导读:本文包含了分子束外延论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:外延,分子,衬底,光谱,科研,蓝宝石,克尔。
分子束外延论文文献综述
高达,王经纬,王丛,李震,吴亮亮[1]（2019）在《分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状》一文中研究指出目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。(本文来源于《红外》期刊2019年08期）
周志峰,张小敏,毛勤卫[2]（2019）在《分子束外延制备金单原子台阶样品的工艺参数改进研究》一文中研究指出利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度均匀性较差。本课题针对分子束外延制备系统的基底与蒸发源距离、温度、时间、真空度等关键工艺参数进行了改进研究,并利用扫描隧道显微镜(STM)对改进参数后所生长金单原子台阶的质量和高度进行了分析测试,结果表明通过调节基底与蒸发源距离、温度、时间和真空度等工艺过程参数能够实现云母基底金原子的可控生长,为单原子台阶标准物质的制备提供了实践经验。(本文来源于《计量技术》期刊2019年08期）
刘洁,李心怡,王聪,陈锋[3]（2019）在《省内首家半导体科技服务平台落户》一文中研究指出昨日，第十叁届全国分子束外延学术会议在开发区举行。300余名来自世界各地的专家学者齐聚开发区，交流分子束外延技术的最新进展，把脉发展方向，探讨如何加快技术的产业化。值得一提的是，在昨天的会议上，省内首家半导体科技服务平台——烟台半导体科技服务平台(本文来源于《烟台日报》期刊2019-08-16）
董立[4]（2019）在《超快激光—分子束外延—扫描隧道显微镜系统的优化与几种二维原子晶体的构筑》一文中研究指出扫描隧道显微镜(STM)因为可以在原子尺度上对表面电子态进行精确表征的特性,自1982年发明以来,很快就成为了一种广泛应用的表面物理化学表征工具。近叁十年来,与光学手段相结合的STM技术得到了巨大的发展。一方面,将STM与光学手段相配合,可以更好地表征固体表面微观尺度的光物理和光化学过程;另一方面,传统STM所能获得的信息依赖于表面电子态的分布,是比较有限的。如果与光学方面的手段相结合,可以得到更广泛的表面物理化学信息。比如STM针尖增强电致发光,STM针尖增强拉曼等技术,通过结合光学与STM技术,大大的增加了STM的表征能力。此外,如何在原子分子尺度实现表面超快动力学过程的表征,长期以来一直是一个重要的科学问题。STM虽然具有良好的空间分辨能力,但受限于前置放大器的带宽,其时间分辨能力非常有限。通过与超快光学技术相结合,可以使STM突破前置放大器带宽的限制,真正在实空间内实现原子分子尺度分辨率的超快时间分辨。这种技术对于表征表面超快过程具有十分重要的意义。此外,自2004年单层石墨烯的发现以来,二维原子晶体材料因为其自身的新奇特性受到了越来越多的关注。相比于叁维晶体材料,二维材料由于维度的降低凸显出很多独特的力学、电学和光学性质,如很高的载流子迁移率、超高的透光性以及室温下量子霍尔效应等。而且二维材料表面较少有突出的悬挂键,使其容易与波导或者谐振腔等光学结构相兼容。这些特性使二维原子晶体材料有望在未来的光电子学器件中取得广泛的应用。近十几年来,石墨烯家族的一系列材料,如硅烯、锗烯、锑烯、锡烯、硼烯,以及过渡金属硫族化合物(TMD)、金属碳化物等二维原子晶体材料已经相继被报道,并因为其独特的物理化学特性而引起了广泛的关注。本论文主要介绍作者在所属研究团队自主研制的超高真空-扫描隧道显微镜(UHV-STM)上进行的若干工作。具体内容如下:1.自主搭建了与该系统配套的针尖增强电致发光的光路收集系统,实现了Ag针尖在Ag(111)衬底上的电致发光的测量。此系统可以用于进行后续的STM针尖增强电致发光和STM针尖增强拉曼光谱的相关实验。此外作为实现时间分辨STM的前期工作,自主搭建了一套飞秒时间分辨光学系统,自相关实验表明此系统可以正常运行。