导读:本文包含了半导体界面论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,界面,太阳能电池,晶格,金属,薄膜,钛矿。
半导体界面论文文献综述
吴朝新,董化,冉晨鑫,郗俊,雷霆[1]（2018）在《钙钛矿半导体界面工程及其高效太阳能电池》一文中研究指出传统溶剂法制备的铅基钙钛矿薄膜存在晶粒较小、结晶质量不高、缺陷较多等缺点,限制了钙钛矿太阳能电池效率的进一步提升。本课题组详细研究了揭示钙钛矿多晶薄膜可控生长机制,提出一种新型"微流反溶剂"钙钛矿薄膜制备方法,实现超平整钙钛矿薄膜(J.Mater.Chem.A,2016,4(17):6295-6303封面文章),通过卤素对甲基铵铅卤钙钛矿可控置换反应的动力学过程,通过在溶剂环境下,利用类卤素离子对MAPbI3薄膜的后处(本文来源于《2018第二届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会摘要集》期刊2018-06-23）
肖和平,王宇[2]（2017）在《TOF-SIMS法研究金属-半导体界面》一文中研究指出飞行时间二次离子质谱仪(Time of flight secondary ion mass spectrometry,TOF-SIMS)对所有元素具有极高的检测灵敏度,应用此方法研究了经550℃退火处理,Au/AuBe/Au与GaP金属-半导体的各元素强度分布特性,依次分析金属表面、金属层内、金属-半导体界面、半导体内部,使用O2+正离子与Cs+负离子分析Au、Be、O、Ga、P五类元素在各层内的强度,观察金属层与半导体界面内Be、O、Au、P峰位置的各元素SIMS图,表明在金属表面3~10nm内含有Au、Be、O、Ga、P元素,在金属内部,O元素在AuBe层有明显分布,在半导体材料GaP层内含有Be、Au元素,且Be的扩散深度比Au要深,在AuBe层及界面处用XPS分析化学组分。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2017年06期）
何守杰[3]（2017）在《有机半导体界面载流子复合机制研究》一文中研究指出新一代柔性的有机半导体器件在平板显示、固体照明、可再生新能源等领域有着极高的应用优势,是目前国内外学术界和产业界最瞩目的研究及开发领域。目前,有机半导体器件在效率方面已经取得了显着的突破,并已经实现了在智能手机等高科技电子产品中的初步应用,但是器件的运行物理机制仍然还不是很清楚。有机半导体器件是由迭层有机薄膜构成,电子和空穴在有机/有机异质结界面的复合对器件的效率和稳定性都起着决定性的作用。本论文通过有机异质结器件的制备,集中对有机/有机异质结界面电子和空穴的复合机制进行了系统的研究。具体的研究发现包括:(1)利用有机/有机异质结界面电荷转移(Charge Transfer,CT)激子的非辐射复合,制备出具有高整流比和整流特性可调的有机整流二极管器件。(2)从实验和理论两方面证明了 CT激子的非辐射复合速率不仅与给体HOMO-受体LUMO之间的能级差呈指数关系,而且还与给体-受体分子之间的分离距离呈指数关系。(3)研究了有机/有机异质结界面的俄歇复合机制,并利用界面俄歇电子注入制备出工作电压低于发光材料的HOMO-LUMO能隙值,也就是发射光子能量高于外加电势能的超低电压有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)器件。(4)发现两个相互竞争的激子复合过程,即非辐射的俄歇复合和辐射的激基复合物发光,能够在一有机/有机异质结界面同时发生。此外还发现,通过调节异质结界面电子和空穴的相对浓度可以对这两个激子过程进行调制:当异质结界面的电子浓度较高时,俄歇复合为主导激子过程;当异质结界面的空穴浓度较高时,激基复合物发光为主导激子过程;当异质结界面的电子浓度和空穴浓度平衡时,俄歇复合和激基复合物发光同时发生。本论文研究工作不仅为高效率的OLEDs、有机太阳能电池等器件的研制提供了可靠的理论指导,还为有机整流二极管、超低电压OLEDs等新型有机器件的开发提供了新的设计思路。(本文来源于《云南大学》期刊2017-05-01）
