导读:本文包含了金属有机化学气相沉积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:有机化学,气相,金属,薄膜,化学,涂层,结焦。
金属有机化学气相沉积论文文献综述
赵丽丽,孙红卫,李志明,李海玲[1]（2019）在《金属有机化学气相沉积反应室磁场数值分析》一文中研究指出针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同材料组成的基座结构中的磁场分布和焦耳热分布进行研究。结果表明:磁场分布和焦耳热分布不随电流强度的改变而改变,但磁场和焦耳热的数值与电流强度成正比;磁场分布、焦耳热分布和数值随着电流频率的变化而变化,数值与电流频率成正比,且随着电流频率的增大,趋肤效应越明显;改变组成基座的材料组成可以改变基座中焦耳热分布,从而提高衬底温度分布的均匀性。(本文来源于《济南大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
张尚宏,张勇,朱权,王健礼,张其翼[2]（2017）在《中温金属有机化学气相沉积制备TiO_2涂层及其抑焦性能研究》一文中研究指出本文以异丙醇钛为原料,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在310S不锈钢表面制备不同厚度TiO_2涂层,并采用扫描电镜、能量散射X射线光谱表征了涂层的表面形貌和元素组成。结果表明:沉积所得涂层平整、均匀,临界厚度约2μm;涂层厚度随沉积时间增加而增加,基体元素Cr、Fe、Ni含量逐渐降低,涂层基本完全覆盖基体表面。采用X射线衍射仪表征了涂层结焦评价前后的晶型变化,结果表明:在沉积温度为250℃时,涂层呈无定型结构;经过环己烷常压800℃高温裂解结焦评价后,涂层表面出现锐钛矿晶型,且表面结焦引起的FexCy谱峰消失,结焦抑制率最大可达到64%。因此,具有一定厚度的TiO_2涂层能够有效阻断结焦前驱体与金属基体中Fe、Ni元素的接触,从而有效抑制金属催化结焦。(本文来源于《化学研究与应用》期刊2017年07期）
王玉天[3]（2016）在《化学气相沉积用铂、铱金属有机化合物的合成及其应用研究》一文中研究指出随着航空航天技术的快速发展,对航空航天发动机性能的要求也越来越高,能否在高温下持续工作是判断高性能航空航天发动机的重要指标,所以作为航空航天发动机的核心部件(如涡轮叶片,喷嘴等),不但要求具有较好的高温持久强度和蠕变强度,同时还要求具有抗腐蚀、抗氧化等性能。为了提高耐高温工件的抗氧化、抗腐蚀能力,通常在耐高温工件表面进行表面处理,其中金属有机化学气相沉积(MOCVD)是耐高温工件表面处理的有效方法之一。由于铂族金属具有优良的抗氧化、抗腐蚀性能,同时具有较高的熔点,加之与基体之间不存在膨胀系数失配的问题,所以铂族金属一直以来是MOCVD法制备抗氧化和耐腐蚀涂层的备选材料。本论文主要研究MOCVD法用前驱体的合成及其性能。针对Ir/Re复合涂层用前驱体Ir(acac)_3在水溶液体系下合成产率低下的问题,系统研究了IrCl3.3H2O与Ir(acac)_3合成产率之间的关系、NaHCO3用量与Ir(acac)_3合成产率之间的关系、Hacac用量与Ir(acac)_3合成产率之间的关系、反应温度与Ir(acac)_3合成产率之间的关系,反应时间与Ir(acac)_3合成产率之间的关系。得到了合成Ir(acac)_3的最佳反应条件为：IrCl3.nH2O:NaHCO3:Hacac=1:17.4:7(摩尔比)；Ir(Ⅲ)浓度为0.187mol/1;反应温度90℃；反应时间2小时。研究了温度、时间和溶液体积对Ir(acac)_3在溶液中溶解的影响。对Ir(acac)_3的合成机理进行了探讨,同时依据反应机理对Ir(acac)_3的水溶液中合成工艺进行了改进,使Ir(acac)_3的合成产率提高到了60%。合成了化学气相沉积法制备铂薄膜的前驱体CpPt(Me)_3,制备了该前驱体制备的重要中间产物Pt(Me)_3I,并对它们的结构进行了结构表征。对中间产物Pt(Me)_3I的不同合成工艺进行了研究,对比了两种合成Pt(Me)_3I的工艺,发现采用甲基锂作为甲基化试剂合成Pt(Me)_3I的合成产率高、工艺简单易行。对甲基锂作为甲基化试剂合成Pt(Me)_3I工艺进行了初步研究,确定了最佳合成条件为：K2PtCl6:CH3Li=1:8.2(摩尔比),并对其合成机理进行了初步探讨。以合成的Ir(acac)_3为前驱体,采用冷壁MOCVD方法制备出了高性能的Ir涂层。建立了采用Ir(acac)_3制备铱薄膜的动力学模型。发现Ir涂层的生长速率与H2的分压成正比,与Ir(acac)_3的分压无关。以合成的CpPt(Me)_3为前驱体,采用热壁式MOCVD方法,在镍基高温合金基体上制备出了铂薄膜。研究发现,采用不同的管壁材料对铂的沉积效果有很大影响,Pt在不同管壁材料表面上沉积的难易程度由易到难的顺序是：有氧化层的Al>石英玻璃>纯Cu>有氧化层的Cu>聚酰亚胺。因此,采用聚酰亚胺作为管壁材料,可减少Pt在管壁材料上的沉积,而有利于Pt在镍基高温合金基体上的沉积。当采用聚酰亚胺作为管壁材料时,在沉积温度140℃、前驱体室温度85℃、H2流量40ml/min和Ar流量100ml/min的条件下,能够制备出均匀的Pt薄膜。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2016-10-01）
