导读:本文包含了半导体陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化物,BiCuSeO,Ba,Pb掺杂,纳米结构工程
半导体陶瓷论文文献综述
苏逸斯,冯波,胡晓明,刘培海,李光强[1]（2019）在《Ba-Pb双掺杂与晶粒细化的协同调整对BiCuSeO半导体陶瓷热电性能的影响》一文中研究指出对BiCuSeO半导体陶瓷进行Ba/Pb双掺杂,通过机械球磨和放电等离子烧结制备Bi_(1-2x)Ba_xPb_xCuSeO(x=0,0.06)半导体陶瓷材料,系统研究Ba/Pb双掺杂和球磨时间对BiCuSeO材料显微结构、热电性能和硬度的影响。结果表明,用少量Ba/Pb部分替代BiCuSeO中的Bi,可显着提高材料的电导率和功率因子,而球磨能使晶粒尺寸减小到约350mm,从而降低材料的热导率,同时提高其电导率。球磨16h条件下制备的Bi_(0.88)Ba_(0.06)Pb_(0.06)CuSeO陶瓷在873 K下具有最大功率因子,为0.76 mW/(m·K~2),同时具有最大ZT值1.18,分别是未掺杂BiCuSeO陶瓷材料的2.71倍和2.19倍。(本文来源于《粉末冶金材料科学与工程》期刊2019年03期）
李欣源,钟朝位,唐斌[2]（2019）在《Ca-B-Si玻璃掺杂对SrTiO_3基半导体陶瓷材料性能的影响》一文中研究指出采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO_3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO_3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(ε_r),降低介电损耗(tanδ)。当CBS质量分数为0.4%时,可获得最佳的电学性能:ε_r为19418,tanδ为0.007,在-55～150℃电容温度变化率(ΔC·C~(-1))小于10%,绝缘电阻率大于2.1×10~(11)Ω·cm。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年05期）
李欣源[3]（2019）在《ST半导体陶瓷材料的改性研究》一文中研究指出随着电子信息产业的发展,对电子元器件小型化、集成化的要求也越来越高。SrTiO3具有的高介电常数、高温度稳定性等优势使其成为一种理想的电容器介质候选材料。本论文从SrTiO3材料的合成工艺、掺杂改性着手,对SrTiO3基半导体陶瓷材料进行了改性研究。首先对ST半导体陶瓷的原材料选择与烧结进行了研究。分别采用固相法与水热法合成的ST粉体制备出了 ST半导体陶瓷材料。实验发现水热法制备出的ST材料晶粒较小但更均匀,介电损耗更小,所需最低烧结温度较固相法低,但制备出的材料介电常数较低,约为14000,而固相法制备出的陶瓷材料介电常数约为20000。以两种方法合成的ST粉体混合为原料时,制得的ST半导体陶瓷材料可以获得较好的性能。水热法合成的ST质量分数在固相法合成的ST总质量的5-20%时,陶瓷材料的致密度提升,介电损耗降低,绝缘电阻率提升,但材料的温度稳定性降低。其次研究了几种掺杂剂对ST半导体陶瓷材料性能的影响。实验发现Al2O3掺杂可以提高烧结出的ST半导体陶瓷材料的致密度,减少气孔等缺陷的存在,降低材料的介电损耗,提升材料在低电压下的绝缘电阻率。在Al2o3掺杂质量分数为0.1%时,综合性能最好。MnCO3掺杂可以提高晶粒尺寸的均匀性,在介电常数变化不大的同时降低了损耗,提高了材料的绝缘电阻率。MnCO3的掺杂质量分数在0.2%时,材料综合性能最好。Li2SiO3掺杂可以降低ST半导体陶瓷材料的烧结温度,提升材料的致密度。降低材料在-55-125℃下的介电损耗,并提升材料的温度稳定性。Li2SiO3掺杂质量分数为0.40%时,材料的温度稳定性最好。最后研究了复合掺杂对ST半导体陶瓷材料性能的影响。实验发现Al-Si-Li掺杂能够提升晶粒尺寸的均匀性,显着降低介电损耗,但将降低材料的介电常数。A1-Si-Li-Mn掺杂可以减少气孔,改善陶瓷材料的致密度,提升晶粒尺寸均匀性,降低介电损耗,绝缘性能提高。Al2O3掺杂量为O.10wt.%，Li2SiO3掺杂量为0.20wt.%,MnCO3掺杂量为0.05wt.