宋宏权[4]（2017）在《金属/半导体界面与固溶体合金的原子级模拟研究》一文中研究指出在过去的二十多年里,基于原子模型的计算机模拟是研究材料基本性质和大尺度形变过程的有力工具,并为连续的介观模型和材料设计提供帮助。随着现代计算机技术和新模拟方法的发展,原子级模拟已经扩展到更为复杂的体系当中。本文通过Chen-Mobius晶格反演方法获得了适用于界面体系和固溶体合金体系的原子间相互作用势,为界面体系和固溶体合金体系的原子级模拟的深入和广泛研究提供帮助。金属半导体界面是半导体科学与工程的重要问题,在电子设备当中扮演着关键的角色。本论文构建了 Ag/GaN(0001)和Ag/ZnO(0001)的共格界面模型,并根据第一性原理计算了这些共格界面模型的粘接能曲线。然后基于 Chen-Mobius 晶格反演方法研究了 Ag/GaN(0001)和 Ag/ZnO(0001)界面,推导出来了从界面粘接能曲线中提取此类金属/半导体界面间相互作用势的基本方法,并检验了这些界面间相互作用势自洽性以及在不同界面环境下的有效性。利用获得的界面间相互作用势,进一步研究了 Ag/ZnO(0001)界面在共格和半共格情况下的拉伸断裂过程。结果显示了拉伸断裂过程中界面处的原子结构和应力变化。固溶体材料是非常重要的结构材料和功能材料。但是固溶体材料很难被理论描述和计算,这主要是因为固溶体材料同时具有无序的原子占位和有序的晶格点阵结构,这种二元性使得固溶体材料具有不同于金属间化合物(有序的占位和晶格点阵)与玻璃态材料(无序的点阵和晶格点阵)的特殊性质。为了准确的描述固溶体的二元性,本文基于混合原子概念和Chen-Mobius晶格反演方法提出了一种新的简洁的描述固溶体材料的混合原子间晶格反演势。通过该方法可以研究以往很难处理的非化学计量比固溶体材料。同时引入无序度,研究了无序度对固溶体材料物理性能的影响。另外,本文提出了一个新的超胞方法来模拟单相多元固溶合金,这些合金中每个晶格点位具有相似的原子无序分布。采用这种超胞结构结合第一性原理方法,本文研究了BCC相难熔合金和FCC相3d族多组元合金的晶格畸变。结果显示BCC相的难熔合金的晶格畸变比较严重,而FCC相3d族多组元合金则较小。(本文来源于《北京科技大学》期刊2017-04-24）
檀洪伟[5]（2016）在《基于金属—半导体界面光电效应的多功能信息存储器研究》一文中研究指出结构简化,功能化和多样化是后摩尔时代电子信息技术发展的主要趋势。光电多功能集成器件通过光和电对简单器件电阻的调控,实现信息处理功能集成化和多样化,有利于增加器件功能密度并实现数据并行传输及运算。然而这其中最根本的科学问题是如何利用光和电对简单界面势垒实现连续、精准与可逆调控。本文选用简单的金属-半导体界面,利用光和电场调控界面电阻,实现光电多功能器件,对光信号和电信号进行处理与存储,进一步提高数据的并行传输与处理能力。具体如下:利用磁控溅射技术制备了光感半导体氧化铈(CeO_(2-x))和氧化锌(ZnO)半导体薄膜,并通过费米能级匹配选择合适的金属电极在半导体-金属界面构建肖特基势垒,系统研究光和电场对该界面势垒电导的调控行为及规律,探索光电可控的金属-半导体界面作为器件单元实现光电多功能集成的思路与方法。一、选用光敏材料CeO_(2-x)作为功能层,与费米能级更低的金属Al构成肖特基势垒,通过光脉冲调控CeO_(2-x)/AlO_y/Al界面空间电荷区内氧空位的电荷状态,进而调控界面电导。