在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征

论文摘要

使用一种简单的化学气相沉积法成功地在c面蓝宝石衬底上外延生长了整齐排列的ZnGa2O4单晶纳米线。研究了在不同生长温度和生长压力下外延生长ZnGa2O4纳米线,并使用XRD,SEM和TEM对产物进行了表征。结果表明,在生长条件为980℃和100 Torr时,可以外延生长出整齐排列的ZnGa2O4纳米线。所制备的ZnGa2O4纳米线直径为60～150 nm,并遵循Au催化的VLS生长机制沿其四个结晶学方向在蓝宝石上外延生长。分析了纳米线沿四个方向生长的原因,并对纳米线的光致发光性能进行了探讨。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
•   2.1 样品的制备
•   2.2 测试与表征
• 3 结果与讨论
•   3.1 Zn Ga2O4纳米线的形貌与结构
•   3.2 Zn Ga2O4纳米线的生长机理
•   3.3 Zn Ga2O4纳米线的光致发光性能
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李康,李鹏坤,熊庭辉,孙姝婧,陈晨龙

关键词: 纳米线,化学气相沉积法,光致发光,蓝宝石衬底

来源: 人工晶体学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 中国科学院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室,中国科学院大学

基金: 福建省“百人计划”(第四批)项目,国家自然科学基金(61774158),福建省自然科学基金(2018J01110)

分类号: TB383.1

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.06.004

页码: 992-996

总页数: 5

文件大小: 383K

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