导读:本文包含了高线性论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:混频器,线性,刚度,法器,放大器,噪声,无源。
高线性论文文献综述
霍炜,李彦锋[1]（2019）在《基于电导线性技术的高线性折迭CMOS LNA》一文中研究指出给出低噪声放大器(LNA)设计策略,即使在非常低的电源电压下设计的LNA也可以取得卓越的性能。在高电源电压下,漏极电导非线性可以忽略,但是在低电源电压下,漏极电导非线性对LNA线性度的影响不可忽略。因而,采用多栅晶体管技术线性化跨导,并且利用LC折迭共源共栅结构来得到高的漏极电导线性度。基于0.13μm CMOS工艺对所提出的900 MHz LNA进行设计,测试结果表明,在0.6 V电源供电,1.26 MW功耗消耗下,LNA取得了15 dB的增益,1.74 dB的噪声系数,3.8 dBm的输入叁阶截止点。(本文来源于《微型电脑应用》期刊2019年11期）
蒋炜,谭庆贵,赵尚弘,梁栋,李小军[2]（2019）在《一种低相噪高线性度宽带微波光子直接下变频方法》一文中研究指出本文结合光电振荡器(OEO)、光域预失真补偿和数字线性化补偿技术,给出了一种低相噪高线性度宽带微波光子直接下变频方案并进行了相关的实验验证。来自于OEO的光26GHz本振信号和接收到的30GHz射频信号一起馈送至双重并行马赫增德尔调制器(DPMZM),通过适当的偏置点控制,该DPMZM完成光域预失真补偿及混频,DPMZM输出信号经光电转换后得到下变频信号,该信号随后经数字线性化补偿进一步抑制交调失真,得到高线性度的下变频电信号。实验结果表明该方案在实现宽带微波信号变频(30至4GHz变频)的同时,变频无杂散动态范围达126dB·Hz2/3以上,具有大动态、高线性特性。此外,该技术方案的变频增益优于-10dB,噪声系数为23.5dB,具有良好的变频系统性能。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年04期）
刘廷敏[3]（2019）在《一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计》一文中研究指出本文提出了一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器(LNA)。通过互补CMOS并联推拉结构的采用,抵消掉二阶互调失真分量(IMD2)。改进的噪声抵消电路也可以有效地抑制叁阶互调失真分量(IMD3)。虽然噪声和失真的最优化抵消点不同,但是噪声系数并没有恶化。基于标准的90 nm CMOS工艺对LNA进行流片实现,该LNA在0. 1～3. 9 GHz频段内,取得了21. 5～24. 3 dBm的二阶输入截止点,2. 6～3. 8 dBm的叁阶输入截止点,13. 6 d B的最大功率增益,1. 9～3. 8 dB的噪声系数。该LNA在1. 1 V电压的供电下,消耗了19. 5 m W的功耗,芯片面积仅为0. 0095 mm~2。(本文来源于《中国电子科学研究院学报》期刊2019年07期）
曲韩宾,高思鑫,张晓朋,高博[4]（2019）在《一种高线性无源双平衡混频器》一文中研究指出设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间。基于0.35μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm。流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入叁阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3 V,功耗为112 mW。该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年06期）
刘旭波,张润哲,胡勤莲[5]（2019）在《宽调谐高线性超短波电调滤波器的设计与实现》一文中研究指出为减小多通道接收机中预选滤波器的体积,并提高其扫描滤波的精准性,依据电调滤波器技术具有连续调谐选通的特点,对电路结构进行优化,即增加耦合元件、变换耦合模式、引入阻抗变换,同时进行仿真分析,设计了一种插入损耗小、调谐范围宽、选择性高的电调滤波器电路机构来替代传统的亚倍频程滤波器。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2019年03期）