发现该结构的光电导具有持续性,最大持续可见光/暗电导比值为~104,持续光响应度为1A/W,并在室温下104 s时间内基本保持不变。进一步研究发现持续光电导与光照强度和时间呈线性关系,与理论分析一致。而且具有从紫外到可见的宽谱响应行为,并且随着光波长的增加,光电导减小。利用光电导的持续性及其与光照强度、波长和光照时间的响应关系,实现了CeO_(2-x)/AlO_y/Al光响应界面对宽频光信号的探测、解码、简单算术运算与存储的多功能的集成。二、进一步研究光脉冲和电压共同对ITO/CeO_(2-x)/AlO_y/Al结构界面电阻的调控行为及规律。实现了稳定的双极性电致阻变行为,正向扫描电压下电阻降低,负向扫描电压下电阻升高,开光比大于10。当利用光对电致阻变行为进行调控时,发现施加一个光脉冲后,电致阻变过程中的高低阻值分别降低10倍左右,说明光和电均可以非易失性地调控电阻转变。基于此,以光脉冲和正向电压脉冲作为输入信号,以非易失的电阻作为输出信号,该光电可控的金属-半导体界面可实现非易失性的‘与门’逻辑的功能,并且通过光调控初始电阻状态,可以实现‘与门’向‘或门’逻辑功能的转换,即非易失可重构逻辑门。进一步引入‘初始化’操作,实现叁输入的复杂非易失可重构逻辑操作。这些逻辑操作可反复擦写,在室温下每种逻辑关系的设置和逻辑输出值在103 s时间内基本保持不变,可用于数据原位存储。叁、为进一步提高半导体-金属界面的功能性,在上述研究的基础上,选用典型的光电材料以及阻变材料氧化锌(ZnO)作为功能层,选用费米能级更低的掺铌钛酸锶(NSTO)作为电极形成肖特基势垒,提出利用持续光电导效应模拟神经突触的基本行为和功能:通过施加一个光脉冲,使电流迅速增加,然后持续衰减,模拟神经的后突触兴奋电流;连续施加两个脉冲,第二个脉冲的峰值大于第一个脉冲的峰值,模拟神经突触的双脉冲易化行为;在相同个数的脉冲下,通过增加脉冲时间宽度模拟了短期记忆和长期记忆的突触功能。即实现了光电仿生突触。另外,以光和电场作为输入信号,利用单一光突触的记忆行为实现非易失性可重构逻辑操作,进一步构建光突触阵列来模拟对图像信息的短期、长期记忆与图像识别的功能。(本文来源于《中国科学院宁波材料技术与工程研究所》期刊2016-05-01）
冯楠[6]（2015）在《Fe_4N/半导体界面的电子结构和磁性的第一性原理研究》一文中研究指出自旋电子器件将电子的自旋和电荷属性实现了应用,是材料科学和凝聚态物理课题研究的热点之一。其中,具有高自旋极化率的电极材料是提高自旋器件效率的关键因素。由于具有-100%的传导自旋极化率和767 K高的居里温度,Fe_4N在磁性隧道结和自旋注入器件中将具有极大的应用价值。本文利用密度泛函理论计算了Fe_4N/势垒层(MgO、BaTiO_3和BiFeO_3界面的电子结构和磁性;La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3与四方相BiFeO_3超晶格的磁电耦合效应;Fe_4N/半导体(Si、Graphene和MoS_2异质结的自旋注入现象以及Fe-X6团簇掺杂单层MoS_2的电和磁性,为磁性隧道结和自旋注入的实验设计提供理论支持。通过计算Fe_4N/Oxides(MgO、BaTiO_3和BiFeO_3界面体系的结合能、能带结构、态密度、肖特基势垒高度、差分和平面差分电荷密度,发现与Fe~ⅠFe~(Ⅱ)和(Fe~(Ⅱ))_2N终端接触的MgO分别呈现出n和p型掺杂;与Fe~ⅠFe~(Ⅱ)终端接触的BaTiO_3出现金属性,与(Fe~(Ⅱ))_2N终端接触的BaO和TiO_2分别呈现出p和n型掺杂;与Fe_4N接触的BiFeO_3呈现出金属导电。不同的电子结构和磁性来源于不同的界面成键。