导读:本文包含了掺硼金刚石薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:金刚石,薄膜,电化学,电极,废水,染料,基底。
掺硼金刚石薄膜论文文献综述
翟健[1]（2019）在《掺硼金刚石薄膜电极电化学消毒时基底材质对溴类副产物生成的影响》一文中研究指出掺硼金刚石薄膜电极(BDD)因具有较宽的电化学势窗、较低的背景电流、良好的电化学稳定性和耐腐蚀性特性,成为了电化学消毒技术的优选电极之一。BDD电极具有较强的电生羟基自由基(·OH)能力,同时使得溴类副产物的产生成为不可回避的问题。在掌握电消毒过程中溴类副产物生成规律的前提下,考察市售常见不同基底材质对于BDD电消毒过程中溴类副产物生成的影响,为BDD电消毒工艺设计时优选阳极材料提供技术参考,对于推动BDD电消毒技术规模化应用具有一定现实意义。本研究遴选市售最常见的叁种不同基底BDD电极(Ta/BDD、Nb/BDD和Si/BDD电极)为阳极,Pt电极为阴极构建电化学体系,采用材料表征(X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱)、电化学行为表征(循环伏安法、计时电流法、计时电量法、线性扫描伏安法)、电生活性物质捕获测定(·OH、·O_2~-)以及改变操作条件(初始溴离子浓度、电流密度、pH、温度、转速)对溴类副产物生成影响实验等方法,对相同制备工艺不同基底的BDD阳极体系下溴化物(Br~-)的转化过程进行考察,得到以下结论:(1)通过XRD和Raman光谱分析发现,Ta/BDD、Nb/BDD和Si/BDD电极的金刚石薄膜中,都出现了基底材质元素与碳元素的共熔现象(Ta-C、Nb-C、Si-C);Ta/BDD、Nb/BDD表面都出现大量的基底元素(Ta、Nb)与。而SEM实验结果结果与Debye-Scherrer公式和Tuinstra-Koenig公式差异也导致Ta/BDD、Nb/BDD、Si/BDD表面晶体尺寸有明显差异。基底元素与共熔成分对金刚石薄膜的渗入,改变了电极材料的导电性,可能会对不同基底的BDD电极电化学性能产生差异;(2)Ta/BDD、Nb/BDD、Si/BDD电极表面电化学行为表征结果显示,薄膜成分的异同使得叁种基底BDD电极的电化学特性有所差异。经过循环伏安扫描分析,叁种电极电势窗口依次为2.52V、2.39V和2.42V,Ta/BDD电极具有更强的氧化能力;计时电流和计时电量分析均显示在高浓度Br~-条件下,Ta/BDD、Nb/BDD电极反应电子数较Si/BDD电极更高,表面余量的差异则表现不明显;线性扫描伏安法中Ta/BDD电极的参与溴离子反应浓度最高。薄膜成分的差异使得Br~-在Ta/BDD、Nb/BDD电极表面更易发生氧化反应;(3)利用水杨酸和2,6-二氯靛酚钠等多种成分分别捕获叁种电极电解过程中·OH和·O_2~-的产率发现,叁种电生的主要活性物质均为·OH。活性物质生成总量由高到低顺序为Ta/BDD>Nb/BDD>Si/BDD电极。(4)对初始溴浓度、电流密度、pH、温度、转速等操作条件对不同电极溴类副产物转化速率的影响进行考察发现,初始溴离子浓度、电流密度对于叁种电极的Br~-转化速率都有较大的影响。pH实验中发现叁种电极的反应速率为:中性>弱碱性>强碱性>酸性。温度和转速对实验的影响较小,表明实验只要控制一定条件即可降低对溴类副产物转化速率的影响。不同共存离子对实验的影响表明Cl~-和CO_3~(2-)会对溴化物转化速率起到促进效果,SO_4~(2-)表现为抑制效果。(5)实际消毒实验中,叁种电极的消毒效果接近。叁种电极均能满足实验条件下的完全消毒效果。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-06-01）