刘科学[4]（2016）在《金属有机化学气相沉积铱涂层高温稳定性研究》一文中研究指出铱(Ir)具有熔点高(2454℃)、氧渗透率低、高温机械强度高等特点,可作为高温抗氧化涂层,在其保护下的Re/Ir复合喷管最高工作温度可达22000C,且不需要额外的燃料进行冷却。根据目前所掌握的文献资料,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)能够制备出满足使用要求的Ir涂层,但目前仅美国掌握了其制备工艺。本文采用MOCVD法,以乙酰丙酮铱为前驱体,采用氩气(Ar)为载气,氢气(H2)或H2与水蒸气混合气氛为反应气氛,在钼(Mo)基体上制备Ir涂层。通过对不同条件下制备的Ir涂层的原始特征和不同焙烧气氛下高温组织转变的研究,分析了沉积温度和水蒸气分别对涂层高温稳定性的影响,探讨了水在Ir涂层沉积过程中的作用机理。研究表明MOCVD Ir涂层内部存在靠近基体的“细晶区”和远离基体的簇状区两种结构,涂层表面存在很多凸起,制备过程中加入水蒸气使涂层表面更加平整,内部的两种结构更加明显。热分析表明,涂层在空气气氛下随着温度的升高发生氧化生成二氧化铱(Ir02),出现增重现象；当温度高于987.5℃时由于Ir02进一步氧化生成气态叁氧化铱(Ir03)以及Ir直接被氧化为Ir03出现失重现象,其中在1036.2℃时失重速度最快；当温度高于1 065.5℃时造成Ir涂层失重的原因是Ir直接被氧化为Ir03。高温焙烧实验表明,在制备涂层时提高温度和加入水蒸气作为共反应气氛能够降低涂层在高温再结晶后内部孔洞所占的比例,水蒸气的加入还起到了细化晶粒的作用。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2016-04-01）
蔡茜茜,雷知迪,丁珏,翁培奋[5]（2015）在《金属有机化学气相沉积薄膜制备中传热传质的数值模拟》一文中研究指出建立水平式Ga As的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型,采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟,并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜制备过程中化学组分的输运,以及反应前驱物与气相之间的传热过程.计算所得的Ga As生长速率与实验结果吻合较好.同时,数值讨论了反应器进气流量、操作压力以及基底温度对Ga As生长速率的影响.薄膜生长的速率峰值随入口气体速度的升高而有所增大,但薄膜生长逐渐趋于不均匀性.因此,选取气流速度为0.104 m/s.薄膜生长速率随着操作压力的增大而增大,当压力为6 k Pa时,Ga As生长速率较压力为2 k Pa时提高了223%,薄膜具有较好的生长速率和均匀性.基底温度对薄膜生长速率影响显着,在1 050 K时薄膜有良好的生长速率和均匀性,Ga As生长速率比温度为950 K时提高了123%.研究结果为优化MOCVD反应条件及其反应器的结构设计提供了理论依据.(本文来源于《上海大学学报(自然科学版)》期刊2015年06期）
朱顺明,顾然,黄时敏,姚峥嵘,张阳[6]（2014）在《金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理》一文中研究指出本文重点探讨了金属有机源化学气相沉积生长ZnO薄膜中氢气的作用与机理.研究表明氢气对ZnO薄膜的结构与性质具有重要的影响.当采用叔丁醇为氧源时,氢气对ZnO薄膜的晶体质量,表面结构和发光性质主要产生负面的影响,同时发现氢气的加入有助于抑制碳的沾污.而当采用笑气为氧源时,测量显示表面变光滑,晶体质量得到提高,发光强度也得到提升.氢气在笑气作为氧源生长ZnO的过程中基本起到了正面的作用.论文最后从氢气降低生长表面能量,提高表面原子迁移能力但存在表面腐蚀作用的方向以上结果给予了较好的解释.研究显示MOCVD生长高质量ZnO薄膜中氢气的优化具有特别重要的意义.(本文来源于《物理学报》期刊2014年11期）