通过计算La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3与四方相BiFeO_3超晶格的解离能、能带结构、态密度和差分电荷密度,发现LaO-Fe(OB)_2结构最稳定,呈现出半金属性,它的磁电耦合强度强于正交相BiFeO_3的复合结构;Fe(OB)_2-SrO、Fe(OB)_2-MnO_2、BiOA-SrO和BiOA-LaO界面处存在的Fe和Bi的铁磁有序,表明存在交换偏置现象。通过计算Fe_4N/Si(Graphene)双层的结合能、能带结构、态密度、差分和平面差分电荷密度,发现强的Fe_4N-Si界面成键使得Si出现自旋极化;而弱的Fe~ⅠFe~(Ⅱ)、N与石墨烯界面相互作用使得石墨烯的费米能级相对于狄拉克点均向低能级转移,且后者更大的能量转移来源于石墨烯与N终端之间更大的功函数差。通过计算Fe_4N(Ⅲ)/MoS_2((?) ×(?))超晶格体系的解离能、能带结构、态密度、肖特基势垒高度和差分电荷密度,发现与Fe~ⅠFe~(Ⅱ)终端接触时,强的Fe-S化学键使得MoS_2出现自旋极化,当Mo坐落在Fe~Ⅰ原子上方的时候引起的磁矩最大(0.33μВ);与N终端接触时,弱的N-S界面成键使得界面处形成p型肖特基势垒且MoS_2带隙值增大。通过计算Fe-X6团簇掺杂单层MoS_2体系的能带结构、态密度和差分电荷密度,发现单个Fe和Fe-F_6掺杂使得4×4×1超胞的单层MoS_2显示出半金属性;Fe-C_6和Fe-N_6掺杂使得体系变为自旋无带隙半导体;Fe-O_6掺杂保留了体系的半导体性质。不同的电子结构和磁性是由Xp与Fe/Mod态的杂化导致的。(本文来源于《天津大学》期刊2015-05-01）
岑超[7]（2015）在《石墨烯与半导体界面电子转移的研究》一文中研究指出近年来,石墨烯由于其特有的物理化学性质在复合材料领域受到的越来越多研究者的关注。很多研究者发现,一些包含石墨烯材料的新型复合材料所具有的性质可以突破传统复合材料性质的理论极限,所以这种新型的复合材料必将取代传统的复合材料。特别是在光催化领域,科学家们一直致力于设计新型的光催化剂来提高光催化剂的催化效率。本文构建了graphene@Cu_2O(100):Pd这样的新型复合模型,以进行了第一性原理计算为理论基础,揭示了石墨烯与半导体氧化亚铜之间的电子转移机制以及复合结构的光吸收性质,找到了制约氧化亚铜光催化性能的原因,解决了半导体光催化剂表面电子-空穴对容易复合的问题,从而提高了半导体氧化亚铜光催化的稳定性。本文的创新之处在于利用石墨烯与氧化亚铜结合,并且用Pd原子在Cu_2O(100)面进行掺杂以增强石墨烯与氧化亚铜的相互作用。本文的研究结果对于光催化领域新型复合纳米结构的研究具有重要意义。本文的第一章主要讲述了本文的研究背景、目的意义和国内外的研究现状;第二章给出了密度泛函理论以及计算方法的相关介绍;第叁章研究的是Pd原子对于氧化亚铜光催化性能的影响;第四章研究的是石墨烯与氧化亚铜结合之后的新型复合结构的光催化性质;最后的第五章则是对本文研究的总结以及对今后工作的展望。基于石墨烯与氧化亚铜所形成的复合结构的光电性质的研究,我们得出了如下结论:第一,通过对不同Pd掺杂浓度的Cu_2O(100)面结构的光电性质研究,我们发现了由于Pd原子掺杂引入的新能级可以提高氧化亚铜电子-空穴对的分离能力,增加半导体的光催化效率。第二,在石墨烯结构吸附在Cu_2O(100)面上之后,石墨烯与Cu_2O(100)面形成肖特基势垒,这种势垒具有整流作用,可以有效的抑制Cu_2O(100)面上的电子-空穴对的复合,增加半导体光催化剂的稳定性。(本文来源于《贵州大学》期刊2015-05-01）