胡靖源,马莉,朱成武,梅瑞琼[2]（2018）在《镍催化多孔掺硼金刚石薄膜电极的制备及其电化学氧化降解染料废水实验研究》一文中研究指出采用化学气相沉积技术在铌基体上制备了BDD/Nb薄膜电极,并通过高温镍催化处理和电化学处理,获得了多孔BDD/Nb薄膜电极;选用活性橙X-GN染料废水进行了模拟降解实验,探讨2种电极降解废水效果。结果表明:相比于BDD/Nb电极,多孔BDD/Nb电极的有效电极面积增加了2.8倍;在活性橙X-GN染料废水降解实验中,多孔BDD/Nb电极的降解效率显着提高,相对于BDD/Nb电极,色度移除速度提高约4倍,COD移除速度提高约3倍,电流效率提高约15.92个百分点,能耗降低近75%。(本文来源于《矿冶工程》期刊2018年06期）
胡靖源,马莉,朱成武,梅瑞琼,李伟[3]（2018）在《微观结构与降解温度对掺硼金刚石薄膜电极电氧化降解活性橙X-GN染料废水的影响》一文中研究指出目的探究电极微观结构与降解温度对掺硼金刚石(BDD)薄膜电极电化学降解活性橙X-GN染料废水的影响。方法通过HFCVD技术,在铌基体上分别沉积6、12、18 h的BDD薄膜,得到6-BDD/Nb、12-BDD/Nb、18-BDD/Nb电极,将叁种电极作为阳极,调控降解温度,分别对活性橙X-GN染料废水进行模拟电化学氧化降解实验。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、电化学工作站分析电极性能,用紫外可见光分光光度计测量废水的吸光度。结果随着沉积时间的延长,BDD薄膜电极表面微观结构改变,晶粒尺寸、表面粗糙度、掺硼量增加,sp3/sp2相比例升高。12-BDD/Nb、18-BDD/Nb电极的有效电极催化活性面积分别是6-BDD/Nb电极的2.6和2.8倍;常温下的降解效率分别提高1.3和1.5倍;能耗分别降低了10.8和22.6 kWh/m~3。温度升高,电极的降解速率加快,能耗降低且逐渐趋于一致,最终都低至5.5 kWh/m~3。结论沉积时间增加,可以改变BDD电极微观结构,提高其电化学和氧化降解性能,降解温度升高有利于提升电极的降解速率,并降低能耗。然而升高温度可以有效提升低效电极的降解效率,却对高效电极作用甚微。(本文来源于《表面技术》期刊2018年11期）
宋来洲,田彩利,卢红叶,刘媛,李海花[4]（2018）在《掺硼金刚石薄膜电极阳极电催化氧化苯酚废水研究》一文中研究指出应用XRD和Raman表征了掺硼金刚石(BDD)薄膜电极的组织结构,采用循环伏安法(CV)研究了电极的性能以及苯酚在其表面的电化学行为,评价了pH值、阳极电流密度、苯酚初始浓度以及电解质添加对苯酚降解效率的影响。结果表明BDD电极在0. 5 mol/L H_2SO_4和0. 5 mol/L Na_2SO_4溶液中电势窗口分别为3. 2 V和3. 3 V;苯酚初始浓度、电流密度和电解质对其降解效率皆有显着影响,Cl~-和SO_4~(2-)存在有助于苯酚氧化降解。在pH=3、电流密度为24 mA/cm~2,苯酚初始浓度为300 mg/L、支持电解质为0. 5 mol/L NaCl O_4、降解时间为120 min条件下,苯酚去除率达到85%,TOC去除率达到77%。苯酚氧化降解过程符合一级动力学方程。(本文来源于《燕山大学学报》期刊2018年05期）
高成耀,佟建华,边超,孙楫舟,李洋[5]（2018）在《锌、镉、铅离子在原位铋修饰掺硼金刚石薄膜电极上的传感分析》一文中研究指出以原位铋修饰掺硼金刚石薄膜电极为传感电极,利用阳极溶出伏安法对重金属离子Zn~(2+)、Cd~(2+)、Pb~(2+)进行同时检测分析。原位铋修饰掺硼金刚石薄膜电极可有效提高Zn~(2+)、Cd~(2+)、Pb~(2+)的溶出峰值电流。考察了p H值、扫描方式、电极硼掺杂浓度、富集电位等参数对检测分析的影响。在优化的实验条件下,原位铋修饰BDD电极对Zn~(2+)、Cd~(2+)、Pb~(2+)传感分析具有良好的特性,在10~300μg/L浓度范围内具有良好的线性度和重复性,检出限分别为0.56、0.32和0.75μg/L(S/N=3)。干扰实验结果表明,3种重金属的相互干扰较小,除Cu~(2+)外,水中常见离子对测定干扰较小。实际水样中,3种离子的回收率为92.0%~114.0%。(本文来源于《分析化学》期刊2018年02期）