戴鹏辉[6]（2019）在《宽域高线性度阵列组合式磁负刚度机构分析与设计》一文中研究指出宽域近零超稳减振是保证高端制造/测量装备、航空航天航海重大装备中尖端光电设备等正常运行的关键。近零刚度和大承载力难以兼顾的矛盾,是有限空间内高性能减振装置设计面临的共性技术挑战。引入负刚度机构与正刚度机构并联是保证承载力的前提下降低减振频率、提升减振性能的好方法。然而,常规磁负刚度机构的刚度存在宽域线性度差的问题,由此导致减振频率难以达到近零、减振稳定性不足,严重滞后于高端装备的发展需求。本文依托国家科技重大专项和国家自然科学基金,针对精密减振系统大承载、高稳定性的需求,提出了一种具有宽域高线性度特性的阵列组合型磁负刚度机构,有效地解决了磁负刚度技术在减振领域面临的问题。基于对传统磁负刚度机构的分析,提出了由吸力型和斥力型磁负刚度机构并联组成的组合型磁负刚度机构,推导了其磁力解析表达式。通过数值计算对比发现,相比于单纯的吸力型磁负刚度机构,组合型磁负刚度机构线性度小于10%的线性域提高了228.6%,相比于斥力型磁负刚度机构提高了253.8%,实现了宽域高线性度的磁负刚度特性。基于对阵列式磁负刚度机构的建模和分析,提出了阵列组合型磁负刚度机构,推导了其磁力解析表达式。通过数值计算对比发现,阵列组合型磁负刚度机构的负刚度值相比于阵列吸力型磁负刚度机构提高了127.7%,相比于阵列斥力型磁负刚度机构提高了181.3%,实现了宽域高线性度前提下的较大负刚度。根据减振系统实际需求,设计了磁负刚度机构。开展了磁负刚度机构静刚度测量实验和减振性能测试实验,实验证明阵列组合型磁负刚度机构使线性度小于5%的线性域从2.5mm提高到了10mm以上,阵列式磁负刚度机构的负刚度值比传统的负刚度机构提高了47%。在53.74Kg负载的情况下,安装负刚度机构使减振系统的固有频率从6.00Hz降低到了1.25Hz,抵消了系统正刚度95.66%,证明了宽域高线性度磁负刚度机构能有效降低减振系统固有频率,并具有较高的稳定性。本文研究成果是2018年湖北省技术发明一等奖“纳米精度制造与测量中的近零刚度减振技术与装置”的一部分,该技术现已被浸没式光刻机减振系统和量子通信天线减振系统所采纳。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-05-13）
王涛,周明珠,王博威[7]（2019）在《CMOS高线性度非对称式SPDT开关的设计》一文中研究指出介绍了一种具有高线性度非对称式单刀双掷开关,本电路在传统对称式电路结构的基础上进行优化,对称式结构的其中一条支路上增加可变阻抗模块,这种非对称式结构可以满足开关在发射模式下对高功率处理容量的要求。该非对称式工作在15GHz时,在发射模式下,插入损耗为1.9dB,隔离度为18dB,输入1dB压缩点为26dBm,回波损耗S11、S22分别为-21dB和-18dB;在接收模式下,插入损耗为1.4dB,隔离度为21dB,输出1dB压缩点为7.6dBm,回波损耗S11、S22分别为-28 d B和-18dB。(本文来源于《科技风》期刊2019年12期）
聂恩泽[8]（2019）在《基于0.18μm CMOS工艺高线性度混频器芯片的设计》一文中研究指出无线通信射频收发系统与人类的生活环境息息相关,其广泛应用于GPS、卫星电话、WLAN、RFID、卫星定位导航和雷达等方面。随着通信技术的不断发展,人们对集成收发芯片的大小、功耗及性能的要求日益提升。而频率转换是收发系统芯片中不可或缺的。在接收机中,为了实现信号的处理和信息的获取,射频信号需要转换到中低频率以便工作;在发射机中,把中低频信号调整成射频信号,以达到传输目的。混频器是用于执行频谱搬移的模块,并且在无线收发机系统中具有必不可少的功能。混频器设计的重要性也反映在其线性度决定了收发机系统的动态范围,其噪声系数影响着整个系统的灵敏度,转换增益也有助于提高整个系统的增益大小。本文设计了基于TSMC 0.18μm CMOS标准工艺的无线通信射频接收芯片中的下变频混频器芯片,主要包括混频器电路、本振缓冲器、反相器电路等模块。其中混频器电路采用混合电路,工作方式与有源混频器类似,由电流控制开关管,前级跨导由巴伦注入信号,在降低了对本振输入功率的要求的同时,保证了线性度;其结构上采用无源形式,减少了跨导管的损耗,提高了转换增益,降低了噪声系数。本振缓冲器将单端信号转为差分信号,提高本振信号幅度并减小本振信号传输到混频器模块的损耗,调节其性能;反相器将本振信号的波形整形,变为标准的方波输出信号进入混频器。在cadence软件环境下对混频器芯片整体进行了电路前仿真、版图设计和后仿真,并在台积电半导体制造公司对混频器芯片进行了流片生产,其流片的成片面积为0.8*0.52 mm~2。后仿真结果表明:混频器芯片工作在1.8V电源电压,RF输入频率范围2000MHz-5000MHz,IF输出典型值为200MHz,转换增益最小值为5.5dB,双边带噪声系数典型值为8.8dB,输入1dB压缩点典型值为13.6dBm。流片后成片的测试结果符合指标要求,可投入接收机框架中使用。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-03）