后续有望在此系统的基础上进行超快时间分辨STM的相关工作。另一方面,为了优化时间分辨STM的信噪比,详细的数值计算工作表明多级弹簧系统可以对STM扫描头达到更佳的减震效果。进行了相关的实施方案的设计,使得多级弹簧系统可以安置在STM的有限空间之内。2.体相的碲化银晶体有多种优异的特性,在诸多领域有广泛应用。而二维碲化二银体系被预言为拓扑绝缘体,引起了学界广泛关注。二维碲化银体系的生长制备目前尚未有实验报道。利用分子束外延生长(MBE)的方法,在国际上首先制备了单层AgTe二维原子晶体,并观察到了其多种不同的晶体原子结构:1)平面型蜂窝状结构,2)翘曲型蜂窝状结构,3)条纹型蜂窝状结构,4)六角结构。结构分析结果表明:这些不同的原子结构来源于AgTe与基底的晶格失配和应力释放。另外,为了进一步研究单层AgTe的生长过程与缺陷态。我们通过控制Te原子的沉积量,基于STM表征,对AgTe的生长特性,亚单层AgTe的点缺陷,以及一些特殊表面结构,如Mirror Twin Boundaries(MTB)、多层AgTe的纳米带等结构进行了研究。这些研究可以进一步阐述AgTe晶体的生长过程和缺陷态的性质,可为AgTe及其他二维原子晶体材料的特性研究提供有益的参考和借鉴。3.分子自组装的相关研究对纳米科学、超分子化学、生命科学等领域具有非常重要的意义,构筑新型的二维分子晶体材料也是近年来的热点研究方向之一。在该工作中我们系统研究了DAT分子和并五苯分子在Au(110)表面形成的二维分子晶体结构,并探讨了其自组装行为构筑二维分子晶体的机理。对单层DAT分子,在Au(110)衬底上,随着退火温度不同,可以形成多种不同的有序规则结构。在100℃退火的情况下,Au(110)衬底形成(1×5)重构,分子在其中形成梯状规则结构。在200℃退火的情况下,Au(110)衬底形成(1×5)与(1×3)两种重构,其中(1×5)重构中的分子单端脱氢与金成键;(1×3)重构中分子以未脱氢或两端脱氢与金成键。在350℃退火后,Au(110)衬底仅有(1×3)重构,全部分子均双端脱氢与金成键。实验观察到了DAT分子在Au(110)衬底上会在高温下脱氢,并形成的多种自组装结构。可以通过控制退火条件,诱导出特定结构的生成。而对Au(110)衬底上单层的并五苯分子,在,进行200℃的退火后,分子吸附位置的Au(110)衬底存在(1×3)或(1×6)重构。对单层并五苯分子进行250℃的退火,分子会在衬底的(1×6)的沟道内沿衬底的[001]方向呈现“肩并肩”的一维分子链。该分子链由分子的碳氢键与金原子的配位作用而形成,且并五苯分子的轨道特性基本保持不变。该工作发现了与表面重构相关的新型的自组装结构,加深了人们对自组装方式构筑分子晶体的理解,可以对相关分子晶体和纳米器件的制备提供新思路。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
翁瑶[5]（2019）在《Si(110)衬底上AlN薄膜的激光分子束外延法制备及其光电性能研究》一文中研究指出AlN薄膜以其优异的性能在光电子和微电子领域具有广泛的应用前景。单晶Si已经大规模应用于微电子领域,相比于Si(111)和Si(100)晶面,Si(110)晶面与AlN之间存在更小的晶格失配与热失配。所以在Si(110)衬底上外延生长AlN薄膜可以降低薄膜的缺陷密度,提高其结晶质量。本论文采用激光分子束外延法在Si(110)衬底上制备AlN薄膜,研究了不同工艺参数对AlN薄膜的结晶质量、表面形貌、光学性能和电学性能的影响,主要研究结果如下:1)在Si(110)衬底上直接制备出了呈(200)面单一择优取向的立方闪锌矿结构的AlN薄膜,薄膜与衬底的取向关系为AlN(100)//Si(110)。由于Si(110)衬底与立方AlN薄膜之间的晶格失配较大,薄膜中存在失配应力。制备高质量立方AlN薄膜的较优工艺参数是:衬底温度为750℃、氮气分压为0.5Pa、激光频率为8 Hz。AlN/Si(110)的界面清晰平滑,AlN薄膜在靠近衬底一侧存在厚度约为67 nm的应变层。