王蕾[6]（2017）在《热丝化学气相沉积掺硼金刚石薄膜作为氧还原反应催化剂》一文中研究指出燃料电池是一种受到广泛关注的产电技术,具有清洁、环保、低排放等优点。但目前还未被工业广泛应用,其原因之一是燃料电池阴极的氧还原反应迟缓,动力学高度不可逆,需要催化剂催化反应。掺硼金刚石作为一种非金属催化剂,具有一定的催化性能,同时又可以保持金刚石的优异机械、热学和力学等性能,是很有前途的催化剂。但目前关于掺硼金刚石作为氧还原反应催化剂的机理研究以及影响因素研究并不全面。本文以掺硼金刚石中硼含量与石墨相含量对氧还原反应的影响为主要研究内容,展开了掺硼金刚石沉底的选择,掺硼金刚石催化剂的制备,硼含量的控制,石墨相含量的控制,形貌、结构、成分表征,以及电化学测试等的研究工作。采用热丝化学气相沉积法,在石墨片、钛片、硅片和硅粉上制备了金刚石薄膜。扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱分析发现石墨衬底上金刚石晶粒较完整,但X射线衍射和拉曼光谱分析很难将石墨衬底中的石墨相与金刚石薄膜中的石墨相区分。硅片衬底上金刚石晶粒完整,X射线衍射分析和拉曼光谱中金刚石峰较明显,但硅衬底导电性差。硅粉衬底上金刚石质量较差。以上衬底都不适合于本实验后续分析,而钛片衬底上金刚石质量较好,X射线衍射和拉曼光谱中金刚石峰明显,同时钛片导电性很好,适合于本实验后续测试分析。采用固体掺硼法,在钛片衬底上制备不同硼含量的掺硼金刚石薄膜。保持其他制备条件相同,硼含量通过改变硼源容器内径从而控制反应气氛中硼源浓度来控制。分析结果显示,金刚石中有原子级别的硼元素掺杂,随着硼源浓度的增加,掺硼金刚石晶粒尺寸逐渐减小,硼元素含量逐渐增加,金刚石(220)晶面比例下降,(111)晶面比例升高。氧还原反应电位没有明显变化,保持在-0.77 V附近,反应电流密度先增加后减小,这是由掺硼金刚石中的缺陷增加和台阶原子密度减小综合影响的结果。同时,计时电流测试显示出掺硼金刚石具有较好的耐久性和耐甲醇性。通过改变沉积气氛中碳源浓度比例(CH4/H2)来改变掺硼金刚石中石墨相含量,保持其他制备条件相同,得到石墨相含量不同的掺硼金刚石。测试结果显示,随着碳源浓度的增加,掺硼金刚石晶粒尺寸逐渐减小,晶界增加,石墨相含量增加。氧还原反应电流密度没有明显改变,反应电位随着石墨相含量的增加而向正向移动,这更加有利于反应的进行。综合分析可知,本实验最合适的衬底为钛片,掺硼金刚石中硼含量对氧还原反应催化反应中的电流密度有较大影响,石墨相含量对反应电位影响较大。掺硼金刚石在反应中有较好的耐久性,长时间反应性能稳定,同时抗甲醇毒化性好,很有希望成为氧还原反应的非金属催化剂。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-05-01）
张亚晴[7]（2017）在《掺硼金刚石薄膜电极电化学抑制和去除藻类的效果及机理研究》一文中研究指出水环境污染造成的湖泊等缓流水体富营养化而导致的藻类爆发等水华现象,严重影响水体生态环境和饮用水供水安全。因此,研究藻类控制和去除技术具有重要的学术和工程价值。针对藻类控制问题,本文以水华中的优势藻种—铜绿微囊藻为研究对象,以掺硼金刚石薄膜(BDD)电极为阳极,不锈钢电极为阴极,利用BDD电极良好的电化学特性研究BDD电极电化学氧化抑制藻细胞生长和直接去除藻类的效果,并研究了电化学氧化对藻细胞的灭活机制和杀藻过程中藻毒素的降解。BDD电极电化学氧化抑制藻细胞生长研究中,研究了可控因素电流密度、电解时间、极水比(A/V)、极板间距、初始pH和不可控因素初始藻细胞浓度、藻细胞生长期、离子浓度(-Cl、2-4SO、2-3CO、-3NO)对藻细胞生长抑制的影响。结果表明BDD电极抑藻效果随电流密度、A/V、电解时间的增加而增加,而随初始藻细胞浓度的增加而降低;极板间距对抑藻效果的影响不明显;初始pH为中性及酸性时BDD电极电化学氧化可完全抑制藻类生长;稳定期内藻类比对数增长期内藻类抑制效果好;-Cl浓度和2-4SO浓度与抑藻效果呈正相关;2-3CO浓度与抑藻效果呈负相关;-3NO浓度对抑藻效果影响不显着;且活性氯对培养后期藻细胞生长起主要抑制作用。