全文摘要
本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极，该背电极包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。本实用新型实施例提供的太阳能电池及其背电极，通过在背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面整合层和背金属层接触界面的稳定性，有效阻挡背金属层中的金属扩散入外延层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。
主设计要求
1.一种太阳能电池背电极，包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，其特征在于，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。
设计方案
1.一种太阳能电池背电极，包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，其特征在于，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。
2.根据权利要求1所述的背电极，其特征在于，所述背金属界面整合层的材料为铝，所述背金属层的材料为铜。
3.根据权利要求1所述的背电极，其特征在于，所述背金属界面整合层的厚度为设计说明书
技术领域
本实用新型实施例涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其背电极。
背景技术
现如今，太阳能电池得到越来越广泛的应用。但是，太阳能电池背电极的背金属层的金属扩散问题严重影响了太阳能电池的使用。
以砷化镓(GaAs)太阳能电池为例，砷化镓属于III～V族化合物半导体材料，其禁带宽度1.43ev,与太阳光谱可见光的范围较匹配，是吸收太阳光的优选材料之一；砷化镓制备的太阳能电池，具有转化效率高、耐高温性能好、抗辐射能力强等特点，随着金属有机化合物气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等技术的发展，GaAs太阳能电池应用越来越广泛。
由于Cu具有极小的电阻率(1.67μΩ.㎝)和良好的抗电迁徙性能，因此在砷化镓薄膜太阳能器件的制作中，被广泛用作背电极材料。然而Cu等金属作为砷化镓薄膜太阳能电池的背电极材料而带来的玷污问题不容忽视。以Cu为例，一方面，Cu在砷化镓中的扩散系数极高，Cu扩散进入砷化镓器件造成深能级掺杂污染，引起漏电流增大，降低效率。另一方面，若Cu扩散到砷化镓器件的内部PN结，使PN结内部导通，则器件短路。为了克服Cu电极材料自身的缺点，在Cu和砷化镓薄膜太阳能电池的外延层之间必须引入阻挡层材料。
目前，Cu电极材料的阻挡层多为PVD方法生长的Ti、TiW、Ta、Mo、MoN、MoNi、W等金属或金属合金材料。为了减小砷化镓薄膜太阳能电池的外延层和背电极之间的欧姆接触电阻，降低电流的损失，所选阻挡层材料的电阻率必须要小，阻挡层的厚度必须要薄。然而阻挡层厚度减小后，其阻挡Cu扩散的效果也相应的变差，最终导致砷化镓器件的寿命缩短。
实用新型内容
为解决现有技术太阳能电池背金属层中金属扩散的问题，本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极。
第一方面，本实用新型实施例提供一种太阳能电池背电极，包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。
优选地，所述背金属界面整合层的材料为铝，所述背金属层的材料为铜。
优选地，所述背金属界面整合层的厚度为设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920398772.3
申请日:2019-03-27
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:11(北京)
授权编号:CN209592055U
授权时间:20191105
主分类号:H01L 31/0224
专利分类号:H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/056;H01L31/0352
范畴分类:38F;
申请人:东泰高科装备科技有限公司
第一申请人:东泰高科装备科技有限公司
申请人地址:102209 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
发明人:孙暮雪
第一发明人:孙暮雪
当前权利人:东泰高科装备科技有限公司
代理人:王庆龙;周永君
代理机构:11002
代理机构编号:北京路浩知识产权代理有限公司
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：太阳能电池论文; 砷化镓太阳能电池论文; 电池论文; 砷化镓论文;