导读:本文包含了肖特基结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:肖特基,效应,电极,微带,倍频器,沟道,磁阻。
肖特基结构论文文献综述
邓志杰[1]（2019）在《AlGaN肖特基型紫外探测器的结构优化与制备》一文中研究指出随着时代地不断发展,人们对自然地探索不断深入,紫外探测技术也在不断进步,并广泛应用于民用和军事等领域。在民用领域中,紫外探测技术可以应用于环境监测、火焰探测和天际紫外通信等方面。在军事领域中,紫外探测技术可以应用于情报传递、导弹预警以及生化试剂检测等方面。AlGaN材料是直接带隙半导体,通过调节铝组分的大小,可以使其禁带宽度在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)连续变化,对应波长为200nm～365nm的紫外线,处于近紫外到深紫外的波段范围。此外AlGaN材料还具有高电子饱和漂移速率、高击穿电场、高热导率以及高抗辐射能力等优良的特性,所以AlGaN材料是制备紫外探测器的优选材料。本文主要围绕AlGaN肖特基型多元阵列紫外探测器和金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器的制备和表征来展开工作,取得的主要研究结果如下:(1)通过半导体工艺基于AlGaN材料制备了2×2肖特基型多元阵列紫外探测器,并对样品器件的I-V特性进行了表征。多元器件单个像元的暗电流在50V反向偏压下仍不超过10-9A的量级,且具有比较好的整流特性。对同一阵列中各像元的光电特性进行分析,在50V反向偏压下,各像元暗电流的标准差系数为8.20%,光电流的标准差系数为2.55%,均小于10%,在5V反向偏压下的响应度峰值的标准差系数为3.28%,说明多元阵列器件中各像元间的光电性能具有比较好的一致性。所以该四元正交探测器有望应用于定位器的制备,实现对目标的跟踪与定位。(2)为了研究叉指间距对MSM型器件性能的影响,我们基于AlGaN材料制备了叉指间距分别为5μm、10μm和15μm的MSM型紫外探测器,叉指电极处的尺寸大小均为200μm ×400μm,然后对具有不同叉指间距的MSM型器件的光电特性进行表征。由测得的实验数据可知,随着叉指间距从5μm增加到15μm,在5V偏压下的光电流从1.70×10-5 A减小到2.44×10-6A,在8V偏压下的响应度峰值从78.69mA/W减小到50.42mA/W。结合电场分布的模拟,我们认为器件光电流和响应度峰值降低的主要原因有:一方面是MSM型器件相邻叉指电极间的电场强度会随着叉指间距的增大而减小,载流子在电场下的漂移速度减弱,从而导致器件的光电流响应降低;另一方面是MSM型器件中的电场分布深度也会随着叉指间距的增加而降低,吸收层中耗尽层的厚度变薄,参与漂移运动的载流子数量减少,从而也会减弱器件的光电流响应。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-24）
石向阳,刘杰,蒋均,陈鹏,陆彬[2]（2018）在《基于CSMRC结构和容性肖特基二极管的220GHz叁倍频器》一文中研究指出设计了基于容性肖特基二极管的220GHz非平衡叁倍频器。首先对容性肖特基二极管进行测试和关键参数提取,建立了肖特基二极管的等效电路模型,以此为基础进行叁倍频电路设计;在倍频电路设计中通过引入紧凑悬置微带谐振单元(CSMRC)滤波结构来减小信号传输损耗;由于叁倍频电路设计中难以实现全波阻抗匹配,因此采用了整体电路结构谐波平衡调匹配方法设计倍频电路,最后对制备出的倍频器进行测试和分析;实验测试结果表明:倍频器在213.1~221.6GHz范围内输出功率大于10 mW,倍频效率大于5%,最高输出功率为18.7mW@218.6GHz,最高倍频效率为8.24%@217.9GHz。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2018年09期）