BDD电极电化学氧化直接去除藻类的研究中,根据藻细胞去除率和能耗对直接除藻工艺参数中电流密度、A/V、极板间距、初始pH进行优化,确定最优工艺参数为:电流密度为17 mA/cm2、A/V为9.75 m-1、极板间距为0.7 cm、初始pH为7.0。藻细胞浓度和藻类生长期对除藻效果影响显着。在最优工况下处理初始藻细胞浓度为1.2×109~1.4×109个/L的对数生长期的藻类,电化学氧化灭藻呈一级动力学特征(k=0.0324,R2=0.997),电解90 min时耗能为37.69 kWh/m3,且能耗与电解时间呈现良好的线性关系。不同电流密度下溶液pH呈先降低后稳定的趋势,电导率和UV254吸光度值均呈现先升高后稳定的趋势,溶解氧(DO)呈先升高后稳定再降低的趋势。BDD电极电化学氧化破坏藻细胞结构和完整性,破坏藻细胞光合作用系统,影响藻细胞生长速率,扰乱藻细胞光合作用和呼吸作用。电化学氧化过程在破坏铜绿微囊藻的同时有效降解微囊藻毒素(MCs)。一定条件下,电解90 min时溶液中总MC-LR降解率可达91.17%,胞外MC-LR浓度呈先上升后下降趋势;胞内MC-LR和总MC-LR浓度不断下降;电化学氧化在降解MC-LR的同时,还可降解其他物质,并生成一些分子量更小的物质。(本文来源于《重庆大学》期刊2017-05-01）
席耀辉[8]（2017）在《掺硼金刚石薄膜的制备、修饰及应用性能研究》一文中研究指出作为优异的电极材料,掺硼金刚石(Boron-Doped Diamond,BDD)薄膜电极被应用于电化学氧化处理废水领域。与传统电化学氧化电极材料相比,BDD薄膜电极具有宽的电化学势窗、高的析氧过电位、低背景电流和良好的可逆性等优异的电化学性能。在对废水处理过程中具有目标降解物范围广、电流效率高、耐酸碱腐蚀、低吸附性及催化活性好等优点,同时BDD薄膜也是性能优异的电极衬底材料,可实现光催化性能优异TiO2的固定化,从而解决悬浮于溶液中的TiO2在光催化过程中存在易团聚、与废水分离困难、容易失去活性且回收处理不方便等问题。本文以制备出面积大、品级高、电化学性能优异及对模拟染料废水降解性能好的BDD薄膜电极和具备p-n异质结结构且界面结合好的纳米棒状TiO2修饰BDD复合电极材料为目标,采用微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)的方法合成BDD薄膜,通过水热法在BDD薄膜衬底上修饰TiO2纳米棒层,封装成电极材料后,研究其对模拟染料废水的降解。主要的研究结果如下:(1)以甲烷、氢气和乙硼烷为气源,在预处理过的(100)单晶硅衬底上采用MPCVD法制备BDD薄膜。通过表征,合成的BDD薄膜材料具有较低的电阻率,其值为2.84×10-3?·cm,作为p型半导体,其空穴浓度为1.03×1019 cm-3,迁移率达到214 cm2/v·s。显微结构观察发现该BDD薄膜呈多晶态,晶粒尺寸分布在10μm以下,薄膜厚度约为12μm,金刚石相含量高。通过循环伏安测试可以看出,BDD薄膜电极的电化学势窗较宽,酸性、中性和碱性条件下分别达到3.5 V、4.5 V和3 V,另外酸性和中性条件下析氧过电位达到2.3~2.5 V。(2)以钛酸丁酯为原料,超纯水为溶剂,浓盐酸为催化剂,采用水热法制备TiO2纳米棒修饰BDD复合薄膜材料。首先研究不同钛酸丁酯添加量条件下制备TiO2修饰金刚石单晶材料的最佳工艺,然后确定出钛酸丁酯添加量为1 mL时能够生长出均匀、致密,并与金刚石结合紧密的TiO2纳米棒层,最后按该工艺制备出具有p-n异质结结构的TiO2/BDD复合材料,其中TiO2形貌成纳米棒团聚而成的纳米束状,排列均匀、致密,晶型为金红石相,并且与BDD薄膜结合紧密。(3)研究了不同条件下多晶BDD电极对亚甲基蓝模拟染料废水的降解,Na2SO4作为支撑电解质,浓度值为2 g/L,电流密度设定为70 mA/cm2,在碱性环境中降解效果最优。在此基础上,研究了材料结构优化后的TiO2/BDD复合电极对活性艳红X-3B的降解。研究表明,BDD薄膜由于TiO2的引入,形成了具有p-n异质结结构的电极材料,由于二者光电协同效应,与BDD电极单独电化学氧化比较,对活性艳红的降解效率得到进一步提升。(本文来源于《郑州大学》期刊2017-04-01）
