导读:本文包含了高温退火处理论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高温,碳化物,磁控溅射,吸收光谱,电学,电弧,梯度。
高温退火处理论文文献综述
黄琼俭,黄楠,徐益[1]（2014）在《高温退火处理对低温同向热解碳表面氧化钛薄膜改性的影响》一文中研究指出采用非平衡磁控溅射设备在热解碳表面沉积氧化钛薄膜,并置于超高真空环境中进行高温退火处理。利用X射线衍射评价薄膜的晶体结构;使用台阶仪分析退火前后薄膜表面曲率变化;采用纳米划痕法评价薄膜与基体之间的结合力。实验结果表明,高温退火处理不会改变氧化钛薄膜的相结构,仅使薄膜晶粒尺寸长大,结晶更完整;台阶仪扫描结果显示经过高温处理后薄膜表面发生的变形减小,显示出薄膜内应力减小;纳米划痕测试分析得出,高温退火处理可以提高薄膜与基体之间的膜基结合力。(本文来源于《材料导报》期刊2014年16期）
赵云,王兴涌,尹文萱[2]（2012）在《高温后退火处理对聚合物光伏电池阴极界面层的影响》一文中研究指出分别采用LiF和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)作为聚3-己基噻吩(P3HT)/[6,6]-苯基-C61-丁酸甲脂(PCBM)体系聚合物光伏电池阴极界面层,研究了高温后退火处理对不同界面层器件性能的影响。研究发现,LiF界面层的引入,在活性层和阴极界面之间形成了较强的偶极作用,从而改善了电池的性能,进一步高温热退火处理后仍能保持良好的界面作用,使器件的能量转换效率得到了进一步的提高。然而BCP界面层的引入,虽然阻挡了金属电极Al到PCBM的电子转移,导致复合减小,提高了器件的开路电压,但是在进一步高温后退火之后,BCP界面层的完整性遭到破坏,因此使得器件的能量转换效率降低。(本文来源于《高分子材料科学与工程》期刊2012年06期）
姜礼华,曾祥斌,张笑[3]（2012）在《高温退火处理下SiN_x薄膜组成及键合结构变化》一文中研究指出采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si-N,si-H,N-H键键合结构和si 2p,N 1_s电子结合能以及薄膜内N和si原子含量比值R的变化.详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FHR和XPS光谱演化同薄膜内Si,N,H原子间键合方式变化之间的关系.通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800℃时,SiN_x薄膜内Si-H和N-H键断裂后主要形成si-N键;当退火温度高于800℃时薄膜内Si-H和N-H键断裂利于N元素逸出和si纳米粒子的形成;当退火温度达到1100℃时N_2与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加.这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数.(本文来源于《物理学报》期刊2012年01期）
王昕,徐建华,马胜利,徐可为[4]（2010）在《高温退火处理对TiAlSiN硬质薄膜的微观结构与硬度的影响分析》一文中研究指出用弧离子增强反应磁控溅射方法,在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积出具有较高Al,Si含量的TiAlSiN多元硬质薄膜,研究了不同温度退火后薄膜的微观结构和硬度变化.结果表明:由于沉积速率较高和沉积温度较低,沉积态的TiAlSiN薄膜主要形成非晶结构;高温退火后,TiAlSiN薄膜由非晶转变为纳米晶/非晶复合结构;1000℃以下退火后产生的晶体为AlN及TiN;1100℃以上退火后晶体为TiN,其余为非晶结构;1200℃时薄膜发生氧化,生成Al2O3,表明TiAlSiN薄膜具有相当高的抗氧化温度.TiAlSiN薄膜随退火温度升高晶粒尺寸逐渐增大,高温退火后平均晶粒尺寸小于30nm.沉积态TiAlSiN薄膜具有较高的显微硬度(HV0.2N=3300),但随退火温度的升高,硬度逐渐降低,800℃退火后硬度降低至接近TiN硬度值(HV0.2N=2300).(本文来源于《科学通报》期刊2010年33期）