普赛赛[3]（2018）在《纳米线肖特基势垒中势垒结构和电学传输的同步测量》一文中研究指出金属和半导体的接触有两种类型:欧姆接触和肖特基接触。当形成肖特基势垒时,器件的传输性质主要受肖特基势垒的控制。基于纳米线的肖特基势垒器件具有灵敏度高、响应速度快、开关比大的优点,受到了广泛的关注和研究。近年来利用纳米线肖特基势垒发展了多种高性能的器件,例如整流二极管、光检测器、气体传感器、电阻开关等。势垒结构模型的建立是分析肖特基势垒电学传输特性的基础。在传统的平面接触型肖特基势垒中,通过在无限大平面下近似求解泊松方程,得到了一维势垒结构模型。目前,大多数的纳米线肖特基势垒的电学分析仍然采用了传统平面势垒中的一维势垒结构模型。但是,纳米线肖特基势垒与传统平面肖特基势垒具有显着的结构差异。纳米线肖特基势垒接触区的尺寸不是无限大的,而是局限在纳米范围内。而且,大多数纳米线器件采用侧面接触电极,属于横向接触,而不是纵向接触。因此,利用传统一维势垒结构模型来分析纳米线肖特基势垒,在很多情况下具有局限性,所获取电学参数的准确性需要谨慎鉴别。因此,分析并检测纳米线肖特基势垒的结构,建立势垒结构模型,探索势垒结构对电学传输的调控作用,有利于理解纳米线肖特基势垒器件的工作机制。利用原子力显微镜可以测量势垒的微区结构,但是该方法成本高,手段复杂,难以在实际器件中实现在位测量。目前,仍然缺少对纳米线肖特基势垒的电学输运和势垒结构进行同步测量的有效方法。建立新的测量和分析方法,实现势垒结构和电学传输的同步测量,对揭示势垒结构对电学输运特性的调控作用具有重要的意义。在本论文中,我们首先使用有限元分析软件计算了ZnO纳米线肖特基势垒中的势垒结构和电学传输特性。结果表明:当势垒宽度小于ZnO纳米线的直径时,势垒结构与传统的势垒结构模型相似;但是当势垒宽度大于ZnO纳米线的直径时,势垒发生夹断。纳米线被夹断后,耗尽层将沿着纳米线的长轴方向扩展,界面电场随电压增加缓慢,近似达到饱和。由于界面电场是影响肖特基势垒反向电流的主要因素,因此势垒夹断前后的电学传输特性具有显着差别。在叁电极体系中,我们计算了势垒结构的变化对外侧电极电位的影响。通过计算,我们提出了叁电极外侧电压测量法,可以通过测量叁电极中外侧电极的电压来研究纳米线肖特基势垒的结构。该方法可以同步测量纳米线肖特基势垒的结构和电学传输特性。我们将叁电极外侧电压测试法应用在基于ZnO纳米线肖特基势垒的电阻开关器件中,用来分析电阻开关的机制。测试发现,在纳米线肖特基势垒从高阻态向低阻态转变的过程中,势垒处于部分耗尽状态,界面存在强电场。这为基于界面强电场的电阻开关机制提供了直接的实验证据。叁电极外侧电压测试法为同步测量纳米线肖特基势垒的结构及其电学输出特性提供了实验方法。但是,我们通过软件模拟发现,该方法在确定纳米线肖特基势垒的结构时有一定的局限。例如,该方法虽然可以指认出部分耗尽的势垒结构,但是不能区分欧姆接触(即由纳米线来分压)与势垒夹断这两种情况。为了解决该问题,我们引入了传统的叁电极中间电压测试法,利用该方法来区分纳米线分压和势垒夹断这两种情况。将这两种叁电极测量方法相结合,我们提出了基于四电极体系的势垒结构测量方法。利用这种四电极测量方法,可以区分纳米线分压、势垒部分耗尽、势垒夹断这叁种势垒结构。而且,这种四电极方法可以指认出势垒结构随电压的变化,例如:纳米线分压向势垒部分耗尽的转变、势垒部分耗尽向纳米线分压的转变、以及势垒部分耗尽向势垒夹断的转变。利用四电极测量方法,我们对多个ZnO纳米线器件的势垒结构及其随电压的变化进行了实际测量,验证了该方法在确定势垒结构上的有效性。另外,我们基于四电极方法对势垒结构和电流进行了同步测量。测量结果表明,当纳米线肖特基势垒从部分耗尽转变为发生夹断时,电流-电压曲线也相应地发生了由线性到饱和的转变。通过本论文的研究,我们提出了基于叁电极和四电极体系对纳米线肖特基势垒的势垒结构和电学传输进行同步测量的方法。该方法为揭示纳米线肖特基势垒独特的势垒结构、深入分析势垒中的电学传输特性提供了有力的实验方法和手段。(本文来源于《河南大学》期刊2018-06-01）
吴月芳[4]（2018）在《AlGaN/GaN肖特基势垒二极管工艺制备与结构优化》一文中研究指出近些年来,作为第叁代半导体代表之一的GaN材料因其在半导体照明和电力电子领域的重要应用价值而成为国内外科研机构和企业的研究热点。AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)做为宽禁带半导体器件中的重要成员,凭借其导通电阻低、耐高压、开关速度快、耐高温等优势,逐渐成为电力电子以及微波通信等领域的重点研究对象。本论文对AlGaN/GaN SBD的主要工艺进行了优化;制备了不同电极结构的AlGaN/GaN SBD器件并对其进行测试;建立了带有浮动金属环的AlGaN/GaN SBD模型并进行了器件模拟。