赵天奇[9]（2017）在《低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜制备及其图形化技术研究》一文中研究指出CVD金刚石薄膜具有高硬度、高热导率、良好的化学稳定性和生物兼容性等优良特性。普通CVD金刚石薄膜是绝缘的,采用掺杂工艺可以使其具有良好的导电性能,导电CVD金刚石薄膜在MEMS传感器领域具有广阔的应用前景。CVD掺硼金刚石薄膜中不可避免地存在残余应力,较大的残余应力会引起MEMS传感器结构失稳,弯曲甚至断裂。因此,研究低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的制备工艺对制造高性能MEMS传感器具有重要的理论意义和实用价值。CVD掺硼金刚石薄膜微悬臂梁结构在MEMS传感器中具有广泛应用,是加速度传感器、AFM探针、悬臂梁微生物传感器等传感器中的关键结构,其图形化结果受到薄膜残余应力的影响存在精度低、性能差、合格率低等问题。本文通过优化沉积工艺参数成功制备了低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜,利用图形化技术加工了CVD掺硼金刚石薄膜微悬臂梁,并对其性能进行测试。本文研究内容主要如下:推导了硅基CVD掺硼金刚石薄膜热应力随温度变化的理论计算公式,建立了CVD金刚石薄膜与硅衬底的接触模型,利用有限元仿真软件的瞬态热分析模块和静态结构分析模块模拟了薄膜冷却过程,分析了薄膜在冷却过程中的变形量和薄膜表面温度场随时间的变化,研究了热应力在薄膜半径方向上和厚度方向上的分布,并分析了预处理工艺、薄膜厚度和沉积温度对稳态热应力的影响。结果表明,沉积温度越高,冷却后的CVD掺硼金刚石薄膜热应力越小;在冷却过程中,CVD掺硼金刚石薄膜形状呈现“先凹后凸”的变化规律,薄膜表面温度分布均匀;增大薄膜厚度、提高沉积温度可以减小冷却后薄膜的热应力。基于控制变量法设计不同沉积工艺参数的对比试验,采用热丝CVD技术在硅片表面沉积CVD掺硼金刚石薄膜,使用拉曼光谱和X射线衍射技术对薄膜残余应力进行检测,依次分析了反应压力、碳源浓度、偏流强度和硼源浓度对CVD掺硼金刚石薄膜残余应力的影响,并提出了低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的优化沉积参数。结果表明:随着反应压力升高,CVD金刚石薄膜的残余压应力先减小后增大,在3.9kPa反应压力下,残余压应力达到最小值-314MPa;碳源浓度越高,金刚石薄膜的残余压应力数值越大;偏流强度增大,金刚石薄膜的残余压应力先减小后增加,当偏流强度为5A时,金刚石薄膜残余压应力达到最小值-209 MPa;硼源浓度越高,金刚石薄膜的残余压应力越大,硼源浓度为11000ppm时,金刚石薄膜的残余压应力达到最小值-209MPa;反应压力3.9kPa,碳源浓度2.20%,偏流强度5 A,硼源浓度1000 ppm为最优的沉积参数,使用该沉积参数可以制备低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜。设计了多种图形的光刻掩膜版,通过制作导电种子层、光刻、电镀、反应离子刻蚀和湿法腐蚀等方法,完成低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的图形化,得到微悬臂梁结构、角加速度测量结构、微型过滤器和声学振膜等结构,利用激光多普勒测振仪分别测量和计算了叁角形悬臂梁和U形悬臂梁的共振频率与品质因数,结合悬臂梁振动的理论模型,对比分析两种悬臂梁结构的特性。结果表明,图形化得到的U形悬臂梁和叁角形悬臂梁结构具有接近的共振频率,U形悬臂梁的品质因数高于叁角形悬臂梁,系统阻尼小于叁角形悬臂梁。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-01-01）