2)不同工艺条件下制备的立方AlN薄膜在可见光区域的反射率大约为45%,在波长约为260 nm左右存在一个非常明显的吸收峰。基于立方AlN薄膜的反射光谱,得到了不同工艺条件下制备的立方AlN薄膜的禁带宽度,其值随晶格畸变量的增加而降低。3)立方AlN薄膜的PL光谱都分别在波长为420 nm处的蓝光区和500nm处的绿光区有两个发光峰,对应的能量分别是～2.95 eV和～2.48 eV。薄膜在420nm蓝光区的发光峰是由VN从浅能级向ON-VAI(Al空位)深能级辐射跃迁产生的,绿光区500 nm左右的发光峰是由VAl和价带之间的辐射复合产生的。4)采用激光分子束外延法制备出的立方AlN薄膜为p型半导体。AlN/Si(110)p-n结有很好的整流特性,对I-V曲线进行log-log拟合发现,p-n结的电流传输机制符合空间电荷限制传导机制。5)AlN/Si(110)p-n结的EL光谱结果表明,薄膜在波长为500 nm～600 nm范围内有黄绿光发射,发光最强中心为531 nm,相应的复合能量为E=2.34eV。随着电流的增加,发光强度也随之增强。当正向电流为32mA时,异质结的发光强度最强。(本文来源于《广西大学》期刊2019-06-01）
初嘉鹏[6]（2019）在《分子束外延生长AlGaN/GaN异质结与性能表征》一文中研究指出以GaN为代表的第叁代半导体材料在高频高压领域的应用远优于第一代和第二代半导体。而且由于自发极化和压电极化效应,第叁代半导体材料在AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度二维电子气,在高电子迁移率晶体管HEMT器件方面有非常大的应用前景。常见异质结外延手段有MOCVD、MBE和HVPE叁种方法,其中MBE相对于其他两种外延手段外延精度更高,温度更低,适合于生长超薄外延层。本文通过MBE外延蓝宝石基AlGaN/GaN异质结,主要研究成果如下:1.蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构包括GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖帽层。MBE外延势垒层时Ga源束流保持不变,通过控制Al源束流来控制势垒层组分,发现势垒层组分在0.247时异质结表现出二维电子气效应,室温(300K)最高迁移率为1020cm2/Vs。MBE外延插入层时通过控制插入层生长时间来控制插入层厚度,当插入层厚度在1.19nm时异质结二维电子气输运特性最好,低温迁移率最高为3836cm2/Vs。2.优化势垒层组分及插入层厚度等条件后的样品表征结果如下:(1)异质结势垒层精确组分为0.242。(2)材料表面粗糙度为0.441 nm,界面均方根粗糙度为0.335nm。(3)GaN缓冲层厚度为610nm,AlN插入层厚度为1.19nm,AlGaN势垒层厚度为20.2nm,GaN盖帽层厚度为6.13nm。(4)异质结体材料平均位错密度为2.2×109/c1cm2,其中平均刃型位错密度为3.7×108/cm2,平均螺型位错密度为1.8×109/cm2,材料中螺型位错起主要作用。异质结界面处位错密度为3.3×109/cm2,其中螺型位错密度为1.1×109/cm2,刃型位错密度为2.2×109/cm2,界面上刃型位错起主要作用。(5)从低温(5 K)到高温(865 K)二维电子气迁移率从3836 cm2/Vs降低到73.8cm2/Vs,载流子浓度从1.2×1013/cm2升高到9.2×1013/cm2。3.通过低温场Fang-Howard变分波函数建模分析六种散射机制对于异质结迁移率的影响,发现插入层厚度在2.5nm以内时MBE外延的异质结迁移率在从低温(5K)到高温(865K)变化范围内实验数据符合拟合结果。4.通过标准工艺制备HEMT器件。其中硅基HEMT器件最大饱和电流约为0.05A,对应膝点电压约为13V,开关比约为5000。阈值电压约为-3V,最大跨导约为13mS,关态漏电约为1.28mA。而蓝宝石基HEMT器件因漏电严重仅仅表现出栅控性能。由此提出改善蓝宝石基HEMT器件漏电方法是在衬底外延一层高阻GaN缓冲层以及优化台面隔离工艺。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-24）