%时,材料的绝缘性能与温度稳定性提升,介电损耗降低,同时介电常数基本不变,此时材料的电学性能为:εr=19322，tanδ=0.006，ΔC·C-1(-55℃-125℃)≤±12.5%，25V电压下绝缘电阻率为3.2×1011Ω·cm。实验表明Ca-B-Si玻璃掺杂能够提高材料的介电常数,降低介电损耗,提高材料的温度稳定性。在掺杂剂质量分数为0.4%时,综合性能最佳。在保持介电常数基本不变的同时,显着提升了温度稳定性,降低了介电损耗,此时材料的电学性能为:εr=24418,tanδ=0.007,ΔC·C-1(-55℃-150℃)≤)±7.5%,绝缘电阻率为2.1×1011Ω·cm。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
蒲永平,万晶,惠驰原,崔晨薇,郭一松[4]（2017）在《NBT-BT基无铅高居里点半导体陶瓷的PTC性能研究》一文中研究指出采用传统固相法制备了半导的(1-x)BaTiO_3-xLa_2O_3陶瓷,将其中PTC性能最优异的组分按照一定的摩尔浓度添加到Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3中,制得了半导的(1-y)Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-yBaTiO_3陶瓷.采用XRD,介温测试仪,阻温特性测试仪对所制备陶瓷样品的结构、介电性能和PTC性能进行了分析.研究结果表明:当x=0.002 2时,在空气中烧结的BT陶瓷样品具有较低的室温电阻率(2.2×10~2Ω·cm)、较高的居里温度(118.3℃)和明显的PTC效应(ρ_(max)/ρ_(min)=10~3);当y=0.4时,NBT陶瓷具有较高的居里温度(240.3℃)和较低的室温电阻率(7.7×10~7Ω·cm),有望应用于PTC领域中.(本文来源于《陕西科技大学学报》期刊2017年06期）
王琪琳[5]（2016）在《二氧化锡半导体陶瓷的掺杂改性研究》一文中研究指出二氧化锡(SnO_2)是一种金红石结构的n型半导体材料,其晶体结构比较稳定,耐腐蚀性良好,具有较高的熔点,并且在掺杂后有较低的电阻率和良好烧结性能等优点,在光学、电极、气敏材料方面有着广泛的应用。本论文采用陶瓷制备工艺,借助智能电阻仪、体积密度测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等方法分别研究了ZnO、Ce O_2、MnO_2、Nb_2O_5、CuO、Li_2CO_3掺杂对SnO_2半导体陶瓷的导电性和体积密度的影响。在SnO_2中加入质量分数为5.8wt.%的Sb2O_3和0.5wt.%的La2O_3以及变量的Zn O和CeO_2,在不同烧结温度下进行烧结,研究发现,在所研究的掺杂量范围内,ZnO的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;当ZnO的添加量为0.7wt.%,烧结温度为1450℃时,陶瓷样品的电阻率达到最小值10.203mΩ·cm,体积密度为5.708g/cm3;对于掺杂CeO_2的陶瓷样品,在所研究的掺杂量范围内,CeO_2的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;当CeO_2的添加量为0.7wt.%时,烧结温度为1430℃时,陶瓷样品的电阻率达到最小值966.68mΩ·cm,体积密度为5.72g/cm3,说明ZnO和CeO_2可以改变SnO_2陶瓷的体积密度和导电性。在SnO_2中加入质量分数为5.8wt.%的Sb2O_3和0.5wt.%的La2O_3以及变量的Nb_2O_5和MnO_2,在不同烧结温度下进行烧结,研究发现,在所研究的掺杂量范围内,Nb_2O_5的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;Nb_2O_5的掺杂对SnO_2陶瓷的体积密度的影响不大,烧结温度为1430℃时,陶瓷样品的电阻率达到最小值36.23Ω·cm,体积密度为5.43g/cm3。对于掺杂MnO_2的陶瓷样品,在所研究的掺杂量范围内,MnO_2的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;烧结温度为1450℃时,MnO_2掺杂量在0.7wt.