熊礼威,彭环洋,汪建华,崔晓慧,龚国华[10]（2016）在《PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展》一文中研究指出首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理)。研究发现,大多数研究者都采用液态和气态硼源,而固态硼源由于很难液化且浓度不易控制而不常被采用,掺B后NCD薄膜的电阻率急剧下降,紫外波段下透过率可达51%,磁阻效应变好。另外衬底温度对BD-NCD薄膜的质量以及性能都有影响,衬底温度太高,非晶碳含量增加,金刚石质量下降;衬底温度太低,能够进入NCD晶界或晶粒的有效硼原子减少,影响其电学性能、光学性能,在最佳衬底温度工艺下的电导率可达22.3 S/cm,而在电化学性能方面,其电化学窗口可达3.3 V。而选择合适的硼源浓度对BD-NCD的电性能、光学性能、生物性能也非常关键,硼源浓度过大,BD-NCD表面粗糙度和晶粒尺寸增大;硼源浓度过小,产生空穴进行导电的B原子就少,在合适硼源浓度工艺条件下其载流子浓度可达1021 cm-3,折射率可达2.45。还有研究者对BD-NCD薄膜进行后处理工艺(退火、等离子体处理等),发现后处理对其电性能也有一定的影响。因此,选择合适的工艺对生长质量高、性能优异的NCD薄膜尤为重要。最后对BD-NCD薄膜的发展以及后续研究方向进行了展望和期待。(本文来源于《表面技术》期刊2016年10期）
掺硼金刚石薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用化学气相沉积技术在铌基体上制备了BDD/Nb薄膜电极,并通过高温镍催化处理和电化学处理,获得了多孔BDD/Nb薄膜电极;选用活性橙X-GN染料废水进行了模拟降解实验,探讨2种电极降解废水效果。结果表明:相比于BDD/Nb电极,多孔BDD/Nb电极的有效电极面积增加了2.8倍;在活性橙X-GN染料废水降解实验中,多孔BDD/Nb电极的降解效率显着提高,相对于BDD/Nb电极,色度移除速度提高约4倍,COD移除速度提高约3倍,电流效率提高约15.92个百分点,能耗降低近75%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺硼金刚石薄膜论文参考文献
[1].翟健.掺硼金刚石薄膜电极电化学消毒时基底材质对溴类副产物生成的影响[D].太原理工大学.2019
[2].胡靖源,马莉,朱成武,梅瑞琼.镍催化多孔掺硼金刚石薄膜电极的制备及其电化学氧化降解染料废水实验研究[J].矿冶工程.2018
[3].胡靖源,马莉,朱成武,梅瑞琼,李伟.微观结构与降解温度对掺硼金刚石薄膜电极电氧化降解活性橙X-GN染料废水的影响[J].表面技术.2018
[4].宋来洲,田彩利,卢红叶,刘媛,李海花.掺硼金刚石薄膜电极阳极电催化氧化苯酚废水研究[J].燕山大学学报.2018
[5].高成耀,佟建华,边超,孙楫舟,李洋.锌、镉、铅离子在原位铋修饰掺硼金刚石薄膜电极上的传感分析[J].分析化学.2018
[6].王蕾.热丝化学气相沉积掺硼金刚石薄膜作为氧还原反应催化剂[D].大连理工大学.2017
[7].张亚晴.掺硼金刚石薄膜电极电化学抑制和去除藻类的效果及机理研究[D].重庆大学.2017
[8].席耀辉.掺硼金刚石薄膜的制备、修饰及应用性能研究[D].郑州大学.2017
[9].赵天奇.低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜制备及其图形化技术研究[D].上海交通大学.2017
[10].熊礼威,彭环洋,汪建华,崔晓慧,龚国华.PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展[J].表面技术.2016
论文知识图
