SiO2界面剂量增强系数的影响。结果表明:界面下的DEF与Au的厚度有关,当Au厚度从1μm增加到9μm,DEF随之增大;当Au厚度超过9μm,随Au厚度增加DEF减小。当X射线能量为10~250keV时,界面附近SiO2一侧存在不同程度的剂量增强,而且在整个能量范围内出现了两个明显的峰值,其中剂量增强系数最大值达40.4。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2013年05期)

赵宝奎,赵广义,周银行,马玉刚,董文斌[4](2007)在《用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数》一文中研究指出用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数.结果表明,当X射线能量为100~150keV时,界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强.(本文来源于《吉林大学学报(理学版)》期刊2007年03期)

赵宝奎[5](2006)在《X射线在有机半导体铜酞化氰与重金属界面的剂量增强系数》一文中研究指出有机半导体具有种类多、抗震性强、容易加工等优点,受到各国研究人员竞相关注的焦点。已有有机半导体器件研制成功,虽然这些器件还没有达到实用水准,但是考察他们的辐射效应不仅对了解其在辐射环境中的工作性能是必要的,也会加速有机半导体器件早日走向实用化。有机材料一般含有很多C、H等低Z(原子序数)元素,这样与(本文来源于《第叁届散裂中子源多学科应用研讨会论文集》期刊2006-07-01)

牟维兵,陈盘训[6](2001)在《X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算》一文中研究指出当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽 -硅界面的剂量增强系数(本文来源于《核电子学与探测技术》期刊2001年03期)

牟维兵,陈盘训[7](2001)在《用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数》一文中研究指出当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .(本文来源于《物理学报》期刊2001年02期)

剂量增强系数论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大.此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

剂量增强系数论文参考文献

[1].张建芳,特木尔巴根.X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟[J].固体电子学研究与进展.2016

[2].张建芳,李春芝,黄志军.X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究[J].原子与分子物理学报.2014

[3].张建芳,特木尔巴根.X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究[J].固体电子学研究与进展.2013

[4].赵宝奎,赵广义,周银行,马玉刚,董文斌.用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数[J].吉林大学学报(理学版).2007

[5].赵宝奎.X射线在有机半导体铜酞化氰与重金属界面的剂量增强系数[C].第叁届散裂中子源多学科应用研讨会论文集.2006

[6].牟维兵,陈盘训.X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算[J].核电子学与探测技术.2001

[7].牟维兵,陈盘训.用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数[J].物理学报.2001

论文知识图

钨-硅界面一侧的剂量增强系数和入...钽-硅界面一侧的剂量增强系数和入...钨-二氧化硅界面一侧的剂量增强系数钽-二氧化硅界面一侧的剂量增强系数距金/硅界面不同距离处硅一侧的剂量X射线辐照金/硅界面的剂量分布材料~#...

标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  

剂量增强系数论文_张建芳,特木尔巴根
下载Doc文档

猜你喜欢