吴亮亮,赵德刚,李亮,乐伶聪,陈平[7]（2013）在《金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响》一文中研究指出研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间增加,载气流量减少,AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强,面内晶粒尺寸增大,从而晶体质量也变好.(本文来源于《物理学报》期刊2013年08期）
李一,李金普,柳学全,贾成厂[8]（2012）在《金属有机化学气相沉积的研究进展》一文中研究指出概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。(本文来源于《材料导报》期刊2012年S1期）
敬通国,高磊,徐亚新,程崛,王锡彬[9]（2012）在《单源进液金属有机化学气相沉积法工作气压对YBCO薄膜制备的影响研究》一文中研究指出基于金属有机化学气相沉积法(MOCVD),在沉积有Y2O3/YSZ/CeO2(YYC)多层过渡层的Ni-W_at.5%金属基带上沉积YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜。通过对单源进液系统的优化,使金属有机源连续稳定地输送到蒸发皿进行闪蒸。优化总气压并通入N2O气氛,以获得高质量的YBCO薄膜。在优化的温度条件下,总压为380Pa,氧气和N2O分压为200Pa(氧气、笑气流量比为5:3),获得了较高的临界电流密度Jc=0.2MA/cm2。在延续织构方面,由CeO2的面外半高宽3.6o降到YBCO(005)峰半高宽的1.8o,由CeO2的面内半高宽5.2o降到YBCO(103)面半高宽的4.8o,织构获得较大改善。(本文来源于《低温与超导》期刊2012年04期）
王辉,王瑾,赵洋,赵龙,赵旺[10]（2011）在《金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO:Ni薄膜及其特性分析》一文中研究指出采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2011年12期）
金属有机化学气相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文以异丙醇钛为原料,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在310S不锈钢表面制备不同厚度TiO_2涂层,并采用扫描电镜、能量散射X射线光谱表征了涂层的表面形貌和元素组成。结果表明:沉积所得涂层平整、均匀,临界厚度约2μm;涂层厚度随沉积时间增加而增加,基体元素Cr、Fe、Ni含量逐渐降低,涂层基本完全覆盖基体表面。采用X射线衍射仪表征了涂层结焦评价前后的晶型变化,结果表明:在沉积温度为250℃时,涂层呈无定型结构;经过环己烷常压800℃高温裂解结焦评价后,涂层表面出现锐钛矿晶型,且表面结焦引起的FexCy谱峰消失,结焦抑制率最大可达到64%。因此,具有一定厚度的TiO_2涂层能够有效阻断结焦前驱体与金属基体中Fe、Ni元素的接触,从而有效抑制金属催化结焦。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属有机化学气相沉积论文参考文献
[1].赵丽丽,孙红卫,李志明,李海玲.金属有机化学气相沉积反应室磁场数值分析[J].济南大学学报(自然科学版).2019
[2].张尚宏,张勇,朱权,王健礼,张其翼.中温金属有机化学气相沉积制备TiO_2涂层及其抑焦性能研究[J].化学研究与应用.2017
[3].王玉天.化学气相沉积用铂、铱金属有机化合物的合成及其应用研究[D].昆明理工大学.2016
[4].刘科学.金属有机化学气相沉积铱涂层高温稳定性研究[D].昆明理工大学.2016
[5].蔡茜茜,雷知迪,丁珏,翁培奋.金属有机化学气相沉积薄膜制备中传热传质的数值模拟[J].上海大学学报(自然科学版).2015
[6].朱顺明,顾然,黄时敏,姚峥嵘,张阳.金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理[J].物理学报.2014
[7].吴亮亮,赵德刚,李亮,乐伶聪,陈平.金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响[J].物理学报.2013
[8].李一,李金普,柳学全,贾成厂.金属有机化学气相沉积的研究进展[J].材料导报.2012
[9].敬通国,高磊,徐亚新,程崛,王锡彬.单源进液金属有机化学气相沉积法工作气压对YBCO薄膜制备的影响研究[J].低温与超导.2012
[10].王辉,王瑾,赵洋,赵龙,赵旺.金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO:Ni薄膜及其特性分析[J].高等学校化学学报.2011
论文知识图