于海萍[8]（2015）在《有机半导体界面稳定性及光电耦合对界面浸润性的调控》一文中研究指出有机半导体薄膜是一种可以将光转化为电的光伏材料,由于其具有质量轻、柔性可折迭、卷对卷(Roll-to-roll)可大面积加工、溶液法廉价喷涂、分子可设计可裁剪等独特性,而成为成熟的无机硅光伏材料的有力竞争者。越来越多的研究者已经开始致力于有机材料寻找、合成和如何提高转换效率等方面的研究。然而,有机太阳能电池未来将面临的叁大挑战是：效率、稳定性和大面积生产。对于转换效率问题,被广泛关注,稳定性问题关注较少,然而有机半导体的物理与化学稳定性却从另一个方面也影响着转换效率,甚至直接构成其工业应用的制约问题。当前,人们对化学稳定性研究可以借助能谱、光谱以及2D/3D成像构建组分变化,而分析物理变化更多的是依赖原子力探针、电子显微镜等工具观测微相的空间分布与界面不均匀性。可喜的是,表面浸润性,一种既可以反映有机膜界面物理变化又能关联表面能(成分)变化的方法,是值得探索成为一种有效方法来研究有机膜的稳定性与均匀性问题。为了实现这样的想法,本论文对有机膜的形成、膜在基底上物理均一性、光电转换对界面能及接触角调控等逐步推进与深入,主要工作与结论包括：(1)首先,考察有机溶剂对PCBM与P3HT溶解性与溶剂蒸发速率的关系。本论文定性地分析了甲苯、氯仿和邻二氯苯对PCBM、P3HT溶解性的影响,及最终对有机膜的宏观形貌、微观结构的影响,确立了针对PCBM在邻二氯苯中具有很好的溶解性与蒸发成均匀性膜的良好匹配。(2)其次,对含有P3HT和PCBM两种高分子有机物的液滴在玻璃基底上蒸发沉积空间均匀性及对溶液浓度依赖性、空间限域性进行研究。实验发现：P3HT溶液液滴蒸发沉积层的“咖啡圈”边缘层厚度呈现对浓度的线性依赖关系；而PCBM溶液没有显着的依赖关系,却展示出沉积层形貌失稳对浓度有显着转变,发现并确定了一个临界浓度1%wt,高于此浓度PCBM溶液液滴沉积层呈完全无规则的形貌,而低于此临界浓度,沉积层呈现出较好的规则形貌。(3)再次,对由ITO/P3HT:PCBM组成的混合膜在UV光照下,非平衡载流子产生与复合过程中对其界面浸润性进行研究。不同光照时间下共混膜的表面物理形貌变化与化学变化,能够直接通过水滴在膜界面上的接触角来直观表征。本章讨论载流子寿命与水滴蒸发过程中水分子扩散的特征时间定量对比,确立了P3HT:PCBM界面上载流子寿命时间远小于水分子扩散特征时间,从而使得接触角变化不显着,阐明了载流子浓度、共混膜厚度与水分子扩散间的竞争机制。结果表明：UV光照后表面的浸润性并没有改变,AFM和XPS获得的信息说明表面粗糙度和化学成分未见改变。(4)最后,构建了ITO/ZnO/P3HT无机-有机复合界面结构,研究界面的浸润性在光电转换过程中的变化。惊奇的发现,P3HT在UV光照下,氧气的参与使得其增加了复合膜界面的负电荷的积累,从而调控了界面的浸润性,使其从疏水性(CA=111度)在光照下逐步转变成亲水性(CA=31度)。而且,这种转变完全是可逆的,即光照后的复合结构材料经过约100小时后,完全恢复到原来的状态,并可以重复实现这种疏水到亲水的转变。该结果提供了一种新型的光浸润方法,实现有机半导体膜在光流控中的应用前景。(本文来源于《西北大学》期刊2015-04-16）
徐余颛,石将建,吕松涛,朱立峰,董娟[9]（2014）在《一种通过调控金属-半导体界面提高钙钛矿型有机铅碘太阳能电池性能的简单方法》一文中研究指出钙钛矿型太阳能电池在过去几年中由于其高效率、低成本、制备工艺简单的特点而受到科学界非常广泛的关注。~1而在这一类钙钛矿型太阳能电池中,无空穴传输电池由于其省去了电池结构中相对成本最高的空穴传输层,简化了电池结构同时可以便于研究钙钛矿本身空穴传输性质,从而吸引了相当的研究关注。~(2-4)但是在这一类电池中存在一个金属-半导体界面CH_3NH_3PbI_3/Au。这一界面的性质对于钙钛矿半导体电池的电池性质具有很大的影响,因而我们发展了一种通过旋涂制备一层宽禁带的有机半导体(N,N,N',N'-tetraphenyl-benzidine)层来调控无空穴传输材料的钙钛矿型太阳能电池中的金属-半导体界面的方法。~5这一调控方法使得电池的平均光电转换效率由5.26%提高至了6.26%,并取得了最高达到6.71%的光电转换效率。通过阻抗谱和暗电流的分析,这一表面修饰可以提高CH_3NH_3Pb I_3/Au界面的界面阻抗并有效抑制这一金属-半导体界面上的电子复合过程。(本文来源于《第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会论文集》期刊2014-05-24）