%时,其晶粒最为饱满,其陶瓷样品密度为5.74 g/cm3,其电阻率为10.89Ω·cm,而在MnO_2掺杂量为0.9wt.%时,其空隙率变大,体积密度降低到5.70 g/cm3。在SnO_2中加入质量分数为5.8wt.%Sb2O_3和0.5wt%的La2O_3以及变量的Li_2CO_3和CuO;在不同烧结温度下进行烧结,研究发现,在所研究的掺杂量范围内,Li_2CO_3的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;Li_2CO_3的掺杂可以促进陶瓷晶粒的长大,其体积密度随着Li_2CO_3的掺杂量的增加而增大,其在最佳烧结温度为1350℃时,Li_2CO_3的掺杂量为0.7wt.%时,其电阻率最小值为5.14mΩ·cm,此时体积密度为5.60 g/cm3,说明Li_2CO_3可以改善SnO_2陶瓷的体积密度和导电性能。CuO掺杂改性SnO_2陶瓷的实验中,研究发现,在所研究的掺杂量范围内,CuO的掺杂不改变SnO_2陶瓷的金红石结构,没有杂相生成;在少量的掺杂后,其晶粒得到了生长,致密度提高,并且随着CuO掺杂量的一直增加,密度也出现继续上升的现象,最高达到5.723 g/cm3,但是通过电阻率的变化规律发现,在烧结温度为1400℃~1470℃时,其电阻率先降低后增加,在1430℃烧结温度烧结时,其电阻率先降低后增加,CuO掺杂量为0.7wt.%时,其电阻率为4.85Ω·cm,当CuO掺杂量超过0.7wt.%时,此时的电阻率有所升高,CuO掺杂量为0.9 wt.%时,其电阻率为8.25Ω·cm。(本文来源于《江苏大学》期刊2016-04-01）
骆春媛,刘敬肖,史非,唐乃岭,钱超[6]（2014）在《钇掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的制备》一文中研究指出以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了钇(Y)掺杂的BaTiO3半导体陶瓷。并且结合XRD分析的结果,讨论了不同煅烧温度对陶瓷半导化的影响和样品的室温电阻率与施主Y的摩尔分数的关系;提出了煅烧温度的选取原则。研究结果表明,随着煅烧温度的升高,材料半导化程度先增加后减小,最佳的煅烧温度为1 200℃。随着Y摩尔分数的增加室温电阻率先增加后减小。当Y摩尔分数为0.6%时在1 200℃煅烧2h获得的材料的室温电阻率最低为31.80Ω·cm。(本文来源于《大连工业大学学报》期刊2014年02期）
骆春媛,刘敬肖,史非,唐乃岭,刘文磊[7]（2013）在《Y、La及Nb掺杂的BaTiO_3半导体陶瓷的研究》一文中研究指出以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了Y、La及Nb掺杂的BaTiO3陶瓷,分析了施主掺杂对样品的室温电阻率ρ25影响规律,探讨了样品的ρ25与施主的含量的关系。研究结果表明:随着施主含量的增加ρ25先增加后减小,当Y、La及Nb含量分别为0.6 mol%、0.3 mol%和0.3 mol%时ρ25达到最小值;总结了几种不同的施主掺杂的特点,Y掺杂的BaTiO3陶瓷的半导化范围宽,La和Nb掺杂的BaTiO3陶瓷的ρ25较低;提出了双施主掺杂配方的选取原则,当La和Nb的掺杂量分别为0.15 mol%和0.05 mol%时,获得的BaTiO3陶瓷的ρ25最低为4.8Ω·cm。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2013年07期）
涂文芳[8]（2010）在《BaTiO_3基半导体陶瓷细晶化及低温烧结特性的研究》一文中研究指出随着科学技术的飞速发展,电子元器件的微型化、多功能化及片式化已成为当今电子技术发展的主流,热敏电阻作为电子元器件中不可缺少的一份子,其片式化也势在必行。而制备多层片式PTCR热敏元件主要难题是制备细晶陶瓷和降低陶瓷的烧结温度以实现陶瓷层和电极间的共烧。本文以制备迭层片式PTCR热敏元件为最终目标,主要研究了为得到细晶陶瓷而进行的纳米粉体的制备技术以及PTCR陶瓷的低温烧结技术。本文采用不同的方法制备了纳米BaTiO_3粉体,系统研究了水热法制备纳米BaTiO_3粉体中反应温度、时间、反应前驱物浓度和钡钛比对粉体性能的影响。