一种具有高开口率的液晶面板论文和设计-不公告发明人

全文摘要

本实用新型提供的一种具有高开口率的液晶面板，包括设置在液晶面板上的像素电极和与像素电极连接的MOS管，还包括连接线、设置源极驱动线的第一金属层以及设置公共电极的第二金属层；第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，所述平坦层与MOS管对应的位置处设有连通第一金属层和第二金属层的第一通孔，所述平坦层与每一条源极驱动线的对应位置处分别设有多个第二通孔；所述连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与像素电极对应的MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。本实用新型通过上述结构，能够减少第一金属层中SD走线的布线空间，能够增大像素的面积，从而增大开口率，提升液晶面板的显示效果。

主设计要求

1.一种具有高开口率的液晶面板，包括设置在液晶面板上的像素电极和与像素电极连接的MOS管，其特征在于，还包括连接线、设置源极驱动线的第一金属层以及设置公共电极的第二金属层；第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，所述平坦层与MOS管对应的位置处设有连通第一金属层和第二金属层的第一通孔，所述平坦层与每一条源极驱动线的对应位置处分别设有多个第二通孔；所述连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与像素电极对应的MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。

设计方案

1.一种具有高开口率的液晶面板，包括设置在液晶面板上的像素电极和与像素电极连接的MOS管，其特征在于，还包括连接线、设置源极驱动线的第一金属层以及设置公共电极的第二金属层；

第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，所述平坦层与MOS管对应的位置处设有连通第一金属层和第二金属层的第一通孔，所述平坦层与每一条源极驱动线的对应位置处分别设有多个第二通孔；所述连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与像素电极对应的MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有高开口率的液晶面板，其特征在于，位于所述第二金属层中的所述连接线与设置在第三金属层上的栅极驱动线相互平行。

3.根据权利要求1所述的一种具有高开口率的液晶面板，其特征在于，所述连接线嵌入设置在第二金属层中，且其在水平面的投影与栅极驱动线重合。

4.根据权利要求2所述的一种具有高开口率的液晶面板，其特征在于，多个像素电极呈阵列分布的设置在所述第一金属层上，多条栅极驱动线呈行分布的设置在所述第三金属层上，多条源极驱动线呈列分布的设置在所述第一金属层。

5.根据权利要求4所述的一种具有高开口率的液晶面板，其特征在于，所述MOS管为N沟道MOS管，所述MOS管与像素电极的个数相等，多个MOS管与多个像素电极一一对应；

第一行栅极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a11、a13、a14和a16连接；第二行栅极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a12和a15连接；第三行栅极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a21、a22、a25和a26连接；第四行栅极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a23和a24连接；

第一列源极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a11和a22连接；第二列源极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a12、a14、a21和a23连接；第三列源极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a13、a15、a24和a26连接；第四列源极驱动线分别通过与像素电极对应的MOS管与a16和a25连接；相邻源极驱动线极性相反；

其中，aij表示第i行的第j列的像素电极，栅极驱动线与源极驱动线的条数相同，且均为4的正整数倍；所述i取值范围为：设计说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶面板技术领域，尤其涉及一种具有高开口率的液晶面板。

背景技术

采用HSD(Half Source Driver，半源驱动方式)技术实现dot显示时，虽然可以使source驱动IC的尺寸变得更小，即data走线(数据传输金属走线)变成了一般驱动IC的一半，但是因为其gate数目是一般显示屏面板的两倍，且TFT的SD(source极和drain极)走线也占用显示平面的面积，因此显示屏的开口率会有所降低。如图1所示它是其中一种HSD显示面板Layout的俯视图：其source走线和TFT的SD走线都在Metal 2中，gate走线在Metal1。两条gate走线之间的距离d较大(此部分不显示画面)。这样的Layout方式会减小像素的面积大小，从而使开口率变低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：本实用新型提供了一种具有高开口率的液晶面板。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有高开口率的液晶面板，包括设置在液晶面板上的像素电极，还包括连接线、设置源极驱动线的第一金属层以及设置公共电极的第二金属层；