徐华[10]（2014）在《氧化物薄膜晶体管研究》一文中研究指出近年来，氧化物薄膜晶体管(TFTs)由其在有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示中的潜在应用而受到了广泛的关注。传统的非晶硅TFTs由于迁移率较低、阈值电压漂移较严重，无法满足电流型驱动方式的OLED显示屏；而多晶硅TFTs虽然具有较高的迁移率和较好的稳定性，但是，其晶界的存在使得均匀性较差，从而影响了其在AMOLED显示中的应用，特别是在大尺寸显示屏中的应用。而氧化物TFTs，不但具有较高的迁移率，而且可见光透明、均匀性好、稳定性好，特别是可以低温制备，有望实现低成本的柔性显示。因此，开展氧化物薄膜晶体管的研究就有重大的现实意义。本论文首先对氧化物薄膜晶体管中有源层的制备条件进行探索，获得了各工艺参数对器件性能的影响。根据氧化物半导体的特点，重点研究了薄膜制备中的氧含量和溅射气压的影响；结合钝化层的沉积和后退火处理，研究了后退火温度和退火气氛对器件性能的影响。此外，针对源漏电极的沉积条件对器件性能的影响，详细研究了金属钼(Mo)电极和氧化铟锌(IZO)有源层的界面特性。发现随着溅射功率的增加，器件的阈值电压负向移动，迁移率降低。借助X射线光电子能谱，分析了Mo/IZO界面的扩散现象以及高功率对IZO薄膜的影响。为制备高性能的氧化物薄膜晶体管提供了指导方向。其次，背沟道刻蚀型薄膜晶体管由于具有相对简单的工艺，制备成本相对较低，在实际应用中具有巨大的吸引力。但是氧化物半导体和传统的硅基材料不同，其很容易被大部分刻蚀液刻蚀，较难实现该结构的氧化物薄膜晶体管。针对氧化物半导体耐酸碱等刻蚀液的能力较差，基于前面章节的研究结果，本论文通过采用多层钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)的源漏电极结构，以双氧水(H2O2)和低浓度的氢氧化钾(KOH，0.5wt%)分别作为Mo和Al的刻蚀液，制备了高性能的IZO-TFT。其饱和迁移率为11.3cm2V-1s-1，较小的亚阈值摆幅(0.24V/decade)，电流开关比大于108，在+10V和-10V的栅偏压下器件的阈值电压漂移量仅为0.4V和-0.2V。该Mo/Al/Mo电极结构不仅和有源层的接触良好，而且具备低电阻率和耐高温特性。H2O2对Mo和IZO具有较高的刻蚀选择比，而且对IZO的损伤较小；0.5wt%的KOH能较好地刻蚀Al而几乎不刻蚀Mo。本文还对H2O2刻蚀Mo薄膜的机理进行了分析，实现了以湿法背沟道刻蚀方案制备高性能氧化物薄膜晶体管。另外，本论文针对目前低温制备高质量的绝缘薄膜存在的问题，提出了低温阳极氧化法制备氧化铝(Al2O3)薄膜在柔性衬底上应用的可能，研究了其制备的关键工艺。对柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底上制备的Al2O3薄膜特性进行了详细的表征，其具有较好的台阶覆盖性和较低的表面粗糙度，特别是在较厚的栅极上制备绝缘层时有明显的优势；该Al2O3薄膜还表现出了优异的电特性和机械性能。总之，以阳极氧化法制备的Al2O3薄膜表现出和原子层沉积(ALD)方式制备的Al2O3薄膜相媲美的性能。