界面态论文_郭翊航,赵丽明

导读:本文包含了界面态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:界面,阈值,绝缘体,拓扑,晶体管,光子,磁场。

界面态论文文献综述

郭翊航,赵丽明^[1]（2019）在《一维光子晶体异质结的界面态研究》一文中研究指出本文利用狄拉克点方法研究了一维光子晶体异质结(AB)_m(CD)_m的界面态,通过调节体系的参数,探讨了存在界面态的极限条件.研究了存在界面态的范围,给出了对称条件下异质结界面态的透射率随折射率的变化关系,发现对于每一组固定的(AB)_m都能找到相应的最佳(CD)_m结构,使得界面模透过率为1.(本文来源于《首都师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年05期）

刘欢,刘婷,樊亚仙,陶智勇^[2]（2019）在《复合波导中界面态的相位调控研究》一文中研究指出0引言在周期结构波导中,由于波与结构的相互作用,能量会在特定频率范围内明显衰减,从而表现出频域禁带。波导中相同径向模式间产生的共振称为布拉格共振,其共振频率与周期长度有关[1],将具有不同周期长度的结构复合就可以得到多禁带复合波导,并可以对特定的禁带进行独立调控。连接具有不同拓扑性质的两个波导,可以使禁带中某个频率的能量在连接处产生局域化,称为界(本文来源于《2019年全国声学大会论文集》期刊2019-09-21）

刘婷,刘欢,樊亚仙,陶智勇^[3]（2019）在《非布拉格禁带中的非平凡拓扑界面态》一文中研究指出0引言在凝聚态物理中,拓扑绝缘体[1]和拓扑超导体等[2]可以用拓扑来进行分类。若两个拓扑绝缘体的拓扑相位不同,那么在它们的分界面上便会出现非平凡拓扑界面态。在近几年的研究中,拓扑相变被广泛用于分析其他带隙结构中,例如周期结构[3]和准周期结构[4]。与拓扑绝缘体产生界面态的原理相类似,连接两种不同拓扑相位的周期结构或准周期结构,也会在这两种结构的界面处产生非平凡拓扑(本文来源于《2019年全国声学大会论文集》期刊2019-09-21）

冯陆洋,黄宏波,霍绍勇,陈久久^[4]（2019）在《磁场诱导的可调兰姆波拓扑界面态》一文中研究指出0引言,拓扑界面态由于其独特的场限制和场增强特性而受到了越来越多研究者的关注[2]。最近,通过合理设计拓扑性质不同的声子晶体组合结构,实现了声波和弹性波的拓扑界面态[3,4]。然而,这些拓扑界面态在结构形成之后就固定到特定的频率,这严重限制了它的应用。实现拓扑界面态的主动调节,对于拓扑器件的功能增强,是非常有意义的。本文基于磁弹性材料的磁场可调特性,设计了磁场诱导的可调兰姆波拓扑界面态。通过调节外磁(本文来源于《2019年全国声学大会论文集》期刊2019-09-21）

高冬^[5]（2019）在《一维光子结构中界面态及通带相位的研究》一文中研究指出随着半导体技术的发展,微电子集成技术已经取得飞速发展,而光子有着相比于电子更加高速的信息传递特性,各类光子结构的尺寸使其在集成中更具优势,因此基于光子结构的各类微纳光子器件将对未来全光集成技术的发展具有重要的应用意义。而一维光子结构作为最简单的人工电磁结构,易于制备、更具实用意义。本文利用传输矩阵法,模拟分析了一维层状光子结构的带隙光谱及反射相位,通过两个光子结构的组合研究了在带隙中产生界面态的条件,并计算研究了界面态在带隙内的调控特性,这一研究结果对极窄带滤波片等光路调制元件具有重要的应用意义;另外,将层状光子结构等效为具有Fano共振特征折射率的介质膜层,基于法布里-珀罗(F-P)干涉提出有效介质理论,对层状光子结构通带内的反射相位进行了计算研究,为光子结构的相位调控测量提供了思路和理论指导。主要工作包括以下几方面:1、介绍了光子带隙结构的基本概况,分析了光子能带结构不同的理论研究方法;并重点介绍了一维层状光子结构的制备方法及其典型应用。2、基于介质膜层的传输矩阵,分析了层状光子结构的带隙谱及相位计算方法;分别计算了结构参数相同而对称中心不同的一维反转对称层状光子结构的带隙谱及反射相位;并在此基础上通过两个光子结构的组合,研究了一维反转对称层状结构中产生界面态的条件及规律。结果表明,若两个光子带隙内结构的反射相位和等于零,则其组合结构在相应的频率处出现界面态;对于由两个反转对称层状结构构成的组合结构,其在所有奇数带隙中心处均会产生界面态,而偶数带隙内没有界面态。3、在一维反转对称光子结构的基础上,打破两个层状结构的反转对称性,研究了其组合结构产生界面态的条件。计算表明若两个非对称层状结构在组合界面处的反射相位和等于零,则其组合结构在相应的频率处仍然会出现界面态,而且在所有带隙内都会出现界面态;另外,若连续改变组合交界面处两种介质的膜层厚度,界面态出现的位置在整个带隙内可以实现调控,且具有与其带隙序号相同的调控周期数。4、通过对层状光子结构的能带结构及有效折射率的分析,提出一种具有Fano共振特征的色散关系式对有效折射率进行拟合;并在此基础上将层状光子结构等效为折射率为n_(eff)的均匀介质膜层,利用F-P干涉原理拟合分析了结构的反射相位,获得了与传输矩阵法一致的结果,这为光子结构通带内的相位测量提供了思路。(本文来源于《青岛科技大学》期刊2019-06-04）