吴亮亮,王丛,高达,王经纬,刘铭[7]（2019）在《分子束外延用碲锌镉(211)B衬底湿化学预处理技术研究》一文中研究指出主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0 nm),但表面RHEED衍射图样无任何衍射点或者条纹;采用0.05%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底时,即使腐蚀极短的时间,衬底表面粗糙度也达到2.0 nm以上,且表面存在高密度的柱状物,衬底表面RHEED图样呈圆点状或条纹较粗且存在亮点;采用0.01%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底,表面粗糙度可控制在1.0 nm左右,同时RHEED图样为特征的CZT(211)B晶面短条纹衍射图样,条纹清晰,同时多片衬底重复实验结果一致。同时在其上分子束外延的未优化的中波碲镉汞材料半峰宽为(49.1±5.9)arcsec,组分为0.3083±0.0003,厚度为6.54±0.019μm。(本文来源于《激光与红外》期刊2019年05期）
赖柏霖[8]（2019）在《半金属Co_2FeAl超薄薄膜的分子束外延生长与静态磁性的研究》一文中研究指出半金属性的Heusler合金Co_2FeAl具有在费米面附近100%的自旋极化率、低的阻尼因子和高的居里温度等优势,使其在自旋电子学器件中有巨大的潜在应用价值。本工作运用分子束外延(MBE),成功地在单晶GaAs(001)衬底上外延生长出高质量的单晶Co_2FeAl薄膜,并对不同厚度的Co_2FeAl薄膜的自旋极化率和磁各向异性进行了研究。Co、Fe和Al分别使用电子束式和坩埚式蒸发源,通过标定得到各自蒸发速率与flux电流或温度的关系,调整叁者的蒸发速率使原子数之比为n(Co):n(Fe):n(Al)=2:1:1。我们通过原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控薄膜成晶情况,探究较适宜的生长温度。薄膜厚度通过生长时间来控制,制备了一批生长温度为250℃和300℃,厚度在12nm以下的超薄薄膜,利用原位自旋角分辨光电子谱(SARPES)和原位磁光克尔效应(MOKE)装置分别测量薄膜的自旋极化率与磁各向异性随薄膜厚度的依赖关系。我们还用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的原子有序性和表面平整度进行了表征。结果表明:(1)我们在GaAs(001)上外延生长出了单晶Co_2FeAl超薄薄膜,适宜的生长温度为200℃-300℃。实时RHEED衍射图案显示薄膜成岛状与层状混合模式生长,外延晶向为Co_2FeAl[110]||GaAs[110],Co_2eAl(001)||GaAs(001)。(2)Co_2FeAl超薄薄膜质量较高,测得了较高的自旋极化率。XRD谱中出现了强的Co_2FeAl(002)峰与(004)峰,说明样品晶体结构为部分有序的B2相。通过SARPES测量得到样品的自旋极化率,最高为58%(±7%)。(3)在250℃生长的样品,其自旋极化率同厚度有强烈的依赖关系。当厚度从21uc降到6uc时,自旋极化率从58%(±7%)缓慢降低到46%(±5%),当薄膜厚度为2.5uc时进一步降低到29%(±2%)。(4)在MOKE测量中,250℃和300℃生长的样品都表现出强的单轴磁各向异性,但在300℃生长的超薄薄膜中观察到反常的交错磁滞回线。这来源于磁各向异性能在[110]与[100]范围内的低能量盆地和在[110]附近的非对称高势垒。此势垒可能来自于Co_2FeAl/GaAs界面Co-Ga键引起的局域化磁各向异性。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-20）