另外，以阳极氧化法制备的栅绝缘薄膜被成功地应用到柔性薄膜晶体管的制备当中，所制备的薄膜晶体管表现出了良好的性能。本文还尝试了在柔性透明的PEN衬底上以阳极氧化的方式制备氧化铝(Al2O3)栅绝缘层薄膜阵列，基于前面对氧化物薄膜晶体管等方面的研究，成功制备了5inch的AMOLED彩色柔性显示屏。该显示屏不仅能正常显示静态图片，而且可以播放动态视频，在一定的曲率半径下，不会影响到显示效果；展现出了阳极氧化法制备的绝缘薄膜在低温和柔性电子领域的巨大应用潜力。最后，透明电极作为现代功能薄膜的重要组成部分，其图案化工艺更是决定了其应用的领域。众所周知，传统的氧化铟锡(ITO)薄膜随厚度增加而呈结晶特性，而结晶的ITO薄膜只能被强酸刻蚀，严重限制了其应用领域。为制备低阻值、低粗糙度、易刻蚀的透明电极，我们首先对ITO薄膜制备中各工艺参数的影响展开研究，获得了制备高性能透明导电ITO薄膜的关键参数。本论文首次采用多层的复合结构，以非晶透明的IZO薄膜作为插入层，有效地抑制了氧化ITO薄膜随着厚度增加呈结晶生长的特性。制备的多层复合薄膜不仅具有较低的电阻率(~2×10-4Ωcm)、高可见光透过率(~85%)、低表面粗糙度(~0.52nm)，而且可以被草酸等弱酸刻蚀。该方法解决了低阻透明导电薄膜不易刻蚀的难题，拓宽其应用领域。(本文来源于《华南理工大学》期刊2014-04-10）
半导体界面论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
飞行时间二次离子质谱仪(Time of flight secondary ion mass spectrometry,TOF-SIMS)对所有元素具有极高的检测灵敏度,应用此方法研究了经550℃退火处理,Au/AuBe/Au与GaP金属-半导体的各元素强度分布特性,依次分析金属表面、金属层内、金属-半导体界面、半导体内部,使用O2+正离子与Cs+负离子分析Au、Be、O、Ga、P五类元素在各层内的强度,观察金属层与半导体界面内Be、O、Au、P峰位置的各元素SIMS图,表明在金属表面3~10nm内含有Au、Be、O、Ga、P元素,在金属内部,O元素在AuBe层有明显分布,在半导体材料GaP层内含有Be、Au元素,且Be的扩散深度比Au要深,在AuBe层及界面处用XPS分析化学组分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体界面论文参考文献
[1].吴朝新,董化,冉晨鑫,郗俊,雷霆.钙钛矿半导体界面工程及其高效太阳能电池[C].2018第二届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会摘要集.2018
[2].肖和平,王宇.TOF-SIMS法研究金属-半导体界面[J].固体电子学研究与进展.2017
[3].何守杰.有机半导体界面载流子复合机制研究[D].云南大学.2017
[4].宋宏权.金属/半导体界面与固溶体合金的原子级模拟研究[D].北京科技大学.2017
[5].檀洪伟.基于金属—半导体界面光电效应的多功能信息存储器研究[D].中国科学院宁波材料技术与工程研究所.2016
[6].冯楠.Fe_4N/半导体界面的电子结构和磁性的第一性原理研究[D].天津大学.2015
[7].岑超.石墨烯与半导体界面电子转移的研究[D].贵州大学.2015
[8].于海萍.有机半导体界面稳定性及光电耦合对界面浸润性的调控[D].西北大学.2015
[9].徐余颛,石将建,吕松涛,朱立峰,董娟.一种通过调控金属-半导体界面提高钙钛矿型有机铅碘太阳能电池性能的简单方法[C].第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会论文集.2014
[10].徐华.氧化物薄膜晶体管研究[D].华南理工大学.2014
论文知识图
