导读:本文包含了离子注人论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:离子,络合物,等离子体,分析器,电化学,电极,空位。
离子注人论文文献综述
孙继忠,罗永祥[1]（1996）在《离子注人硅在砷化镓中的扩散模型》一文中研究指出介绍了硅在砷化镓扩散的几种模型。对高剂量离子注入情况,提出了自己的模型,并对硅扩散行为进行了模拟。(本文来源于《半导体杂志》期刊1996年04期）
李百贵[2]（1995）在《等离子体源离子注人金属材料表面改性》一文中研究指出本文叙述了辉光放电等离子体源的等离子体源离子注入.对45号钢进行氮离子注入表面改性,维氏显微硬度由254提高到416.(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊1995年S1期）
刘世杰,王江,胡朝晖,夏宗璜[3]（1994）在《GaAs注人S的离子束分析》一文中研究指出GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。(本文来源于《第九届全国核物理大会论文摘要汇编》期刊1994-10-01）
滕永红,吴仲达,林文廉,丁晓纪[4]（1993）在《钛、玻璃碳基体中离子注人镍的电化学性能》一文中研究指出钛、玻璃碳基体中离子注入5×10~(16)×10~(1(?)Ni~+离子cm~(-2).在30%KOH溶液中测试这些电极对氢析出反应的电催化性能.结果表明,离子注入电极的催化活性优于未注入的钛、玻璃碳基体.由极化测量求得动力学参数j、b和E.这些数据表明,在离子注入电极上,氢析出反应的速度决定步骤与镍电极相似,由电化学放电步骤控制。AES测量表明,镍在钛基体中的深度分布近似高斯分布,在阴极极化过程中,注入的镍没有损失,但明显地移向深处.用XPS研究注入前后Ni_(2p)和Ti_(2(?))电子结合能所产生的位移表明,离子注入可能在基体表面形成合金.(本文来源于《化学研究与应用》期刊1993年02期）
俞跃辉,林成鲁,朱文化,邹世昌,卢江[5]（1991）在《氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质》一文中研究指出本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(180keV,4×10~(17)/cm~2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000—1700cm~(-1)的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。(本文来源于《电子科学学刊》期刊1991年05期）
[6]（1978）在《我国第一台高能重离子注人机研制成功》一文中研究指出我校物理系核物理专业,在有关单位的协作下,于一九七七年十二月研制成功一台高能重离子注入机,经过试运行,性能良好,稳定可靠,达到了较好的技术指标。该机能量为380千电子伏,其调节范围从30千电子伏到380千电子伏,磁分析器的偏转半径R=1米偏转角Φ=90°,极距为3厘米,最高磁感应强度B=11000高斯,同时它有高频离子源可加速各种元素(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊1978年03期）
离子注人论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文叙述了辉光放电等离子体源的等离子体源离子注入.对45号钢进行氮离子注入表面改性,维氏显微硬度由254提高到416.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
离子注人论文参考文献
[1].孙继忠,罗永祥.离子注人硅在砷化镓中的扩散模型[J].半导体杂志.1996
[2].李百贵.等离子体源离子注人金属材料表面改性[J].河北大学学报(自然科学版).1995
[3].刘世杰,王江,胡朝晖,夏宗璜.GaAs注人S的离子束分析[C].第九届全国核物理大会论文摘要汇编.1994
[4].滕永红,吴仲达,林文廉,丁晓纪.钛、玻璃碳基体中离子注人镍的电化学性能[J].化学研究与应用.1993
[5].俞跃辉,林成鲁,朱文化,邹世昌,卢江.氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质[J].电子科学学刊.1991
[6]..我国第一台高能重离子注人机研制成功[J].北京师范大学学报(自然科学版).1978
论文知识图