论文是在863计划(项目编号2015AA033305)以及国家科技重大专项(No:2017YFB0402800、2017YFB0402803)的支持下完成的,主要研究工作如下:首先,对AlGaN/GaN SBD器件流片过程中的主要工艺步骤进行优化。针对欧姆电极,分析了Ti/Al比例和Ti/Al厚度对比接触电阻率的影响;针对SiO_2钝化层,研究了其对AlGaN/GaN SBD器件正向电学特性和反向漏电流的影响;针对肖特基电极,研究了退火时间以及退火温度对AlGaN/GaN SBD器件特性的影响。其次,结合优化后的工艺参数,对不同电极结构的圆环形和插指型AlGaN/GaN SBD进行工艺制备。对器件进行电学特性测试,分析了不同电极间距、不同电极尺寸以及插指数目对AlGaN/GaN SBD正、反向电学特性的影响;通过反向击穿电压的测试以及击穿后器件的显微镜图片,进一步分析了器件击穿的损毁机制。最后,利用Silvaco-ATLAS软件优化AlGaN/GaN SBD的器件结构,设计了带有浮动金属环的AlGaN/GaN SBD器件结构。对比了有无浮动金属环器件正反向的电学特性;分析了浮动金属环的宽度对器件正反向电学特性的影响;研究了浮动金属环的个数对器件正反向电学特性的影响。(本文来源于《北京工业大学》期刊2018-05-01）
王家男[5]（2018）在《高截止频率GaN基肖特基二极管结构研究》一文中研究指出大功率的肖特基器件广泛的应用于各种开关器件中,而现在商业中广泛应用的还是硅基器件,但是硅基的功率器件在高频和大功率传输上的表现很差,难以满足日益需求的市场需求。GaAs为代表的第二代半导体在高频上有着良好的特性,但是由于耐受电压比较低,导致在传输功率太低。第叁代半导体GaN在功率传输上有着很好的特性,在高频功率器件上有着很好的应用发展。但是GaN的迁移率明显要低于GaAs,导致GaN基的肖特基器件有着很大的串联电阻,而使器件的截止频率很难提高。使用AlGaN/GaN异质结产生的二维电子气作为导电层可以很好的解决串联电阻的问题。通过将原有的单一Al组分的AlGaN层设计成多层不同Al组分的AlGaN层的渐变迭加。这种方法可以很好的降低器件的串联电阻效应,提高肖特基器件的工作频率,使可以器件工作在更高工作频率,甚至器件可以工作在太赫兹频率的工作环境下。本文在研究内容上分为叁个部分,首先是设计平面结构和垂直结构的单层异质结的肖特基器件,计算肖特基器件的串联电阻、零偏压下结电容和器件的截止频率。通过修改器件的阳极长度这一个参数来得到截止频率最大的阳极尺寸。其次是设计多层异质结肖特基器件,在平面结构和垂直结构两个方面。通过器件的串联电阻、零偏压下结电容和器件截止频率叁项上对比单层异质结肖特基器件。最后是设计变铝组分多层异质结肖特基器件,在平面结构和垂直结构两个方面,通过器件的串联电阻、零偏压下结电容和器件截止频率叁项上对比单层异质结肖特基器件。找到可以提高截止频率的肖特基结构,在降低串联电阻和提高器件截止频率的方向上找到比较好的结构尺寸参数。在平面结构单层异质结单一铝组分的肖特基二极管器件的结构中,将单一Al组分AlGaN层设计成为成按Al组分渐变迭加的多层AlGaN层。不同的层产生多层异质结,多层异质结的可以产生多层的2DEG,多层2DEG形成多层的导电沟道进行迭加,可以降低了沟道的极化电荷浓度,另一方面展宽了2DEG的宽度与电子流动的带宽,这样减小的杂质散射提高了电子的迁移率,可以很好的降低肖特基器件的串联电阻,提高肖特基器件的工作频率。在平面结构变铝组分双层异质结肖特基器件的结构中,Al_(0.3)Ga_(0.7)N层的厚度和Al_(0.2)Ga_(0.8)N层的厚度在肖特基器件的串联电阻、器件零偏压时候的结电容和器件的截止频率有着很大的影响。在平面结构变铝组分双层异质结肖特基器件中,当Al_(0.3)Ga_(0.7)N层的厚度和Al_(0.2)Ga_(0.8)N层的厚度相差较大并且是Al_(0.3)Ga_(0.7)N层的厚度远远小于Al_(0.2)Ga_(0.8)N层的厚度的时候,这时的肖特基器件的截止频率是最大的。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-04-01）