本实用新型的有益效果为：

本实用新型提供的一种具有高开口率的液晶面板，第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，平坦层与MOS管以及源极驱动线对应的位置处分别设有第一通孔和第二通孔；连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。本实用新型在HSD Layout技术的基础上，将连接线，即SD走线，其设置在第二金属层上，SD走线一端通过第一金属层和第二金属层之间的通孔与像素电极对应的MOS管连接，SD走线另一端通过第二通孔与源极驱动线连接，通过上述结构，能够减少第一金属层中SD走线的布线空间，能够增大像素的面积，从而增大开口率，提升液晶面板的显示效果。

附图说明

图1为根据本实用新型背景技术中的HSD面板中部分的俯视图；

图2为根据本实用新型实施例的一种具有高开口率的液晶面板的结构示意图；

图3为根据本实用新型实施例的一种具有高开口率的液晶面板的像素排列示意图；

图4为根据本实用新型实施例三中的一种具有高开口率的液晶面板的像素排列示意图；

图5为根据本实用新型实施例三中的一种具有高开口率的液晶面板的结构示意图；

图6为根据本实用新型实施例三中的三层金属层之间的结构示意图；

图7为根据本实用新型实施例三中的改进后局部像素排列示意图；

标号说明：

1、栅极驱动线；2、源极驱动线；3、MOS管；4、a11；5、a12；6、a13；7、a14；8、a15；9、a16；10、a21；11、a22；12、a23；13、a24；14、a25；15、a26；16、第一金属层、17、第二金属层；18、第三金属层；19、平坦层；20、连接线。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

本实用新型最关键的构思为：第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，平坦层与MOS管以及源极驱动线对应的位置处分别设有第一通孔和第二通孔；连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。

请参照图2至图3，本实用新型提供了一种具有高开口率的液晶面板，包括设置在液晶面板上的像素电极和与像素电极连接的MOS管，还包括连接线、设置源极驱动线的第一金属层以及设置公共电极的第二金属层；

从上述描述可知，本实用新型提供的一种具有高开口率的液晶面板，第一金属层和第二金属层之间具有平坦层，平坦层与MOS管以及源极驱动线对应的位置处分别设有第一通孔和第二通孔；连接线设置在第二金属层上，其一端通过第一通孔与MOS管连接，其另一端通过第二通孔与源极驱动线连接。本实用新型在HSD Layout技术的基础上，将连接线，即SD走线，其设置在第二金属层上，SD走线一端通过第一金属层和第二金属层之间的通孔与像素电极对应的MOS管连接，SD走线另一端通过第二通孔与源极驱动线连接，通过上述结构，能够减少第一金属层中SD走线的布线空间，能够增大像素的面积，从而增大开口率，提升液晶面板的显示效果。

进一步的，位于所述第二金属层中的所述连接线与设置在第三金属层上的栅极驱动线相互平行。

从上述描述可知，通过上述结构，使栅极连接线与布置在第二金属层中的连接线(SD走线)相互平行，能够使液晶面板的布线更加紧凑。

进一步的，所述连接线嵌入设置在第二金属层中，且其在水平面的投影与栅极驱动线重合。

从上述描述可知，通过上述结构，使SD走线在水平面的投影与栅极驱动线重合，最大限度地利用液晶面板的使用空间。

进一步的，多个像素电极呈阵列分布的设置在所述第一金属层上，多条栅极驱动线呈行分布的设置在所述第三金属层上，多条源极驱动线呈列分布的设置在所述第一金属层。

从上述描述可知，通过上述结构设置方式，能够提高液晶面板的空间利用率。

进一步的，所述MOS管为N沟道MOS管，所述MOS管与像素电极的个数相等，多个MOS管与多个像素电极一一对应；

其中，aij表示第i行的第j列的像素电极，栅极驱动线与源极驱动线的条数相同，且均为4的正整数倍；所述i取值范围为：设计图

一种具有高开口率的液晶面板论文和设计

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主设计要求

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