吴康敬,高明,陈东运,赵磊,马忠权^[6]（2019）在《磁控溅射功率对ITO/SiO_x/n-Si器件以及界面态的影响》一文中研究指出利用射频磁控溅射工艺制备ITO/SiO_x/n-Si结构的异质结太阳能电池,在标准AM1.5G太阳光照射下,器件表现出良好的光伏特性,最高转化效率为9.63%,其中开路电压为0.45V,短路电流为29.26mA/cm~2,填充因子为71.2%。ITO和n-Si的功函数之差是SIS器件中成功建立内建电势的直接原因,n-Si基体表面的能带弯曲形成的反型层,使SIS异质结器件具有类p-n结的结构~([1])。界面态的存在是异质结器件的固有属性,且界面态的大小对器件的光电性能优劣有着重要影响,对于所研究的SIS器件,在溅射过程ITO/n-Si的界面区会自然形成超薄氧化硅钝化层,其厚度小于2nm。因此我们通过调控不同的沉积工艺参数(如功率,压强等),对器件的界面态进行研究。在构建的ITO/SiO_x/n-Si结构器件中,具有钝化和隧穿作用的超薄氧化硅层对器件性能起着重要的作用,并理论上证实在界面层中形成的In-O-Si叁元杂化物能减低隧穿势垒高度和减少氧空位,促进光生载流子的传输且阻止电子空穴的复合~([2])。针对超薄氧化硅的厚度,我们采用光辅助高频C-V法进行估算不同条件下器件的平均界面态密度~([3]),比较光照和黑暗下的C-V曲线,分析界面态对光生载流子复合的影响,从而推断出界面态密度的变化范围。开路电压随功率的增加而增大,然而平均界面态密度会逐渐减小,说明溅射功率的变化会引起界面层化学成分及物相的改变,等离子体中载能粒子束(原子/离子)轰击和紫外辉光会对超薄SiO_x层原子成键和电子态造成一定程度的损伤,从而影响器件的光伏性能。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）

李茂林,陈万军,王方洲,施宜军,崔兴涛^[7]（2019）在《高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT》一文中研究指出采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10~(11) cm~(-2))。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年04期）

肖和平,王瑞瑞^[8]（2019）在《表面处理降低GaAs界面态密度的研究》一文中研究指出GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。(本文来源于《电子器件》期刊2019年01期）

窦亚梅,韩伟华,杨富华^[9]（2018）在《硅纳米线界面态的化学钝化方法概述》一文中研究指出分析了界面态对硅无结纳米线晶体管(JNT)亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸(HF)腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀钝化。HF钝化方法以氢饱和硅表面悬挂键来减少其表面界面态,TMAH钝化方法则通过各向异性腐蚀形成Si—O键。化学处理后得到了光滑的硅纳米线晶面表面结构,从而有效地抑制界面态对电导率的影响,使器件达到理想的亚阈值摆幅。研究结果表明,利用化学腐蚀钝化方法优化界面态,能够有效改善硅纳米线晶体管的性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年09期）

王芳芳,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊^[10]（2018）在《DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度》一文中研究指出直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2018年07期）

界面态论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

0引言在周期结构波导中,由于波与结构的相互作用,能量会在特定频率范围内明显衰减,从而表现出频域禁带。波导中相同径向模式间产生的共振称为布拉格共振,其共振频率与周期长度有关[1],将具有不同周期长度的结构复合就可以得到多禁带复合波导,并可以对特定的禁带进行独立调控。连接具有不同拓扑性质的两个波导,可以使禁带中某个频率的能量在连接处产生局域化,称为界

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

界面态论文参考文献

[1].郭翊航,赵丽明.一维光子晶体异质结的界面态研究[J].首都师范大学学报(自然科学版).2019

[2].刘欢,刘婷,樊亚仙,陶智勇.复合波导中界面态的相位调控研究[C].2019年全国声学大会论文集.2019

[3].刘婷,刘欢,樊亚仙,陶智勇.非布拉格禁带中的非平凡拓扑界面态[C].2019年全国声学大会论文集.2019

[4].冯陆洋,黄宏波,霍绍勇,陈久久.磁场诱导的可调兰姆波拓扑界面态[C].2019年全国声学大会论文集.2019

[5].高冬.一维光子结构中界面态及通带相位的研究[D].青岛科技大学.2019

[6].吴康敬,高明,陈东运,赵磊,马忠权.磁控溅射功率对ITO/SiO_x/n-Si器件以及界面态的影响[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019

[7].李茂林,陈万军,王方洲,施宜军,崔兴涛.高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaNMIS-HEMT[J].半导体技术.2019

[8].肖和平,王瑞瑞.表面处理降低GaAs界面态密度的研究[J].电子器件.2019

[9].窦亚梅,韩伟华,杨富华.硅纳米线界面态的化学钝化方法概述[J].半导体技术.2018

[10].王芳芳,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊.DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度[J].微电子学与计算机.2018

论文知识图

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