发现随反应温度和时间的增加,粉体粒径增大,当前驱物Ba/Ti=2时,反应温度为160℃,时间为2h,可得到产品粒径为32nm,Ba/Ti=0.9520的纯净的钙钛矿结构的BaTiO_3粉体。而采用溶胶-凝胶法也合成了粒径为100-200nm的结晶度良好BaTiO_3粉体。分别研究了共沉淀包覆掺杂法和化学混合掺杂法对PTCR陶瓷的性能的影响,发现采用共沉淀包覆掺杂法能使掺杂元素在陶瓷中分布更为均匀,从而得到微观结构均一的陶瓷。当Y(NO_3)3掺杂浓度为0.3 mol%并在1250℃保温1h时烧结,样品的室温电阻率为37.8Ω·cm,升阻比为4.8个数量级,电阻-温度系数α为56%。用两步烧结法控制晶粒尺寸,在1250℃保温5min得到了样品晶粒尺寸为1-2μm,室温电阻率为46.8Ω·cm,升阻比为3.5个数量级。为降低BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度,提出了在陶瓷中添加BaO-B2O_3-SiO_2-MnCl_2-LiF烧结助剂的方法。研究了该烧结助剂中LiF对BaTiO_3基PTCR陶瓷微观结构和电性能的影响。实验结果表明:加入0.05 mol LiF的BBSML_2烧结助剂可使陶瓷在低温烧结过程中产生充分的液相,在1050℃烧结得到样品的室温电阻率为151Ω·cm,升阻比为5.6х10~3。(本文来源于《华中科技大学》期刊2010-12-01）
赵礼刚[9]（2010）在《金刚石线锯切割半导体陶瓷的机理与工艺研究》一文中研究指出随着半导体工业的飞速发展,单晶硅、砷化镓和碳化硅等半导体陶瓷材料在此领域得到广泛应用。现代微处理器和其他逻辑芯片的制备要求不断提高,一方面,为了增大芯片产量,降低单元制造成本,要求半导体材料切片的直径不断增大;另一方面,为了提高集成电路(Integrated Circuit,简称IC)的集成度,要求半导体材料切片的刻线宽度越来越细,这对单晶硅和砷化镓等半导体陶瓷材料的切片技术提出了新的要求。切片是制造IC的一道重要工序。为解决大直径晶体,如单晶硅和砷化镓等的切片问题,本文研究了往复式金刚石线锯切片技术。该技术具有切缝窄、锯切效率高、切片质量好、对环境污染小、能加工大直径工件和超硬材料等优点。通过对这一切片技术进行深入系统的理论分析和试验研究,揭示了加工工艺参数与加工质量之间的关系,对工艺参数进行了正交优化,获得了最佳工艺参数,为半导体陶瓷材料的高质量、高效切片提供了科学依据和技术支撑。本文完成的主要工作和取得的成果如下:(1)对金刚石线锯切割机理进行了研究建立了金刚石线锯切割模型,研究了金刚石线锯切割的材料去除过程,通过压痕实验研究了单晶硅在室温状态下硬度和裂纹的产生、扩展及特征,获得了脆塑转变的临界压头压入深度值d c,结合能量脆塑转变理论获得了金刚石线锯切割过程的脆塑转变的临界切深公式。(2)对金刚石线锯切割过程中锯丝振动、断裂进行了研究,分析了锯丝振动、断裂与工艺参数之间的关系,为确定试验工艺参数范围提供了判定依据建立了锯丝振动模型,研究了工艺参数(锯丝线速度,工件进给速度和锯丝张紧力)和锯丝振动之间的关系;分析了锯丝断裂的原因,研究了工艺参数与锯丝断裂之间的关系,获得了锯丝防断裂的条件;根据锯丝振动、断裂与工艺参数之间的关系,为确定试验工艺参数范围提供了判定依据。(3)对金刚石线锯切割单晶硅和砷化镓的工艺进行了研究以锯丝线速度、工件进给速度和锯丝张紧力为考虑因素,以砷化镓和单晶硅为切割材料,设计并进行了一系列单因素试验,研究了加工工艺参数对砷化镓和单晶硅切片表面质量的影响,获得了加工工艺参数对表面质量的影响规律;运用Taguchi法对加工工艺参数进行了正交优化,对正交优化的结果进行了分析处理,获得了最佳工艺参数;运用离差分析法,分析了加工工艺参数对目标质量特征参数的影响,获得了加工工艺参数对表面质量的影响程度,对加工工艺参数选择具有指导作用。(4)对使用不同切削液的加工表面质量进行了研究将加速剂引入金刚石线锯切片加工中,对比分析了使用普通切削液(水)与加速剂后切片的表面质量,试验证明,加速剂的引入大大提高了切片的表面质量;通过对不同配比的加速剂进行金刚石线锯切片试验研究,获得了加速剂溶液的最佳配比参数,为加速剂在金刚石线锯切片加工中的使用提供了技术支持;结合加速剂溶液的物理化学特性以及金刚石线锯切片实验结果,分析了加速剂的作用。