赵军普,袁守谦,陶宇,贾建[5]（2010）在《高温扩散退火处理对FGH96粉末高温合金PPB的影响》一文中研究指出研究了亚固相线温度扩散退火处理对FGH96粉末高温合金原始颗粒边界(PPB)的影响,结果表明,试验用热等静压(HIP)态FGH96试样中所存在的PPB主要由富Ti和Nb的MC型碳化物以及少量的氧化物组成。试样经1230℃×8h/AC扩散退火处理后并不能完全消除PPB,但部分碳化物溶解,PPB从连续网膜转变成离散的颗粒状,显微组织中PPB明显减轻。试样经HIP+1150℃×30min/WC处理后在PPB较严重的区域出现裂纹,主要沿PPB扩展;退火态试样经1230℃×30min/WC处理后裂纹相对较细,其主要沿晶界扩展。(本文来源于《材料导报》期刊2010年18期）
辛社伟,赵永庆,吴欢,李倩,杨海瑛[6]（2010）在《中低温退火处理工艺下Ti40合金高温蠕变机制的研究(Ⅰ)——蠕变本构关系》一文中研究指出对Ti40合金环材进行600℃,4h退火处理,并测试合金在500～550℃温度范围不同应力下蠕变性能。结果表明,Ti40合金在500～550℃的温度范围的蠕变行为应该分为两个区间,区间Ⅰ为500～520℃温度范围;区间Ⅱ为535～550℃温度范围,在两个温度区间内蠕变本构方程不同。分析认为,在低温区(500～520℃)应力对位错的滑移影响较大,热激活控制的位错攀移控制稳态蠕变变形;当温度升高时,扩散对蠕变变形的贡献越来越大,在高温区(535～550℃),合金的蠕变可能受自扩散或合金元素的扩散控制。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2010年02期）
张雯[7]（2009）在《大变形轧制后高温回复处理对Pb-Ca-Sn-Al合金后续冷轧退火晶界特征分布的影响》一文中研究指出采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了大变形冷轧变形后的高温回复处理对Pb-0.05Ca-1.5Sn-0.026Al(质量分数,%)合金后续轧制退火晶界特征分布(GBCD)的影响。结果表明:室温下90%大变形轧制后在250℃下回复3min的样品中具有单一的很强的{100}<011>(旋转立方)织构,经后续液氮轧制30%并在270℃退火10min后,出现了较多的∑3,∑9和∑27等特殊晶界,特殊晶界比例最大接近80%,其中(∑9+∑27)晶界比例达到20%,特殊晶界有效地阻断了一般大角度晶界的网络连通性,合金的GBCD优化效果显着。该工艺具有良好的重复性,重复该工艺所获得的样品经大面积多区域EBSD测试,平均特殊晶界比例达到72%。取向成像显微晶界重构图显示样品中特殊晶界以弯曲的非共格∑3~n晶界为主,对一般大角度晶界的网络连通性具有良好的阻断效果。经过25℃下1.28g/cm~3的硫酸水溶液中600h腐蚀实验后,GBCD优化态样品晶间腐蚀程度明显较轻,晶界腐蚀深度仅为27.87μm,单位面积失重量为1.210×10~(-3)g/mm~2,表现出优异的抗晶界腐蚀性能。EBSD测试发现优化态样品中,特殊晶界的比例较高,达到77.8%,且能有效阻断一般大角度晶界的网络连通性,优化效果十分优异。进一步分析指出,大变形后的高温短时回复过程中,形变组织的快速演变所形成的某种特定取向对后续形变退火过程中特殊晶界的生成数量具有很大的影响。大变形轧制后高温回复处理所得到的单一高强度{100}<011>(旋转立方)织构有利于合金在后续冷轧退火过程中形成大量的非共格∑3晶界,这些可动性较大的非共格∑3晶界的迁移以及它们之间发生的一级和二级反应可生成∑9和∑27等晶界,这就是实现合金GBCD优化的关键。(本文来源于《山东理工大学》期刊2009-04-10）
占荣,赵有文,于会永,高永亮,惠峰[8]（2008）在《高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能》一文中研究指出垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显着提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显着增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年09期）