文枭鹏,张为,刘艳艳[9]（2019）在《无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器》一文中研究指出物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长。延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点。为解决射频前端功耗和线性度的问题,提出了一种改进型的吉尔伯特混频器。相比于传统吉尔伯特混频器,该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构,结合了电流复用技术和导数迭加技术,实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗,抵消了寄生电容的影响,从而在低功耗情况下提高了线性度。基于HHNEC 0.18μm Bi CMOS工艺后仿真结果表明,该混频器在射频频率0.4～3 GHz时转换增益为6.2～7.6 d B,在2.4 GHz频率下输入叁阶交调点(input third-order intercept point,IIP3)为14.96 d Bm,在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 m W。该混频器核心电路尺寸为460μm×190μm。与相关工作对比,该混频器具有低功耗、高线性度的特点。(本文来源于《重庆邮电大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
解鸿国,颜菱[10]（2019）在《新型高线性低功耗CMOS电调谐电流放大器研究》一文中研究指出提出了一种新型的基于电流乘除法器的CMOS电调谐电流放大器。该电路工作在很低的供电电压(±1.2 V)下,电路增益持续可编程,线性调谐范围宽。这种电流放大器的电流增益可以通过调节直流偏置电流而精确地控制。该电路采用0.35μm CMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果证实了提出的电流放大器在线性度、频响、噪声、电调谐性和功耗方面的良好特性。(本文来源于《广东通信技术》期刊2019年02期）
高线性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文结合光电振荡器(OEO)、光域预失真补偿和数字线性化补偿技术,给出了一种低相噪高线性度宽带微波光子直接下变频方案并进行了相关的实验验证。来自于OEO的光26GHz本振信号和接收到的30GHz射频信号一起馈送至双重并行马赫增德尔调制器(DPMZM),通过适当的偏置点控制,该DPMZM完成光域预失真补偿及混频,DPMZM输出信号经光电转换后得到下变频信号,该信号随后经数字线性化补偿进一步抑制交调失真,得到高线性度的下变频电信号。实验结果表明该方案在实现宽带微波信号变频(30至4GHz变频)的同时,变频无杂散动态范围达126dB·Hz2/3以上,具有大动态、高线性特性。此外,该技术方案的变频增益优于-10dB,噪声系数为23.5dB,具有良好的变频系统性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高线性论文参考文献
[1].霍炜,李彦锋.基于电导线性技术的高线性折迭CMOSLNA[J].微型电脑应用.2019
[2].蒋炜,谭庆贵,赵尚弘,梁栋,李小军.一种低相噪高线性度宽带微波光子直接下变频方法[J].真空电子技术.2019
[3].刘廷敏.一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计[J].中国电子科学研究院学报.2019
[4].曲韩宾,高思鑫,张晓朋,高博.一种高线性无源双平衡混频器[J].半导体技术.2019
[5].刘旭波,张润哲,胡勤莲.宽调谐高线性超短波电调滤波器的设计与实现[J].磁性材料及器件.2019
[6].戴鹏辉.宽域高线性度阵列组合式磁负刚度机构分析与设计[D].华中科技大学.2019
[7].王涛,周明珠,王博威.CMOS高线性度非对称式SPDT开关的设计[J].科技风.2019
[8].聂恩泽.基于0.18μmCMOS工艺高线性度混频器芯片的设计[D].电子科技大学.2019
[9].文枭鹏,张为,刘艳艳.无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器[J].重庆邮电大学学报(自然科学版).2019
[10].解鸿国,颜菱.新型高线性低功耗CMOS电调谐电流放大器研究[J].广东通信技术.2019
论文知识图