朱轩廷[9]（2019）在《稳态和亚稳态MnTe薄膜的分子束外延生长及光谱学性质》一文中研究指出碲化锰(MnTe)具有砷化镍(NiAs)型和闪锌矿(Zinc-blende,ZB)型两种典型晶体结构,其中,六角NiAs型MnTe(Hex-MnTe或H-MnTe)以热力学稳定相存在,而闪锌矿型MnTe(ZB-MnTe)是一种热力学不稳定的亚稳相结构。上述两种结构的碲化锰晶体均为具有反铁磁交换磁序结构的磁性半导体材料,其奈尔转变温度(TN)分别为310 K(H-MnTe)和50-70 K(ZB-MnTe)。砷化镍型MnTe以Mn/Te/Mn/Te六角密堆的方式沿c轴方向堆迭。在与c轴相垂:直平面内,Mn原子的磁矩方向一致,表现为铁磁性;而沿着c轴方向,相邻Mn原子层的磁矩方向相反,形成反铁磁颗合,从而导致Hex-MnTe材料表现出反铁磁性。由于这种独特的磁结构,Hex-MnTe表现出丰富的磁性和磁输运性质,如磁各向异性和磁阻各向异性等效应。研究表明,与体材料不同,薄膜形态的Hex-MnTe呈现铁磁交换作用,而且,随着薄膜厚度的减小,Hex-MnTe中的半导体特性会转变为金属特性。闪锌矿型MnTe是为数极少的海森堡反铁磁体,其独有的磁结构会使体系呈现出磁化台阶、自旋玻璃态、中子非弹性散射、单磁振子散射以及巨磁光效应等特性。ZB-MnTe为热力学不稳定的亚稳态结构,只能以非平衡态的方式实现制备。不同于其它的硫系锰化合物,ZB-MnTe为典型的宽带隙半导体,其光学带隙约为3.4 eV,因而也是研究Mn2+中d-d多能级跃迁行为(其跃迁能量高于2 eV)的理想体系。本论文中,我们采用分子束外延技术实现了稳态和,亚稳态两种MnTe单晶薄膜的制备。通过RHEED、XRD、AFM以及HRTEM等表征和分析手段,研究了薄膜表面、界面、晶体结构、应力状态以及外延关系等薄膜结构性质。采用拉曼光谱和光致发光光谱技术分别研究了 H-MnTe的声子振动特性以及ZB-MnTe中Mn2+3d轨道电子的多能级跃迁行为。文的主要研究内容和研究结果如下:一、在具有不同形貌的InP(111)衬底上外延生长MnTe薄膜,发现在InP(111)衬底平整表面(均方根粗糙度(RMS)约0.5 nm)获得的外延薄膜具有六角NiAs结构,而在粗糙表面(RMS～1-2 nm)获得的外延薄膜具有立方闪锌矿结构。H-MnTe/InP异质外延结构界面平整清晰,H-MnTe与InP衬底之间存在着(001)H-MnTe||(111)InP,[210]H-MnTe ‖[110]InP和[010]H-MnTe‖[112]InP的外延关系。ZB-MnTe/InP异质外延结构之间为“锯齿状”连接结构,薄膜表面也呈现出起伏的岛状结构,这可能源于InP衬底粗糙表面局部晶格取向影响了MnTe薄膜的形成能,从而诱导亚稳态MnTe单晶薄膜的形成。ZB-MnTe薄膜与InP衬底之间存在(111)ZB-MnTe‖(111)InP,[110]ZB-MnTe ‖110]InP,[112]ZB-MnTe‖[112]InP的外延构型关系。二、通过拉曼散射谱研究了H-MnTe薄膜中的各声子振动模,发现当温度低于TN时,E4能级的拉曼峰的峰位、强度和半峰宽均偏离非简谐振动模型,表明H-MnTe中可能存在自旋-声子耦合作用。根据E2g声子振动模频率随温度的变化关系,我们推算出E2g能级的自旋-声子耦合强度约为-0.16 cm-1。此外,拉曼谱中268.8 cm-4和345.8 cm-4处散射峰的出现,表明体系中存在,园因自旋翻转引起的二磁振子散射(two magnons scattering)行为,可能分别源于Mn2+ 最近邻和第叁近邻Mn2+之间的磁交换作用。叁、通过变温光致发光谱获得了 ZB-MnTe薄膜中Mn2+ 3d轨道电子多能级跃迁的发光特性。光谱分析表明,位于1.715 eV和2.113 eV的发光峰分别对应于ZB-MnTe中位于八面体和四面体中心的Mn2+ 3d轨道电子由低激发态4T1g(4G)和471(4G)至基态6A1(^S)的辐射跃迁,由于电声耦合作用,发光峰位随温度升高向高能方向移动,对应的声子能量分别为~21 meV和~42 meV。