胡洁琼[6]（2018）在《非磁性混合肖特基结金属—氧化物—半导体结构中的磁调控光电效应》一文中研究指出纳米结构中的光电效应一直是一个热点课题,在光电探测,光伏电池,电子元件等领域有巨大的应用价值。侧向光伏效应作为其中一种典型的光电效应,由于在灵敏位置探测器中的应用也得到了广泛关注,其最显着的特点是侧向光伏值与光照点位置呈线性关系。已经有大量研究通过改变样品或器件的材料和结构,以及运用各种不同的外场调控等方式,提高了侧向光伏效应的灵敏度和线性度。而磁场作为一种常见的调控手段,被广泛地应用于各种纳米结构的研究中,也被应用于侧向光伏效应的调控。关于磁调控侧向光伏效应,之前的工作基本集中在磁性结构中,但是效应很微弱,或者需要比较大的磁场,这都不利于将效应应用到实际器件中。因为磁场可以通过库伦兹力影响样品或器件中载流子的传输过程,所以可能会对非磁性纳米结构的各类光电效应产生影响。于是,我们猜测在非磁性纳米结构中也会发生磁调控侧向光伏效应现象。在本文中,根据纳米颗粒薄膜肖特基势垒高度可变的这一特性,我们设计了非磁性沟槽型混合肖特基结的结构,即样品各部分的肖特基势垒高度不同。由于该结构会使载流子的运动受限,使载流子的扩散不对称,因此会对磁场有比较显着的响应。在这种沟槽型结构中,我们在很小的磁场下就发现了比之前工作都要显着的磁调控侧向光伏效应。在此基础上,我们改变了沟槽型结构半导体层的材料,发现基于p型硅的结构比基于n型硅的结构,其侧向光伏值随着磁场增大有更明显的变化,我们认为这是由于p型硅和n型硅中的载流子类型不同。同时,我们也改变了沟槽型结构中的两侧金属层厚度,发现金属层厚度越厚的结构中,侧向光伏值随磁场增大也变化得越来越显着。这些现象的发现是磁调控侧向光伏效应的一个突破,可以应用于磁场探测器等,对侧向光伏应用的扩展有很大的潜在意义。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-01-01）
李志远[7]（2017）在《横向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管场板结构的模拟研究》一文中研究指出近些年来,随着半导体行业的发展,第叁代宽禁带半导体正逐步成为二十一世纪最受瞩目的材料,其中GaN半导体器件是第叁代半导体的典型代表,科学研究人员越来越重视这类器件的研究分析,这是由于GaN和AlGaN相接触时会形成异质结,极化效应的存在会在异质结中间形成二维电子气,氮化物半导体可以工作在高温,高频以及强辐射的环境下,优异的材料特性也使其在未来军事和民用中有着更多的应用潜能。AlGaN/GaN肖特基势垒二极管和AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)是一同发展的,通过多年的不懈努力,AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正逐步走向成熟。肖特基二极管的反向阻断特性是众多研究人员重视的方面,最有效提升耐压而不影响正向特性的方式就是在肖特基二极管的阳极上连接场板,所以本文基于传统场板进行仿真研究,通过软件Silvaco TCAD模拟横向场板和几种变型场板,主要的研究内容如下:1.研究横向场板器件的耐压机理,分析横向场板长度和钝化层厚度和击穿电压之间的关系以及内部电场分布状态,并进一步总结其中的规律。仿真浮空阶梯型场板(SFFP),分析相同电压下内部电场分布图和沟道载流子分布,总结浮空阶梯场板比其他场板具有优势的原因,以浮空阶梯场板钝化层厚度和水平位置为研究对象,寻找最优数值。2.参考LDMOS的纵向场板结构,对AlGaN/GaN的肖特基势垒二极管的纵向场板器件(AVFP-SBD)进行了系统的研究,分析纵向场板长度和钝化层厚度对器件击穿电压和内部电场的影响,以及不同参数的下的内部电场分布,最后通过3D电场绘图,总结纵向场板提高耐压机理。3.结合纵向场板和横向场板构成ALVFP-SBD,固定纵向场板的长度和钝化层厚度,对比分析两个器件的反向阻断特性,利用3D电场绘图,总结两种场板的结合对GaN层内部电场的影响。仿真研究了深电极器件的基础电学特性,以及计算叁种器件的FoM值,给出可行的深电极器件的主要工艺流程。最后模拟AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的温度特性。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2017-12-01）