刘少光,吴进明,张升才,荣淑杰,胡小海[9]（2006）在《退火处理对含纳米陶瓷粉电弧喷涂层组织结构与高温冲蚀性能的影响》一文中研究指出开发含纳米组分的粉芯丝材,采用超音速电弧喷涂技术获得复合涂层,对涂层进行退火处理,结合金相、硬度、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等分析方法对喷涂层的组织结构和高温冲蚀性能进行表征。结果表明:喷涂过程中粉芯丝材的表皮材料和芯粉材料能相互熔解和融合形成较均匀的固溶体;涂层中硬度分布较均匀;退火处理使涂层缺陷减少,应力消除,亚稳相分解,同时结晶度提高,从而显着提高涂层硬度;退火处理后涂层耐高温冲蚀性显着提高。(本文来源于《功能材料》期刊2006年12期）
马静,何业东,胡建文,高颖[10]（2005）在《喷丸及退火处理对1Cr18Ni9Ti合金抗高温氧化性能的影响》一文中研究指出研究了经过喷丸处理及400℃退火处理的1Cr18Ni9Ti合金试样在900℃空气中的循环氧化性能。经SEM,EDS分析及氧化动力学研究发现:喷丸处理虽然促进了铬的选择性氧化,但却使合金表面的压应力增大,所形成的氧化膜的抗剥落性能也不好;退火处理不仅使喷丸试样表面的应力得以消除,并且起到了低温预氧化的作用。经过退火处理的合金表面形成了附着性良好的选择性氧化铬膜,其氧化增重与氧化膜剥落量下降,起到了很好的保护作用,提高了合金的抗高温氧化性能。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊2005年02期）
高温退火处理论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分别采用LiF和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)作为聚3-己基噻吩(P3HT)/[6,6]-苯基-C61-丁酸甲脂(PCBM)体系聚合物光伏电池阴极界面层,研究了高温后退火处理对不同界面层器件性能的影响。研究发现,LiF界面层的引入,在活性层和阴极界面之间形成了较强的偶极作用,从而改善了电池的性能,进一步高温热退火处理后仍能保持良好的界面作用,使器件的能量转换效率得到了进一步的提高。然而BCP界面层的引入,虽然阻挡了金属电极Al到PCBM的电子转移,导致复合减小,提高了器件的开路电压,但是在进一步高温后退火之后,BCP界面层的完整性遭到破坏,因此使得器件的能量转换效率降低。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高温退火处理论文参考文献
[1].黄琼俭,黄楠,徐益.高温退火处理对低温同向热解碳表面氧化钛薄膜改性的影响[J].材料导报.2014
[2].赵云,王兴涌,尹文萱.高温后退火处理对聚合物光伏电池阴极界面层的影响[J].高分子材料科学与工程.2012
[3].姜礼华,曾祥斌,张笑.高温退火处理下SiN_x薄膜组成及键合结构变化[J].物理学报.2012
[4].王昕,徐建华,马胜利,徐可为.高温退火处理对TiAlSiN硬质薄膜的微观结构与硬度的影响分析[J].科学通报.2010
[5].赵军普,袁守谦,陶宇,贾建.高温扩散退火处理对FGH96粉末高温合金PPB的影响[J].材料导报.2010
[6].辛社伟,赵永庆,吴欢,李倩,杨海瑛.中低温退火处理工艺下Ti40合金高温蠕变机制的研究(Ⅰ)——蠕变本构关系[J].稀有金属材料与工程.2010
[7].张雯.大变形轧制后高温回复处理对Pb-Ca-Sn-Al合金后续冷轧退火晶界特征分布的影响[D].山东理工大学.2009
[8].占荣,赵有文,于会永,高永亮,惠峰.高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能[J].半导体学报.2008
[9].刘少光,吴进明,张升才,荣淑杰,胡小海.退火处理对含纳米陶瓷粉电弧喷涂层组织结构与高温冲蚀性能的影响[J].功能材料.2006
[10].马静,何业东,胡建文,高颖.喷丸及退火处理对1Cr18Ni9Ti合金抗高温氧化性能的影响[J].河北科技大学学报.2005
论文知识图
