离子源侧向冷却装置论文和设计-潘俊斌

全文摘要

本实用新型提供一种离子源侧向冷却装置,其主要借由一离子源腔体、一冷却座及一支撑座相互连接所组成,所述冷却座一端设有至少一贴附部,所述贴附部与所述离子源腔体的一侧相贴合,其特征在于:所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路延伸设于所述贴附部及所述冷却座的内部,所述循环冷却回路与所述支撑座内部设有的一循环导入部及一循环导出部相连通,因此使用者即可透过所述循环导入部将水体或冷却体导入至所述循环冷却回路内,以对所述离子源腔体进行降温的作用,进而避免因所述离子源腔体过热,而缩减了部件的使用寿命。

主设计要求

1.一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,其特征在于,包括:一离子源腔体;一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内;以及一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

设计方案

1.一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,其特征在于,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

2.如权利要求1所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合。

3.如权利要求2所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

4.如权利要求2所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述离子源腔体的二侧与二所述贴附部相贴合,二所述贴附部将所述离子源腔体夹设于所述冷却座的中央位置上。

5.一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,其特征在于,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接。

6.如权利要求5所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内。

7.如权利要求6所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

8.如权利要求5所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

9.如权利要求5所述的离子源侧向冷却装置,其特征在于,所述离子源腔体的二侧与二所述贴附部相贴合,二所述贴附部将所述离子源腔体夹设于所述冷却座的中央位置上。

设计说明书

技术领域

本实用新型是离子源侧向冷却装置,尤指一种借由循环冷却回路及导热体冷却离子源腔体的冷却装置。

背景技术

离子植入器通常用于半导体晶圆的制造上,透过离子源来产生离子束,接着再将所述离子束导向晶圆上,当离子与晶圆相撞击时,其离子则会对晶圆的特定区域进行掺杂,而掺杂区的构型则界定其功能性,且经由使用导电互连,此等晶圆可转变为复杂电路。

通常在一离子源腔体产生所述离子束的过程中,会产生大量的热能,然而,现有的技术上,为了进行散热的作用,则是利用辐射的方式,以对所述离子植入器进行散热。但因辐射的散热速度过低,故在长期的使用下,则会造成所述离子源腔体附近区域的部件寿命损耗。因此,本技术领域上亟需一种可有效提升所述离子植入器的散热功效的相关技术。

实用新型内容

因此,为解决前揭的问题,本实用新型的目的是提供离子源侧向冷却装置,主要借由一冷却座与一离子源腔体相连接,以透过所述冷却座上设置的一导热体将所述离子源腔体的热能导至所述冷却座上,再由所述冷却座内部设置的一循环冷却回路将所述冷却座进行冷却,进而达到快速降温的作用。

本实用新型提供一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

较佳地,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合。

较佳地,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

较佳地,所述离子源腔体的二侧与二所述贴附部相贴合,二所述贴附部将所述离子源腔体夹设于所述冷却座的中央位置上。

本实用新型再提供一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接。

较佳地,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内。

较佳地,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

较佳地,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

较佳地,所述离子源腔体的二侧与二所述贴附部相贴合,二所述贴附部将所述离子源腔体夹设于所述冷却座的中央位置上。

附图说明

图1为本实用新型的立体示意图;

图2为本实用新型的冷却座的立体示意图;

图3为本实用新型的冷却座的内部透视图;

图4为本实用新型的使用状态的截面图;

图5为本实用新型的另一使用状态的截面图。

附图标记说明:

10 离子源腔体

20 冷却座

201 贴附部

202 凹陷部

203 循环冷却回路

30 支撑座

301 循环导入部

302 循环导出部

40 导热体

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下述结合图式及实施例,对本实用新型进行进一步地详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,但并不用于限定本实用新型。以下,结合图式对本实用新型进一步说明:

请参阅图1至图5,其为本实用新型的立体示意图、冷却座的立体示意图、冷却座的内部透视图、使用状态的截面图及另一使用状态的截面图。如图所示,本实用新型揭露了一种离子源侧向冷却装置,其主要由一离子源腔体10、一冷却座20及一支撑座30所组成,其中所述离子源腔体10与所述冷却座20相连接,所述冷却座20则与所述支撑座30相连接。所述离子源腔体10利用一离子源生成一离子束,然而,所述离子源腔体10在生成所述离子束的过程中,会产生大量的热能,进而使得部件的使用寿命减损,因此,本实用新型进一步的将一冷却座20与所述离子源腔体10相连接,其中,所述离子源腔体10与所述冷却座20的一端或一侧的任意位置上相连接,所述冷却座20一端延伸设有至少一贴附部201(下述说明以二所述贴附部201作为说明),且二所述贴附部201贴附于所述离子源腔体10二侧上,以将所述离子源腔体10夹设于所述冷却座20的中央位置上,此外,因各所述贴附部201与所述离子源腔体10相贴合的贴附面上设有一凹陷部202,且所述凹陷部202内设有一导热体40,因此所述导热体40的二侧即可与所述贴附部201及所述离子源腔体10相贴合,以有效的将所述离子源腔体10的热能导至所述贴附部201上。

另外,所述冷却座20内部设有至少一循环冷却回路203,且所述循环冷却回路203设于所述贴附部201及所述冷却座20内,而所述支撑座30内部设有一循环导入部301及一循环导出部302,所述循环导入部301及所述循环导出部302则与所述循环冷却回路203相连通。如此,使用者即可由所述循环导入部301将一水体或一冷却体(下述说明以所述冷却体作以说明)导入后,所述冷却体则会流入所述冷却座20内的所述循环冷却回路203以及所述贴附部201内的所述循环冷却回路203,故当所述导热体40将所述离子源腔体10的热能导至所述贴附部201上时,即可透过所述冷却体有效地进行降温的作用,最后再由所述循环导出部302将所述冷却体导出。如此即可避免因所述离子源腔体10过热而减损部件的使用寿命等。

上列详细说明乃针对本实用新型的实施例进行具体说明,所述实施例并非用以限制本实用新型的范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所为的等效实施或变更,均应包含于本实用新型的范围中。且,本实用新型不仅在技术思想上确属创新,并具备现有的传统方法所不及的上述多项功效,已充分符合新颖性及进步性的法定新型专利要件,于是依法提出申请,恳请贵局核准本实用新型申请案,以励实用新型。

设计图

离子源侧向冷却装置论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201920021657.4

申请日:2019-01-07

公开号:公开日:国家:TW

国家/省市:71(台湾)

授权编号:CN209133449U

授权时间:20190719

主分类号:H01J 37/02

专利分类号:H01J37/02;H01J37/317;H01L21/67

范畴分类:38D;

申请人:建泓科技实业股份有限公司

第一申请人:建泓科技实业股份有限公司

申请人地址:中国台湾台北市

发明人:潘俊斌;陈俊宇;余庆璋

第一发明人:潘俊斌

当前权利人:建泓科技实业股份有限公司

代理人:许静;安利霞

代理机构:11243

代理机构编号:北京银龙知识产权代理有限公司

优先权:TW107215600

关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签:;  ;  

离子源侧向冷却装置论文和设计-潘俊斌
下载Doc文档

猜你喜欢