王晓燕[8]（2017）在《氮化镓太赫兹肖特基二极管新结构研究》一文中研究指出随着电磁辐射应用越来越广泛,太赫兹技术在近年来受到许多研究人员的关注。目前,太赫兹技术研究的重点在于提高辐射源和探测器的性能。肖特基二极管具有速度快、良好的非线性效应、能够在常温下工作和容易集成等优点,所以常被用作太赫兹探测器中的混频器和检波二极管。传统GaAs肖特基二极管的频率虽然能够达到太赫兹频段,但输出功率太低阻碍了太赫兹技术的发展。氮化镓(GaN)材料是新一代宽禁带半导体材料,凭借着大功率优势成为研究的热点,因此GaN基肖特基二极管的研究对太赫兹技术的发展有着重要的意义。在传统的SBD器件结构中,因为GaN的电子迁移率远低于GaAs的电子迁移率,所以很难通过工艺的方法降低二极管串联电阻R_S,使得GaN基SBD最高截止频率明显低于GaAs基SBD。因此必须采用新的器件结构提高GaN基SBD的截止频率,本文研究的重点是基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的肖特基二极管。AlGaN/GaN异质结的引入,可以利用二维电子气中的高电子迁移率降低沟道电阻,提高二极管的截止频率。异质结多沟道结构由多个异质结组成,能够为二极管的电流提供多个通道,进一步降低导通电阻,提高截止频率。本文主要对各种GaN基SBD进行研究,基本的工作内容如下:首先对基于GaN材料、AlGaN材料和AlGaN/GaN异质结的肖特基二极管的静态特性、反向击穿电压和截止频率进行研究。通过分析得出以下结论:掺杂能够提高GaN基SBD的正向导通电流,但是会降低电子迁移率(GaN材料中的电子迁移率远小于GaAs),所以需要找到新的方法降低串联电阻;同等掺杂时AlGaN SBD正向电流远小于GaN SBD,原因是AlGaN材料的亲和能远小于GaN,所以AlGaN SBD的肖特基势垒高度比GaN SBD高出很多;通过降低AlGaN SBD中的Al组分可以起到降低开启电压,增大正向电流的作用;和AlGaN SBD相比,AlGaN/GaN单异质结SBD具有更小的串联电阻;此外,异质结界面电荷的存在会使二极管的反向击穿电压下降。分别计算传统结构GaN肖特基二极管和AlGaN/GaN单异质结肖特基二极管的截止频率得出,异质结结构可以降低串联电阻、提高二极管的截止频率。接着进一步研究AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的静态直流特性。比较全面地研究了AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的沟道数变化,势垒层Al组分变化,势垒层和沟道层厚度变化对器件直流特性的影响。然后,利用之前仿真出的IV曲线提取异质结多沟道SBD的串联电阻,计算出AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的截止频率。经过计算得出,和传统结构的GaN肖特基二极管相比,异质结多沟道SBD的串联电阻有所下降,二极管的截止频率明显提高。随后基于前面仿真的结果,总结AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的参数优化、结构改善的建议,介绍极化掺杂的概念,提出将基于AlGaN/GaN异质结FESBD中的双金属阳极结构引入到AlGaN/GaN异质结多沟道SBD中提高反向击穿电压降低开启电压的可能性。最后,给出了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管的制造流程。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2017-06-01）
周沛奇[9]（2017）在《纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究》一文中研究指出纳米金属半导体材料往往表现出较块状材料更加突出的光电性能,诸如更强的导电性、导热性、更快的电子迁移率等等,使其在航空、能源、信息等高科技领域具有广阔应用前景。在金属-半导体结构中,肖特基接触是非常常见的一类电学接触方式,在传统的块状材料中,肖特基势垒高度一般比较固定,只取决于金属和半导体的费米能级以及表面态所导致的费米能级钉扎效应。而在纳米金属半导体材料中,肖特基势垒还会受到许多纳米尺寸下特有的物理效应的影响,诸如表面效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应等等,从而呈现出一定的可调控性。