(5)对金刚石线锯切割过程以及切片表面叁维形貌进行了仿真研究对单颗磨粒的切割进行了仿真研究,模拟了单颗磨粒的切割过程,分析了切割表面的形貌以及裂纹和损伤。通过研究锯丝磨粒的分布,建立了锯丝模型,对切片表面叁维形貌进行了仿真研究,获得了不同加工工艺参数下表面粗糙度的仿真值以及加工参数对表面粗糙度的影响规律,其规律与试验所获得规律一致。(6)对金刚石线锯切割表面损伤层进行了研究采用X射线衍射仪以及逐层腐蚀法对砷化镓和单晶硅切片表面进行损伤层检测,获得了不同加工工艺参数下的表面损伤层厚度,研究了加工工艺参数对切片的表面损伤层厚度的影响,并获得了加工工艺参数对切片表面损伤层厚度的影响规律。将已测得的不同加工工艺参数下的表面损伤层厚度为样本,对神经网络进行训练学习,建立了BP神经网络的预测模型,实现了对表面损伤层厚度的预测。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2010-05-01）
王卫民,魏少红,杜记民,田长生[10]（2009）在《Bi_2O_3对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构和电性能影响》一文中研究指出采用Bi2O3作烧结助剂,研究了Bi2O3含量,烧结温度对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构与电性能。结果表明:添加0.25 wt%~1.5 wt%Bi2O3可以显着促进烧结,烧结温度可降低至1000℃。随着Bi2O3含量的增加,陶瓷样品的粒径先减小,后增大,含有1.0wt%Bi2O3的样品晶粒最大,伴随着显微结构的变化,材料的电阻率和材料常数(B)先减小,后增大;烧结温度对上述材料体系的电性能有着较大的影响,其影响主要来自于烧结温度对晶粒大小和体系内部阳离子分布的改变。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2009年S1期）
半导体陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO_3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO_3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(ε_r),降低介电损耗(tanδ)。当CBS质量分数为0.4%时,可获得最佳的电学性能:ε_r为19418,tanδ为0.007,在-55～150℃电容温度变化率(ΔC·C~(-1))小于10%,绝缘电阻率大于2.1×10~(11)Ω·cm。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体陶瓷论文参考文献
[1].苏逸斯,冯波,胡晓明,刘培海,李光强.Ba-Pb双掺杂与晶粒细化的协同调整对BiCuSeO半导体陶瓷热电性能的影响[J].粉末冶金材料科学与工程.2019
[2].李欣源,钟朝位,唐斌.Ca-B-Si玻璃掺杂对SrTiO_3基半导体陶瓷材料性能的影响[J].电子元件与材料.2019
[3].李欣源.ST半导体陶瓷材料的改性研究[D].电子科技大学.2019
[4].蒲永平,万晶,惠驰原,崔晨薇,郭一松.NBT-BT基无铅高居里点半导体陶瓷的PTC性能研究[J].陕西科技大学学报.2017
[5].王琪琳.二氧化锡半导体陶瓷的掺杂改性研究[D].江苏大学.2016
[6].骆春媛,刘敬肖,史非,唐乃岭,钱超.钇掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的制备[J].大连工业大学学报.2014
[7].骆春媛,刘敬肖,史非,唐乃岭,刘文磊.Y、La及Nb掺杂的BaTiO_3半导体陶瓷的研究[J].中国陶瓷.2013
[8].涂文芳.BaTiO_3基半导体陶瓷细晶化及低温烧结特性的研究[D].华中科技大学.2010
[9].赵礼刚.金刚石线锯切割半导体陶瓷的机理与工艺研究[D].南京航空航天大学.2010
[10].王卫民,魏少红,杜记民,田长生.Bi_2O_3对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构和电性能影响[J].人工晶体学报.2009