位于2.393 eV的发光则是来源于Mn2+3d轨道电子高激发态4T2(4G)至基态6A1(6S)的辐射跃迁,发光峰的峰位和强度均未随温度的变化而变化,表明高激发态至基态的跃迁是高度局域化的。此外,位于1.542 eV的发光来源于受到缺陷或者杂质干扰的Mn2+态,而1.602 eV处的发光则来源于与磁振子相互作用的微扰Mn2+态。随温度升高,这两个发光峰的峰位均向低能方向移动,强度均呈现指数衰减。四、在大晶格失配钙钛矿结构STO(001)衬底上外延获得了具有立方闪锌矿结构的亚稳态MnTe单晶薄膜。所制备ZB-MnTe薄膜沿其[111]晶向生长,'薄膜与STO衬底之间存在(111)ZB-MnTe||(001)STO;[110]ZB-MnTe||[100]STO;[112]ZB-MnTe ||[010]STO的结晶学关系。沿薄膜的[111]方向,ZB-MnTe,呈现出十二重对称性,构型分析表明,薄膜中可能存在四种类型的畴结构。在薄膜生长的最初阶段,由于STO(001)衬底表面形成了一层厚度为1-2 nm的超薄“赝晶层”,使得随后的薄膜生长不再受大失配衬底的应力束缚,该过程具备明显的“顺从外延”生长机制的特点。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-05-06）
谷明辉[10]（2019）在《锑烯的分子束外延生长及性能表征研究》一文中研究指出作为近年来备受关注的二维材料之一,锑烯具有不同于体块材料的独特性质,比如可被双轴拉应力调控的带隙宽度和间接带隙到直接带隙甚至拓扑绝缘体的转换,以及较高的电子迁移率和室温下稳定的化学性质等。目前已经有许多理论和实验工作聚焦于锑烯的生长和性能表征,但因其制备和表征难度较大,故进展比较缓慢。本论文主要通过分子束外延的生长方式,选用蓝宝石衬底以及Si(111)衬底,通过控制锑源炉的温度来控制所使用的锑小分子(Sb2或Sb4两种)以及控制生长温度等方式,对制备大面积且表面均匀的锑烯进行了一系列的尝试,并第一次报道了非极性衬底上获得的微米级锑烯。在生长之前我们通过对蓝宝石衬底及硅衬底进行了预处理,以保证其表面的清洁度及平整度;生长过程中尝试改变生长条件(如衬底温度,锑源炉温度、衬底处理条件等)以探究最适合锑烯生长的条件:生长完成后通过AFM及XRD、Raman等手段的表征,判断所得到的样品是由锑与锑烯两种构型所构成的,光致发光光谱数据表明其含有约1.7eV的带隙,测量其电学性质可知其电子迁移率可高达70cm2/V·s以上,在5～25μm红外波段有较强的吸收峰。通过测量在空气中放置一年后的样品形貌,也可知其化学稳定性较好。除此之外,通过控制生长温度,在硅衬底上我们也生长出了起伏度2nm以下的锑及锑烯薄膜。本论文不采用缓冲层或表面活性剂等辅助生长方式,通过选择工业上制备体系成熟且成本低的衬底,以探究在其上直接尝试锑烯生长的可能性,从而为锑烯的电学性质、光学性质表征和由基础研究走向实际应用、由实验室走向工业生产铺平道路,可为之后的锑烯生长及范德华外延的深入研究提供参考价值。随着生长条件的优化及相关表征技术的发展,之后锑烯的研究会越来越成熟,从而实现大规模应用。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-01）
分子束外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度均匀性较差。本课题针对分子束外延制备系统的基底与蒸发源距离、温度、时间、真空度等关键工艺参数进行了改进研究,并利用扫描隧道显微镜(STM)对改进参数后所生长金单原子台阶的质量和高度进行了分析测试,结果表明通过调节基底与蒸发源距离、温度、时间和真空度等工艺过程参数能够实现云母基底金原子的可控生长,为单原子台阶标准物质的制备提供了实践经验。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
分子束外延论文参考文献
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