这使得人们可以根据自己的意愿,通过纳米层面上尺寸和结构的设计,来获得不同高度的肖特基势垒,进而大大拓宽了其应用前景,并由此带来了许多新型物理效应和理论机制的探索。本论文是针对这一课题的探索性研究,我们设计制备了不同金属的纳米颗粒薄膜,发现通过外加光场辅助电脉冲的手段可以调节这些结构的肖特基势垒高度,体现在可测量的物理量上,即这些结构的光伏和电阻特性呈现出一定的可调节性,更有趣的是,这种调控是非易失性的,即当我们撤去外加的光场和电脉冲时,势垒的改变效果依然存在,这一特性使得这种效应(激光辅助电脉冲调控肖特基势垒高度)在存储及控制领域有着很好的应用前景。我们提出了光生载流子陷阱模型来解释这一结果,并在之后的侧向光伏效应的测量中得到了与理论相吻合的印证。我们还根据纳米颗粒薄膜肖特基势垒高度可变的这一特性,设计了沟槽结构的纳米金属半导体材料,并在这种结构中,观察到了反向耐压特性非常好的二极管效应。结合我们之前使用激光辅助电脉冲的手段,这种二极管效应还呈现出一定的可变性,即其反向电流大小可通过外场进行非易失性的调控。另外,这种沟槽结构的纳米金属半导体材料,即便材料本身没有磁性,而由于其内部载流子扩散的非对称性,其对磁场有着比较显着的响应。我们在这种结构中也观察到了的非常明显的磁响应侧向光伏效应,以及磁响应的光致极性电阻效应。对此,我们给出了类似尺寸磁阻效应的载流子非对称扩散模型的机理解释。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-03-01）
徐儒,郭伟玲,孙晓,陈艳芳,李松宇[10]（2016）在《功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计》一文中研究指出利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。(本文来源于《微电子学》期刊2016年04期）
肖特基结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了基于容性肖特基二极管的220GHz非平衡叁倍频器。首先对容性肖特基二极管进行测试和关键参数提取,建立了肖特基二极管的等效电路模型,以此为基础进行叁倍频电路设计;在倍频电路设计中通过引入紧凑悬置微带谐振单元(CSMRC)滤波结构来减小信号传输损耗;由于叁倍频电路设计中难以实现全波阻抗匹配,因此采用了整体电路结构谐波平衡调匹配方法设计倍频电路,最后对制备出的倍频器进行测试和分析;实验测试结果表明:倍频器在213.1~221.6GHz范围内输出功率大于10 mW,倍频效率大于5%,最高输出功率为18.7mW@218.6GHz,最高倍频效率为8.24%@217.9GHz。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
肖特基结构论文参考文献
[1].邓志杰.AlGaN肖特基型紫外探测器的结构优化与制备[D].南京大学.2019
[2].石向阳,刘杰,蒋均,陈鹏,陆彬.基于CSMRC结构和容性肖特基二极管的220GHz叁倍频器[J].强激光与粒子束.2018
[3].普赛赛.纳米线肖特基势垒中势垒结构和电学传输的同步测量[D].河南大学.2018
[4].吴月芳.AlGaN/GaN肖特基势垒二极管工艺制备与结构优化[D].北京工业大学.2018
[5].王家男.高截止频率GaN基肖特基二极管结构研究[D].西安电子科技大学.2018
[6].胡洁琼.非磁性混合肖特基结金属—氧化物—半导体结构中的磁调控光电效应[D].上海交通大学.2018
[7].李志远.横向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管场板结构的模拟研究[D].哈尔滨工程大学.2017
[8].王晓燕.氮化镓太赫兹肖特基二极管新结构研究[D].西安电子科技大学.2017
[9].周沛奇.纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究[D].上海交通大学.2017
[10].徐儒,郭伟玲,孙晓,陈艳芳,李松宇.功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计[J].微电子学.2016
论文知识图
